【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有羧酸化粘结剂和羟基化有机化合物的热转移供体元件
技术介绍
1. 专利
本专利技术涉及用于热物质转移的供体元件,这种供体元件在使用激光成像的组 装件中的用途,以及用这种供体元件制造滤色片。2. 相关技术说明热转移供体元件可以用于供体元件和受体元件的组装件中,以将一层材料从 供体元件转移到受体元件。己经公开一些具有多个羟基的多元醇作为热转移供体 元件中的组分。转让给3M创新产权公司(3M Innovative Properties Company)的美国专利 6, 228, 543Bl(Mizuno等)(该专利通过参考结合于此)THERMAL TRANSFER WITH A PLASTICIZER-CONTAINING TRANSFER LAYER(用含增塑剂的转移层的热转移)公开 了用于热转移供体元件的转移单元的转移层中的增塑剂。转移单元包括从热转移 元件转移的所有的层。热转移单元可具有单层或多层。这些层中至少一层是含增 塑剂的层。至少一层含增塑剂的层通常位于热转移元件内,形成热转移单元的外 表面,使得含增塑剂层在转移期间与受体元件接触。转移单元的其余层通常位于 含增塑剂的外层和基片之间。转移单元的附加层可以使用各种材料和构形形成, 包括例如在以下美国专利中所述的那些5,156,938; 5,171,650; 5,244,770; 5,256,506; 5, 387, 496; 5, 501, 938; 5, 521,035; 5, 593, 808; 5, 605, 780; 5,612,165; 5,622,795; 5,685,939; 5,691 ...
【技术保护点】
一种用于热转移过程的供体元件,该元件包括: 支承层;和 由该支承层支承并包括含羧酸基团的粘结剂的转移层,该转移层包含羟基浓度小于18mM/g的多个羟基和至少一个连接基团的有机化合物; 其中,所述化合物不含任何N,N-二-(2-羟基乙基)酰胺和任何松香酯。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-9-1 11/514,4631. 一种用于热转移过程的供体元件,该元件包括支承层;和由该支承层支承并包括含羧酸基团的粘结剂的转移层,该转移层包含羟基浓度小于18mM/g的多个羟基和至少一个连接基团的有机化合物;其中,所述化合物不含任何N,N-二-(2-羟基乙基)酰胺和任何松香酯。2. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,有机化合物不含任何扩展基团。3. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,有机化合物含一个扩展基团。4. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,有机化合物含多个扩展基团。5. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,有机化合物包含至少三个羟基。6. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,有机化合物包含至少四个羟基。7. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,有机化合物包含至少六个羟基。8. 如权利要求1所述的元件,其特征在于,所述至少一个连接基团中的一 个连接基团包括(CH2)4C化学结构。9. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,所述至少一个连接基团中的一 个连接基团包括(CH2) 3CCH20CH2C (CH2) 3化学结构。10. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,有机化合物包括最短连接长度有至少两个原子的连接基团。11. 如权利要求l所述的元件, 度有至少三个原子的连接基团。12. 如权利要求l所述的元件, 度有至少十个原子的连接基团。13. 如权利要求l所述的元件,醇。14. 如权利要求l所述的元件, 支化的多元醇。15. 如权利要求l所述的元件, 支化的多元醇。16. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,有机化合物包括最短连接长其特征在于,有机化合物包括最短连接长其特征在于,有机化合物是高支化的多元其特征在于,有机化合物是包含酯基的高其特征在于,有机化合物是包含醚基的高其特征在于,有机化合物的羟基与粘结剂的羧酸基团的当量比值在0.25:1至4:1范围17. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,粘结剂包括丙烯酸的共聚物。18. 如权利要求l所述的元件,其特征在于,粘结剂包括甲基丙烯酸的共 聚物。19. 一种使用热转移供体元件的方法,该方法包括提供受体元件和热转移供体元件的组装件,所述热转移供体元件包含支承 层;由支承层支承并包含含有羧酸基团的粘结剂的热转移层,转移层包含羟基浓度小于18 mM/g的多个羟基和至少一个连接基团的有机化合物,转移层在至 少一个位置与受体元件接触;使用激光,依据图案对组装件成像,提供使用过的供体元件和包含转移层图案的成像受体元件的成像的组装件;和将使用过的供体元件与包含转移层图案的成像受体元件分离;其中,所述有机化合物不含任何N, N-二-(2-羟基乙基)酰胺和任何松香酯。20. 如权利要求19所述的方法,该方法还包括 将成像受体元件的转移层加热至高于8(TC,保持IO分钟以上。21. 如权利要求19所述的方法,该方法还包括 对成像受体元件的转移层加热至高于160°C,保持IO分钟以上。22. 如权利要求19所述的方法团。23. 如权利要求19所述的方法24. 如权利要求19所述的方法25. 如权利要求19所述的方法基。26. 如权利要求19所述的方法基。27. 如权利要求19所述的方法基。28. 如权利要求19所述的方法 (CH^C化学结构。29. 如权利要求19所述的方法 (CH2) 3CCH2OCH2C (CH2) 3化学结构。30. 如权...
【专利技术属性】
技术研发人员:GC威德,CK钱德拉赛卡兰,TK福曼,
申请(专利权)人:EI内穆尔杜邦公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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