磁检测器件制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种可切换为单输出模式和双输出模式，特 别地，在1个集成电路中、用简单的电路结构就能进行模式切换的双极检 测对应型的磁检测器件。设置可切换为单输出模式及双输出模式的模式切 换单元(50)，其中，单输出模式为从第一外部输出端子(40)输出(+) 磁场检测信号和(-)磁场检测信号双方；双输出模式为分别从上述第一 外部输出端子(40)输出上述(+)磁场检测信号，从上述第二外部输出 端子(41)输出上述(-)磁场检测信号。通过在集成电路(22)内设置 上述模式切换单元(50)，就能够进行模式选择，特别地通过采用简单的 电路结构、且设置1个集成电路(22)就能实现这种模式选择，且能降低 生产成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具备磁阻效应元件的磁检测器件，特别地涉及可切换 为单输出模式和双输出模式的双极检测对应的磁检测器件。
技术介绍
图20是现有的磁检测器件的电路结构图。磁检测器件由传感器单元S 和集成电路(IC) 1构成。图20所示的磁检测器件是双极检测对应型传感 器。上述传感器单元S具有具备电阻值相对于(+)方向的外部磁场而 变化的GMR元件等的第一磁阻效应元件2的第一桥式电路BC1;和具备 电阻值相对于(一)方向的外部磁场而变化的GMR元件等的第二磁阻效 应元件3的第二桥式电路BC2。虽然「( + )方向的外部磁场」是指任意一 个方向的外部磁场，但在图20的方式中，是指虽然第一磁阻效应元件2 的电阻值变动、但第二磁阻效应元件3的电阻值却不变动(即作为固定电 阻起作用)的方向的外部磁场；「(一)方向的外部磁场」是与上述(+ ) 方向的外部磁场相反方向的外部磁场，在图20的方式中，是指虽然第二 磁阻效应元件3的电阻值变动、但第一磁阻效应元件2的电阻值却不变动 (即作为固定电阻起作用)的方向的外部磁场。如图20所示，各第一磁阻效应元件2分别和固定电阻元件4构成串 联电路，各串联电路并联连接构成第一桥式电路BC1。构成上述第一桥式 电路BC1的2个串联电路的各输出取出单元连接到第一差分放大器6。此 外，如图20所示，各第二磁阻效应元件3分别和固定电阻元件5构成串 联电路，各串联电路并联连接构成第二桥式电路BC2。构成上述第二桥式 电路BC2的2个串联电路的各输出取出单元连接到第二差分放大器7。在上述集成电路l内除差分放大器6、 7夕卜，还设置有施密特触发器 型的比较器12、 13，锁存电路8、 9等，从外部输出端子IO、 ll取出外部 磁场检测信号。4图20所示的磁检测装置中，当(+ )方向的外部磁场作用时，构成第一桥式电路BC1的第一磁阻效应元件2的电阻值变动，由此用上述第一差 分放大器6对输出进行差分放大，据此产生(+)磁场检测信号，并从第 一外部输出端子10输出上述(+ )磁场检测信号。另一方面，在磁检测装 置中，当(一)方向的外部磁场作用时，构成第二桥式电路BC2的第二磁 阻效应元件3的电阻值变动，由此用上述第二差分放大器7对输出进行差 分放大，据此产生(一)磁场检测信号，并从第二外部输出端子11输出 上述(一)磁场检测信号。如上所述，图20所示的磁检测器件成为能检测(+ )方向和(一)方 向的任意的外部磁场的双极检测对应型传感器。专利文献1 JP特开2004 — 77374号公报专利文献2 JP特开2004 — 180286号公报专利文献3 JP特开2005—214900号公报专利文献4 JP特开2003 —14833号公报专利文献5 JP特开2003 — 14834号公报专利文献6 JP特开2003 — 121268号公报专利文献7 JP特开2004 — 304052号公报
技术实现思路
规定图20所示的现有磁检测器件，在分别从第一外部输出端子10及 第二外部输出端子ll输出(+ )磁场检测信号和(一)磁场检测信号的双 输出中使用。其另一方面，也需要在例如仅使用上述第一外部输出端子10，从上述 第一外部输出端子IO输出(+ )磁场检测信号和(一)磁场检测信号双方 的单输出中使用。这种情况下，在现有的磁检测器件中，在进行单输出或双输出中需要 重组集成电路1的电路结构，成本变高。因此，为解决上述现有的课题而进行本专利技术，本专利技术的目的在于，提 供一种可切换为单输出模式和双输出模式，特别地，在l个集成电路中、 且用简单的电路结构就能进行模式切换的双极检测对应型的磁检测器件。本专利技术的磁检测器件，其特征在于，包括传感器单元，其相对于(+ ) 方向的外部磁场及与上述(+ )方向相反方向的(一)方向的外部磁场的 各磁场强度变化，其电气特性变化；和集成电路，与上述传感器单元连接， 根据上述电气变化产生并输出(+ )磁场检测信号和(一)磁场检测信号，上述集成电路具有第一外部输出端子；第二外部输出端子；以及模 式切换单元，其中，该模式切换单元能切换为单输出模式，从上述第一外部输出端子输出上述(+ )磁场检测信号 及上述(一)磁场检测信号的双方，以及双输出模式，分别从上述第一外部输出端子输出上述(+ )磁场检测 信号，从上述第二外部输出端子输出上述(一)磁场检测信号。