常温接合方法及常温接合装置制造方法及图纸

一种常温接合方法，是将多个基板隔着中间件在常温下接合的方法，包括物理溅射多个靶从而在所述基板的被接合面上形成所述中间件的工序和将被接合面用离子束活性化的工序。这种情况下，优选是物理溅射由多种材料构成的靶。从基板的被接合面看，由于从沿各种方向配置的多个靶溅射中间件的材料，因而能够往所述被接合面上均匀地形成中间件。再有，由于以多种材料形成中间件，因此无需接合时的加热和过度压接而能够实现由单一种类材料形成中间件时很难接合的基板彼此的常温接合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及常温接合方法及常温接合装置。特别是涉及采用中间件将 基板常温接合的方法及装置。
技术介绍
利用表面活性法进行的常温接合方法的基本
技术实现思路
在特公昭62 — 22712 (专利第1422397号)、专利第2791429号中有揭示。可是，也有一 些利用该方法也很难常温接合的材料，关于那种情况的接合方法在以下各 文献中进行了揭示。例如，向被接合面照射Ar等离子和原子束，不仅去除被接合面的污 染层，而且在将被接合面活性化后，还在被接合面上形成活性的超微粒子 膜。此时，作为活性层的形成法，是对靶材进行溅射，在对方侧的被接合 面形成活性的超微粒子膜。可是，由于超微粒子膜的密度低，从而，优选 是加热以提高接合时的烧结性(特开平6—99317号公报)。另外，通过采用活性的Ti和Cr等作为中间层，从而能够在各种材料 上形成具有良好密接性的各种金属膜。利用它可以在采用表面活性法的直 接接合中无法获得足够强度的类似Si02这样的材料表面形成金属膜，从 而也能够期待这些材料接合性的提升等。作为这些材料的例子可举出Si、 Si02、LiNb03，作为中间层的材料还可举出Pt。(机械技术研究所报告本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种常温接合方法，是将多个基板隔着中间件在常温下接合的方法，其特征在于，包括：　物理溅射多个靶从而在所述基板的被接合面上形成所述中间件的工序；和　利用物理溅射将所述基板的被接合面活性化的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤崇之，内海淳，井手健介，高木秀树，船山正宏，
申请(专利权)人：三菱重工业株式会社，独立行政法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]