【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于半导体芯片制造的切片及芯片键合带，具体而言，本 专利技术涉及贴合在半导体晶片上且在切片时和芯片键合时使用的切片及芯片 键合带以及使用该切片及芯片键合带的半导体芯片制造方法。
技术介绍
传统上，为了将半导体芯片从半导体晶片上切下并安装在基板等上， 使用芯片键合带。芯片键合膜的一面上贴合有半导体晶片，芯片键合膜的 相反面上贴合有切片膜。在切片时，半导体晶片被连同芯片键合膜一起切 片。在切片后，芯片键合膜从贴合有半导体芯片的切片膜上剥离，半导体 芯片被连同芯片键合膜一起取出。这样，半导体芯片从芯片键合膜侧被安 装在基板上。在切片时，为了稳定地进行切片，半导体晶片必须牢固地贴合在切片 膜上。与此相对，在切片后对半导体芯片进行拾取时，半导体芯片或贴合 有半导体芯片的芯片键合膜必须要能够无阻碍地从切片膜上剥离。因此， 已知有使用通过紫外线、放射线或光等的照射进行固化的粘合剂的切片膜 或切片及芯片键合膜。使用这种切片膜或切片及芯片键合膜时，在切片后 照射紫外线、放射线或光等使粘合剂固化，这样来降低粘合力。例如，在下述专利文件1中公开了在膜状粘合剂层的一面上层...
【技术保护点】
切片及芯片键合带，其用于对晶片进行切片来得到半导体芯片，并对半导体芯片进行芯片键合，其中， 该切片及芯片键合带包括芯片键合膜和贴附于该芯片键合膜的一面上的非粘性膜， 所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剥离强度为１～６Ｎ／ｍ的范围 ，并且所述芯片键合膜与所述非粘性膜之间的剪切强度为０．３～２Ｎ／ｍｍ↑［２］。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部功治，正原和幸，松田匠太，福冈正辉，竹部义之，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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