根据上述说明，就能形成可切换为单输出模式或双输出模式的双极检 测对应型的磁检测器件。特别地，在本专利技术中，通过在集成电路内设置上 述模式切换单元，由简单的电路结构而且通过使用l个集成电路就能形成 可模式切换的磁检测器件。此外，在本专利技术中，优选在上述模式切换单元中设置切换开关，通过 上述切换开关的开关动作能切换为单输出模式和双输出模式，由简单的电 路结构来实现。此外，在本专利技术中，优选上述模式切换单元具有逻辑电路。使用逻辑 电路构成模式切换单元，由此能使电路结构简单。此时，优选上述逻辑电路具有连接到上述第一外部输出端子的NOR 电路、或OR电路，在上述单输出模式时，无论是(+)磁场检测时、还是(一)磁场检测时，都对设置在上述NOR电路或OR电路中的2个输入部输入高电平 及低电平双方的输入信号，并将相同电平的输出信号作为(+ )磁场检测 信号及(一)磁场检测信号输出给上述第一外部输出端子；在上述双输出模式、且(+ )磁场检测时，从上述第一外部输出端子 输出上述(+ )磁场检测信号，并且从上述第二外部输出端子输出与上述 (+ )磁场检测信号反相的电平的输出信号作为截止信号；在上述双输出模式、且(一)磁场检测时，从第二外部输出端子输出上述(_)磁场检测信号，并且向设置在上述NOR电路或OR电路中的2 个输入部中的一个输入部输入与单输出模式时反相的电平的输入信号，并 从上述第一外部输出端子输出与上述(一)磁场检测信号反相的电平的输 出信号作为截止信号。由此，能适当地切换单输出模式和双输出模式。此外，本专利技术中，在上述NOR电路或OR电路的一个输入部上连接 切换开关，通过上述切换开关的开关动作，使输入到上述NOR电路或OR 电路的信号电平反相，由此切换为单输出模式和双输出模式，适于简单地 形成电路结构。此外，本专利技术中，优选上述传感器单元由(+ )磁场检测用的第一电 路单元和(一)磁场检测用的第二电路单元构成，其中，上述(+ )磁场检测用的第一电路单元具有第一磁阻效应元件，该第 一磁阻效应元件利用了电阻根据(+ )方向的外部磁场的磁场强度变化而 发生变化的磁阻效应，上述(一)磁场检测用的第二电路单元具有第二磁阻效应元件，该第 二磁阻效应元件利用了电阻根据与上述(+ )方向相反方向的(一)方向 的外部磁场的磁场强度变化而发生变化的磁阻效应。由此，能将传感器单 元适当地构成为双极检测对应型。专利技术效果根据本专利技术，能形成可切换为单输出模式和双输出模式，特别地，能 在1个集成电路中、且用简单的电路结构就能进行模式切换的双极检测对 应型的磁检测器件。附图说明图1是本实施方式的磁检测器件的电路结构图。图2是表示本实施方式的模式切换单元的电路结构的局部放大图，是 表示单输出模式下(+)磁场检测时的电路状态的图。图3是表示本实施方式的模式切换单元的电路结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁检测器件，具有：　传感器单元，该传感器单元相对于正方向的外部磁场及与上述正方向相反方向的负方向的外部磁场的各磁场强度变化，其电气特性变化；以及　集成电路，与上述传感器单元连接，根据上述的电气变化产生并输出正磁场检测信号和负 磁场检测信号，　上述集成电路具有：　第一外部输出端子；　第二外部输出端子；以及　模式切换单元，　其中，该模式切换单元能切换为：　单输出模式，从上述第一外部输出端子输出上述正磁场检测信号及上述负磁场检测信号 双方；以及　双输出模式，分别从上述第一外部输出端子输出上述正磁场检测信号，从上述第二外部输出端子输出上述负磁场检测信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.7 JP 242997/20061. 一种磁检测器件，具有传感器单元，该传感器单元相对于正方向的外部磁场及与上述正方向相反方向的负方向的外部磁场的各磁场强度变化，其电气特性变化；以及集成电路，与上述传感器单元连接，根据上述的电气变化产生并输出正磁场检测信号和负磁场检测信号，上述集成电路具有第一外部输出端子；第二外部输出端子；以及模式切换单元，其中，该模式切换单元能切换为单输出模式，从上述第一外部输出端子输出上述正磁场检测信号及上述负磁场检测信号双方；以及双输出模式，分别从上述第一外部输出端子输出上述正磁场检测信号，从上述第二外部输出端子输出上述负磁场检测信号。2. 根据权利要求1所述的磁检测器件，其特征在于， 在上述模式切换单元中设置切换开关，通过上述切换开关的开关动作能切换为单输出模式和双输出模式。3. 根据权利要求1或2所述的磁检测器件，其特征在于，上述模式切换单元具有逻辑电路。4. 根据权利要求3所述的磁检测器件，其特征在于， 上述逻辑电路具有与上述第一外部输出端子连接的NOR电路、或OR电路，在上述单输出模式时，无论是正磁场检测时、还是负磁场检测时，都 对设置在上述NOR电路或OR电路中的2个输入部输入高电平及低电平 双方的输入信号，并将相同电平的输出信号作为正磁场检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊入胜也，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP