【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种同步晶化制备无基底的Ti02纳米管/线复合阵列透明薄膜的方法。
技术介绍
自1991年Iijima发现碳纳米管以来，管状结构纳米材料因其独特的物理化学性 能，在微电子、应用催化和光电转换等领域展现出良好的应用前景。在Zwilling等人通过 阳极氧化制备TW2多孔薄膜的基础上，2001年Grimes教授领导的科研小组首次在低电压 下用含有氢氟酸的电解液成功制备出了分布均勻、排列整齐有序的TW2纳米管阵列。TW2 纳米管阵列在氢气敏传感器、光解水制氢、染料敏化太阳能电池等方面均具有很好的应用 前景，引起了广泛关注。目前TiO2纳米管阵列主要通过阳极氧化的方法制备。阳极氧化制 备方法的研究集中在通过调整和优化阳极氧化的参数在钛箔上直接氧化得到不同性能的 TiO2纳米管阵列。但是所制TW2纳米管都是基于钛箔上，这将大大限制TW2纳米管的应 用由于纳米管底部存在0. I-Imm厚度的不透明钛金属，且不易除去，用于太阳能电池只能 采用背光照射，使效率降低；容易使一些器件(如气体传感器)造成短路，也限制了在透明 光学器件(如染料敏化太阳能电池、电致变色器件)的应用，也不适合于微型化器件的组 装；其次，在振动的环境下，以钛箔为基底的器件容易因为缺乏机械强度而失效。
技术实现思路
本专利技术目的就是提供一种同步晶化制备无基底的TiA纳米管/线复合阵列透明 薄膜的方法，该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；同时用该法制备的薄膜没有基底、 透明，更适宜作为太阳能电池、超级电容器等材料。本专利技术实现其专利技术的目所采用的技术方案是一种同步晶化制备无基底的11...
【技术保护点】
一种同步晶化制备无基底的ＴｉＯ↓［２］纳米管／线复合阵列透明薄膜的方法，其具体作法是：ａ、钛箔的预处理将０．２－０．３ｍｍ厚、纯度≥９９．６％的纯钛箔放入丙酮中进行２５－４０分钟、５０－２００Ｈｚ的超声清洗；取出、风干后放入按浓硫酸２５－４０ｍｌ／Ｌ，氢氟酸１５－４０ｍｌ／Ｌ，冰乙酸６０－１００ｍｌ／Ｌ比例配置的抛光液中；以９－１１ｖ的恒流直流电进行１０－２０分钟电化学抛光；ｂ、阳极氧化以０．２５－０．３０ｗｔ％ＮＨ４Ｆ的乙二醇溶液为电解液、ａ步得到的钛箔为阳极，铂箔为阴极，铂箔的面积≥钛箔面积，两电极间距离为３－４ｃｍ，电压恒定为６０－７０Ｖ，电解液温度控制在６５－７５℃、磁力搅拌下，反应时间为５－７小时，即得。
【技术特征摘要】
1. 一种同步晶化制备无基底的TiA纳米管/线复合阵列透明薄膜的方法，其具体作法是a、钛箔的预处理将0. 2-0. 3mm厚、纯度彡99. 6 %的纯钛箔放入丙酮中进行25-40分钟、50_200Hz的超 声清洗；取出、风干后放入按浓硫酸25-40ml/L，氢氟酸15_40ml/L，冰乙酸60_100ml/L比例 配置的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨峰，蔡芳共，赵勇，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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