LED半导体本体制造技术

提出了一种具有半导体层序列的ＬＥＤ半导体本体，该半导体层序列包括用于产生辐射而设计的量子结构，该量子结构带有至少一个量子层和至少一个势垒层，其中量子层和势垒层以彼此相反的符号而应变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种LED半导体本体，其设计用于产生辐射。本专利申请要求德国专利申请102006035627.6的优先权，其公开内容通过引用结合于此。在LED半导体本体中，内部量子效率、即半导体本体内产生的光子与注入半导体本体内的电子-空穴对的比例常常明显小于理想值1。本专利技术的任务是，提出一种带有改进的特性的LED半导体本体。特别地，应当提高内部量子效率以及减小在LED半导体本体的工作中发射的辐射的频谱宽度。此外，在大工作电流情况下应当改善所发射的辐射的功率在工作电流方面的线性。该任务借助带有独立权利要求1的特征的LED半导体本体来解决。在根据本专利技术的LED半导体本体的一个实施形式中，LED半导体本体具有半导体层序列，该半导体层序列包括用于产生非相干的辐射而设计的量子结构，该量子结构带有至少一个量子层和至少一个势垒层。在此，量子层和势垒层以彼此相反的符号(Vorzeichen)而应变(verspannt)。因为势垒层具有应变，该应变具有与量子层的应变相反的符号，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ半导体本体（１），具有半导体层序列，该半导体层序列包括为产生非相干的辐射而设计的量子结构（２），该量子结构带有至少一个量子层（３）和至少一个势垒层（４），其中所述量子层（３）和势垒层（４）以彼此相反的符号而应变。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2006-7-31 102006035627.61.一种LED半导体本体(1)，具有半导体层序列，该半导体层序
列包括为产生非相干的辐射而设计的量子结构(2)，该量子结构带有
至少一个量子层(3)和至少一个势垒层(4)，其中所述量子层(3)
和势垒层(4)以彼此相反的符号而应变。
2.根据权利要求1所述的LED半导体本体，其中所述LED半导体
本体(1)实施为薄膜半导体本体。
3.根据权利要求1或2所述的LED半导体本体，其中所述量子层
(3)是压应变的而所述势垒层(4)是张应变的。
4.根据权利要求1至3中的至少一项所述的LED半导体本体，其
中所述势垒层(4)的应变在数值上小于所述量子层(3)的应变。
5.根据权利要求4所述的LED半导体本体，其中所述势垒层(4)
的应变的数值是在所述量子层(3)的应变的数值的0.2至0.67倍之间
的值，其中包含端点值，优选的是在0.33至0.5倍之间的值，其中包含
端点值。
6.根据权利要求1至5中的至少一项所述的LED半导体本体，其
中所述势垒层(4)的厚度与所述量子层(3)的厚度的比例大于或等于
1，优选大于或等于1.5，特别优选的是大于或等于2.5。
7.根据权利要求1至6中的至少一项所述的LED半导体本体，其
中所述势垒层(4)的厚度为5nm或更大，优选为10nm或更大，特别
优选为20nm或更大。
8.根据权利要求1至7中的至少一项所述的LED半导体本体，其
中所述量子层(3)包含InyGa1-yAs，其中0≤y≤0.5，优选的是0.05≤y≤0.3，
特别优选的是0.1≤y≤0.2。
9.根据权利要求1至8中的至少一项所述的LED半导体本体，其
中所述应变的势垒层(4)包含AlxGa1-xAs1-zPz，其中0.01≤x≤1，优选的
是0.1≤x≤0.6，特别优选的是0.2≤x≤0.4和/或0.01≤z≤0.5，优选的是
0.03≤x≤0.3，特别优选的是0.05≤x≤...

【专利技术属性】
技术研发人员：G格罗宁格，C琼，P海德博恩，A贝雷斯，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]