用于可选择电压供应的方法及设备技术

本发明专利技术呈现一种从多个电压供应中选择供应电压的电路。所述电路包括：第一晶体管，其经配置以选择第一电压供应；第二晶体管，其经配置以选择第二电压供应；第一寄生电流禁止器，其耦合所述第一晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第一寄生电流禁止器自动利用提供最高电压的电压供应以用于防止衬底电流流经所述第一晶体管的体节点；及第二寄生电流禁止器，其耦合所述第二晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第二寄生电流禁止器自动利用提供所述最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第二晶体管的体节点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体来说涉及电压供应电路，且更明确地说，涉及可从多个不同 电压供应选择具有所要值的电压供应的集成电路电压供应。
技术介绍
随着集成电路制造技术持续减小为深亚微米工艺，用于由所述技术制成的供电装 置的供应电压持续减小。此外，为了延长用于便携式装置(例如，移动终端)的电池寿命， 存在降低功率消耗的强烈激励。为实现此目的，可存在关于在芯片上具有多个电压供应的激励原因，可经由一个 或一个以上选择信号来选择所述多个电压供应中的每一者。举例来说，具有可选择电压供 应以便符合或超过电路性能规格可能是有用的。同样，针对特定电路而在两个或两个以上 供应之间选择进而根据操作模式选择、或可能减少功率消耗可能是有用的。此做法可涉及 可编程芯片上切换器以选择所要电压。为正确操作，所述切换器应能够处置不同供应的不 同电压及不同开启/关闭时间。如果未适当考虑时序，则大衬底电流可能流动且导致装置 的锁定。常规可选择电压供应可使用通过大的PMOS晶体管实施的切换器。如果供应之间 的电压差是大的，则PMOS晶体管的寄生二极管可导电。此情形可引起大的寄生电流，所述 大的寄生电流可导致晶体管装置的多种击本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从多个电压供应中选择供应电压的电路，其包含：第一晶体管，其经配置以选择第一电压供应；第二晶体管，其经配置以选择第二电压供应；第一寄生电流禁止器，其耦合到所述第一晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第一寄生电流禁止器自动利用提供最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第一晶体管的体节点；以及第二寄生电流禁止器，其耦合到所述第二晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第二寄生电流禁止器自动利用提供所述最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第二晶体管的体节点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-11-5 11/935,186一种从多个电压供应中选择供应电压的电路，其包含第一晶体管，其经配置以选择第一电压供应；第二晶体管，其经配置以选择第二电压供应；第一寄生电流禁止器，其耦合到所述第一晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第一寄生电流禁止器自动利用提供最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第一晶体管的体节点；以及第二寄生电流禁止器，其耦合到所述第二晶体管、所述第一电压供应及所述第二电压供应，其中所述第二寄生电流禁止器自动利用提供所述最高电压的所述电压供应以用于防止衬底电流流经所述第二晶体管的体节点。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一寄生电流禁止器将所述最高电压施加到 所述第一晶体管的所述体节点，且所述第二寄生电流禁止器将所述最高电压施加到所述第 二晶体管的所述体节点。3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一寄生电流禁止器进一步包含第三晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到所述 第一晶体管的所述体节点的源极节点；以及第四晶体管，其具有连接到所述第二电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到所述 第三晶体管的所述源极节点的源极节点。4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第三及第四晶体管为η-沟道晶体管。5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二寄生电流禁止器进一步包含第五晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的栅极节点、连接到所述第二电压供应 的源极节点及连接到所述第二晶体管的所述体节点的漏极及体节点；以及第六晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的漏极节点及栅极节点、连接到所述第 五晶体管的所述漏极节点的源极节点。6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第五晶体管为ρ-沟道晶体管且第六晶体管为 η-沟道晶体管。7.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一晶体管为P-沟道晶体管，其具有连接到所述第一电压供应的源极节点、耦合 到所述第一寄生电流禁止器的所述体节点、耦合到输出节点的漏极节点及接收第一电压选 择信号的栅极节点，且进一步其中所述第二晶体管为P-沟道晶体管，其具有连接到所述第二电压供应的源极节点、耦合 到所述第二寄生电流禁止器的所述体节点、耦合到所述输出节点的漏极节点及接收第二电 压选择信号的栅极节点。8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一晶体管在所述第一电压选择信号为开启状态时完成所述第一电压供应与所 述输出节点之间的电流路径；以及所述第二晶体管在所述第二电压选择信号被设定处于开启状态时完成所述第二电压 供应与所述输出节点之间的电流路径。9.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路将选自多个电压供应的供应电压提供到 移动终端中的一个或一个以上组件。10.根据权利要求9所述的电路，其中所述所选择的供应电压被提供到所述移动终端 内的正交调制器与可变增益放大器单元内的变压器的初级侧。11.根据权利要求9所述的电路，其中所述所选择的供应电压被提供到所述移动终端 内的低噪声放大器、降频转换器或压控振荡器中的至少一者。12.一种用于减轻可选择电压供应中的寄生电流的电路，其包含第一 η-沟道晶体管，其具有连接到第一电压供应的漏极节点及栅极节点，其中所述第 一 η-沟道晶体管在所述第一电压供应有效时耦合第一供应切换晶体管的体节点及源极节 点；以及第二 η-沟道晶体管，其具有连接到第二电压供应的漏极节点及栅极节点以及连接到 所述第一 η-沟道晶体管的所述源极节点的源极节点，其中所述第二 η-沟道晶体管在所述 第一电压供应无效时将反向偏压施加到所述第一供应切换晶体管。13.根据权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科卡西亚，阿里斯托泰莱哈吉克里斯托，康纳多诺万，李桑奥，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]