有机辐射发射构件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机辐射发射构件如有机发光二极管（ＯＬＥＤ），其包括至少两个电极层和位于它们之间的至少一个含磷光三重态发射体以及磷光金属配合物的有机自发射层。该辐射发射层含嵌于基质中的金属配合物，优选为过渡金属配合物，并含至少一个经取代的或未经取代的胍基配体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机辐射发射构件本专利技术涉及一种有机辐射发射(strahlungsemittierend)构件如有机发光二极管(OLED)，其包括至少两个电极层和它们之间的至少一个含三重态发射体的有机辐射发射 层以及适于此的磷光金属配合物。该专利申请要求德国专利申请10 2007 046 445. 4,10 2008 0159 40. 9,10 2008 006 113. 1和10 2008 004 471. 7的优先权，其公开内容通过参考形式引入本文中。该专利 申请还要求国际专利申请PCT/DE2008/000868的优先权，其中涉及含胍阴离子的配合物或 具有含阴离子的胍基的配体的配合物的公开内容通过参考形式引入本文中。现有技术提供了大量发红光和/或绿光的OLED。辐射和可接受深蓝、浅蓝和/或 蓝绿光的OLED由于经济上有益的寿命而是难得的。Cotton等指出，hpp-配体(1，3，4，6，7，8_六氢_2H_嘧啶并嘧啶的阴离子 = Hhpp)具有通过其极高的碱性来稳定处于高氧化态的配合物的特别能力(F. A. Cotton， L. Μ. Daniels, C. A. Murillo, D. J. Timmons, C. C. Wilkinson, J. Am. Chem. Soc. 2002,124, 9249-9256，以及 Tab. 3，来自 F. A. Cotton, N. Ε. Gruhn, J. Gu, P. Huang, D. L. Lichtenberger, C. A. Murillo, L. 0. van Dom, C. C. Wilkinson ； ,, Closed-Shell Molecules That Ionize More Readily ThanCesium “，Science 卷 298 (2002) 1971.)。本专利技术的目的在于提供一种改进型的0LED。本专利技术的主题在于一种辐射发射的有机构件，其具有衬底、至一层下电极层、至少 一个有机的辐射发射层和其上的至少一个上电极层，其中在发射层中，在基质中含至少一 种辐射发射性金属配合物，该金属配合物具有至少一个经胍_阴离子_基团配位于中心原 子的配体。下面这种为胍-阴离子或含阴离子的胍基的配体也被称为胍基(Guanidinat) 配体。有利的是该嵌入发射层基质中的金属配合物含至少一个其含由胍衍生的阴离子 结构单元，即下列胍_阴离子基团，的阴离子配体<formula>formula see original document page 3</formula>该胍基配体可以是经取代的或未经取代的。由上述的Cotton等人的科学论文还已知其它具有低的电离焓的金属配合物。这 类金属配合物至今用于有机半导体材料的η-掺杂。在取自Cotton等人的所述文章的下表 中示出其上键合有所谓“hpp”配体、“桨轮”配体的这类金属配合物的选择实例。表3 低于5ev的原子和化学制备和分离的分子的第一电离。文中讨论了以分子 束技术检测的瞬态和低温态物种。所有的双核分子具有闭壳层单重态(singlet) σ 2Ji4 δ 2 构型。<table>table see original document page 4</column></row><table>令人意外地表明，具有那里所公开的“hpp”_配体的金属配合物和通常具有胍 基-配体的金属配合物在有机发光二极管的发射体系或发射层中导致有效的短波发射， 并也表现出足够的稳定性。该发射体例如适于红光辐射、橙光辐射、黄光辐射、绿光辐射、 蓝光辐射和紫光辐射的发射。特别也要提及发射深蓝光(小于约450nm)、浅蓝光(约 450nm-500nm)和/或蓝绿光(大于约500nm)的发射体。在这些金属配合物中，除含上述的 胍基_配体外还可含一个或多个(相同的或不同的)其它配体(下面称为共配体)。有利的是，该金属配合物含过渡金属原子或镧系元素作为中心原子，特别是元素 周期表中的第7、8、9、10或11族的过渡金属，优选Ir、Pt、Au、Re、Rh、Ru、Os、Pd、Ag、Zn ；特 别优选是铱、钼和金。其中也可键合多于一个经取代或未经取代的胍基-配体。下面以hpp-配体示例性示出根据本专利技术可能的该胍基_配体在金属中心上的键 合可能性。该配体可仅配位到金属中心上或起桥接作用。在本专利技术意义上，也可是混合的 变型方案，其中hpp-配体呈双齿键合在第一金属原子上，而另一桥接在第一金属原子和第 二金属原子上。<image>image see original document page 4</image>其它的配体其它的配体<formula>formula see original document page 5</formula>该金属原子的配位层可能通过另外的任意共配体，特别是也由胍结构衍生的配体 补足。按本专利技术，不仅含hpp-配体的配合物本身在辐射发射体构件的发射层中经证实 是有利的，而且具有以各种方式改性的胍基基础结构的配体也是特别有利的。至今，所述胍基_配体未用于发射体体系，因为存在一种科学上的见解，即非完全 共轭(nicht voll durchkonjugiert)的配体如含胍基的配体不适合于发射体体系。完全 共轭的(voll durchkonjugiert)配体在此意指含至少一种芳族化合物和/或多个共轭双 键的配体。与此不同，按本专利技术证实，胍基-配体可在有机金属磷光发射体中起稳定作用，虽 然在其中不存在共轭体系(durchkonjugiertes System)。因此，本专利技术的胍基-配合物的 发射波长也可由共配体确定。此外还证实，胍基_配体使得发射性配合物相对于电子稳定。 该胍基_配体还可含继续配位到另外的金属原子上的其它取代基。然后形成多核配合物。所以在嵌入发射层的基质中的金属配合物含至少一个具有下列通式结构的阴离 子配体<formula>formula see original document page 5</formula>通过改变残基Ri、R2、R3和R4可产生适于本专利技术构件中的发射体体系的各类配体。 R^RyR3和R4可各自独立地为H，非支链的(如甲基、乙基)、支链的、稠合的(如十氢萘基) 和环状的(如环己基)烷基、芳基、芳族化合物、稠合的芳族化合物、杂环和稠合的杂环以及 任选地完全或部分经取代的烷基、芳族化合物、稠合的芳族化合物、杂环和稠合的杂环。此外，基团R1和R4和/或基团R2和R3 (和任选地还有R3和R4)可相互结合，特别 是表示亚烷基桥接，以致形成环，特别可以是5-元环成6-元环。该烷基和亚烷基可含醚基 (乙氧基、甲氧基、丙氧基等)、酯基、酰胺基、碳酸酯基等。如上所述的，R1^ R2、R3和R4不限 于饱和体系，而可含有或表示下列残基经取代或未经取代的芳族化合物或杂环。作为芳族 化合物特别要提及苯基、联苯基、萘基、菲基等或苄基等。可用的杂环的汇总如下<formula>formula see original document p本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机的辐射发射构件，其包括衬底（１）、至少一个下电极层（２）、至少一个有机的辐射发射层（５）和设置于其上的上电极层（９），其中，该辐射发射层（５）具有基质，在该基质中含至少一种辐射发射性金属配合物，该金属配合物具有至少一个经取代或未经取代的胍基－配体，该胍基－配体经胍－阴离子基团配位到在该金属配合物中所含的中心原子上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G施米德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]