【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说涉及电子电路,且更明确地说,涉及一种放大器。
技术介绍
放大器通常用以放大输入信号以获得具有所要信号电平的输出信号。可获得各种类型的放大器且包括电压放大器、电流放大器等。电压放大器接收并放大输入电压信号且提供输出电压信号。电流放大器接收并放大输入电流信号且提供输出电流信号。电压放大器与电流放大器通常具有不同设计且用于不同应用中。放大器可经设计以实施特定传递函数,所述传递函数可视使用放大器的应用而定。各种电路元件(例如,晶体管、电阻器、电容器等)可用以实施传递函数。需要设计放大器以获得传递函数,同时最小化成本、大小、功率等。
技术实现思路
本文描述一种具有缓慢高增益路径及快速低增益路径的双路径电流放大器。所述快速低增益路径为具有低增益及宽带宽的信号路径。所述缓慢高增益路径为相对于快速低增益路径具有高增益及低带宽的信号路径。缓慢高增益路径及快速低增益路径可通过下文所描述的各种电路设计来实施。双路径电流放大器可用于各种应用,例如,锁相环路(PLL),其具有两个控制路径以实现宽的调谐范围及良好的PLL环路动态特性。在双路径电流放大器的一个设计中,缓慢高增益路径具有大于一的增益及由缓慢高增益路径中的极点所确定的带宽。缓慢高增益路径通过具有小于一的环路增益的正反馈环路来实施。快速低增益路径具有单位增益及由快速低增益路径中的电路元件的寄生效应所确定的宽带宽。缓慢高增益路径接收输入电流且提供第一电流。快速低增益路径也接收输入电流且提供第二电流。加法器(例如,电流求和节点)将第一电流与第二电流相加且提供双路径电流放大器的输出电流。在一个设计中,双路径电流放大 ...
【技术保护点】
一种设备,其包含:缓慢高增益路径,其具有正反馈环路且经配置以接收输入电流并提供第一电流;快速低增益路径,其经配置以接收所述输入电流并提供第二电流;以及加法器,其经配置以将所述第一电流与所述第二电流相加并提供输出电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-10-3 11/866,8511.一种设备,其包含:缓慢高增益路径,其具有正反馈环路且经配置以接收输入电流并提供第一电流;快速低增益路径,其经配置以接收所述输入电流并提供第二电流;以及加法器,其经配置以将所述第一电流与所述第二电流相加并提供输出电流。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述快速低增益路径具有单位增益及由所述快速低增益路径中的电路元件的寄生效应所确定的宽带宽。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述缓慢高增益路径具有大于一的增益及由所述缓慢高增益路径中的极点所确定的带宽。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述缓慢高增益路径包含:加法器,其经配置以将所述输入电流与所述第一电流相加并提供第三电流,以及电路,其经配置以接收所述第三电流并提供所述第一电流,所述加法器及所述电路实施所述正反馈环路。5.根据权利要求4所述的设备,其中所述电路具有小于一的增益及预定频率处的极点。6.一种方法,其包含:通过具有正反馈环路的缓慢高增益路径处理输入电流以获得第一电流;通过快速低增益路径处理所述输入电流以获得第二电流;以及将所述第一电流与所述第二电流相加以获得输出电流。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述通过所述缓慢高增益路径处理所述输入电流包含:将所述输入电流与所述第一电流相加以获得第三电流,以及根据具有小于一的增益及特定频率处的极点的传递函数来处理所述第三电流以获得所述第一电流。8.根据权利要求6所述的方法,其中所述通过所述快速低增益路径处理所述输入电流包含镜射所述输入电流以获得所述第二电流。9.一种设备,其包含:用于通过具有正反馈环路的缓慢高增益路径处理输入电流以获得第一电流的装置;用于通过快速低增益路径处理所述输入电流以获得第二电流的装置;以及用于将所述第一电流与所述第二电流相加以获得输出电流的装置。10.根据权利要求9所述的设备,其中所述用于通过所述缓慢高增益路径处理所述输入电流的装置包含:用于将所述输入电流与所述第一电流相加以获得第三电流的装置,以及用于根据具有小于一的增益及特定频率处的极点的传递函数来处理所述第三电流以获得所述第一电流的装置。11.根据权利要求9所述的设备,其中所述用于通过所述快速低增益路径处理所述输入电流的装置包含用于镜射所述输入电流以获得所述第二电流的装置。12.一种集成电路,其包含:第一电流反射镜,其经配置以实施双路径电流放大器的快速低增益路径;以及第二电流反射镜,其耦合到所述第一电流反射镜,所述第一及第二电流反射镜经配置以实施所述双路径电流放大器的缓慢高增益路径。13.根据权利要求12所述的集成电路,其中所述第一电流反射镜包含:第一晶体管,其以二极管配置耦合且经配置以接收输入电流,以及第二晶体管,其与所述第一晶体管并联耦合并提供镜射所述输入电流的输出电流。14.根据权利要求13所述的集成电路,其中所述第一与第二晶体管具有相等尺寸,...
【专利技术属性】
技术研发人员:全孝宏,马尔奇奥佩德拉利诺伊,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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