有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件制造技术

提供元件发光效率得到改善、充分确保驱动稳定性并且具有简单的 结构的有机场致发光元件(有机EL元件)。本发明专利技术的有机EL元件为在 基板上叠层设置的阳极和阴极之间具有发光层的有机场致发光元件，该 发光层含有磷光发光性掺杂剂和吲哚并咔唑衍生物作为主体材料。作为 吲哚并咔唑化合物，可以例示以上式(2)或(3)表示的化合物。式中， X为N或CH，X的至少1个为N，Ar1～Ar3为可以具有取代基的芳香族基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件(以下称为有机EL元件)，更详细地说，涉及通过同时使用磷光发光 掺杂剂和具有特定结构的主体化合物而显示高亮度率的有机EL元件。
技术介绍
一般地说，有机EL元件最简单的结构是由发光层和夹持该层的一 对对向电极构成。即，对有机EL元件而言，利用如下现象在两电极 间施加电场时，电子从阴极注入，空穴从阳极注入，它们在发光层中 再结合能级从传导带返回价电子带时发出作为能量的光。近年来已开始进行使用了有机薄膜的EL元件的开发。特别是为了 提高发光效率，以提高来自电极的载流子的注入效率为目的，对电极 种类进行了最优化，通过开发将由芳香族二胺形成的空穴传输层和由 8-羟基喹啉铝络合物(以下称为Alq3)形成的发光层作为薄膜设置在 电极间的元件，与以往使用了蒽等的单晶的元件相比大幅度改善了发 光效率，因此以向具有自发光、高速响应性特征的高性能平板的实际 应用为目标而不断发展。另外，作为提高元件发光效率的尝试，还在研究使用不是荧光而 是磷光。以上述设置了由芳香族二胺形成的空穴传输层和由Alq3形成 的发光层的元件为首的很多元件利用了荧光发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
下述通式（１）表示的有机场致发光元件用化合物，　＊＊＊　其中，环Ａ表示与邻接环在任意位置稠合的由式（１ａ）表示的杂环，Ｘ表示ＣＨ或Ｎ，Ｘ中至少一个为氮原子，Ａｒ↓［１］～Ａｒ↓［３］独立地表示非稠环结构的取代或未取代的芳族烃基或 芳族杂环基，Ａｒ↓［２］或Ａｒ↓［３］任选地与含有Ｘ的环形成稠合环，Ｒ表示氢或１价的取代基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.11.9 JP 303733/20061. 下述通式(1)表示的有机场致发光元件用化合物，其中，环A表示与邻接环在任意位置稠合的由式(1a)表示的杂环，X表示CH或N，X中至少一个为氮原子，Ar1～Ar3独立地表示非稠环结构的取代或未取代的芳族烃基或芳族杂环基，Ar2或Ar3任选地与含有X的环形成稠合环，R表示氢或1价的取代基。2. 权利要求1所述的有机场致发光元件用化合物，其中，通式(l) 中，R独立地为氢或烷基、芳烷基、烯基、炔基、氰基、二烷基氨基、 二芳基氨基、二芳烷基氨基、氨基、硝基、酰基、烷氧基羰基、羧基、 烷氧基、烷基磺酰基、卣代烷基、羟基、酰氨基、取代或未取代的芳族 烃基或芳族杂环基。3. 权利要求1所述的有机场致发光元件用化合物，其中，通式(1) 中，R独立地为氬、取代或未取代的碳原子数为5~18的芳族烃基或碳 原子数为3~17的芳族杂环基。4. 权利要求1所述的有机场致发光元件用化合物，其中，通式(l) 中，Ari~ Ar3独立地为取代或未取代的苯基、或取代或未取代的碳原子 数为2~5的芳族杂环基。5. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：甲斐孝弘，古森正树，山本敏浩，
申请(专利权)人：新日铁化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP