一种基于γ５１的电光调制器及实现方法技术

本发明专利技术涉及一种基于γ５１电光调制器及实现制备方法，将电光晶体沿切割面（０１０）分割为三个ｘ１、ｘ２、ｘ３主轴，二个偏振片分别放置在电光晶体的切割面（０１０）两侧，且二个偏振片的偏振化方向分别与ｘ１、ｘ３轴成４５度夹角，信号源沿ｘ１方向施加电场Ｅ，ｘ｀１、ｘ｀２、ｘ｀３为在沿ｘ１方向施加电场Ｅ后的折射率椭球主轴。本发明专利技术采用调整两偏振片的夹角消除自然双折射引起的位相变化在一种在小信号情况下，调制的光强度随调制信号强度线性变化的电光调制器。采用本发明专利技术提供的方案可以实现半波电压低于０．５Ｖ的电光调制器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电光调制器及实现方法，具体是利用KTahNbxO3或BaTiO3等晶体 材料的巨大电光系数Y51参数来实现电光调制，线性电光系数Y51参数引起的电光效应等 效于一种二次电光效应。
技术介绍
当晶体加上电场后，该晶体的折射率会发生变化，若折射率的变化正比于电场强 度，则为泡克耳斯效应(线性电光效应)。线性电光效应存在于20种无对称中心的晶体中， 常用的电光晶体有2类KDP类晶体属四方晶系D2d-i2m点群，铌酸锂(LiNbO3)类晶体是 三方晶系:3m点群。这两类电光晶体被广泛的用在光通信中电光调制、光开关、激光调Q、光 束的偏转等场合。在实际使用过程中，32m类电光晶体利用的参数是Y63，:3m类晶体LiNbO3 电光晶体的有效电光系数为( / )3y33-Y13。由于折射率的变化与外加电压成正比，因此电光强度调制器的输出特性与外加电 压的关系是非线性的，需要在调制晶体上除了施加信号电压之外，再附加一个νλ/4的固定 偏压，或者在调制器的光路上插入一个1/4波片来解决。前者会增加电路的复杂性，而且工 作点的稳定性也差；后者的需要增加1/4波片，使得电光强度调制器只本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于γ↓［５１］的电光调制器，包括二个偏振片、信号源、正交晶系Ｃ２ｖ－ｍｍ２、四方晶系Ｄ４ｄ－４ｍｍ或六方晶系Ｃ６ｖ－６ｍｍ的电光晶体，其特征在于：将正交晶系Ｃ２ｖ－ｍｍ２、四方晶系Ｄ４ｄ－４ｍｍ或六方晶系Ｃ６ｖ－６ｍｍ的电光晶体沿切割面平行于三个ｘ↓［１］、ｘ↓［２］、ｘ↓［３］主轴分割，且ｘ↓［１］、ｘ↓［２］、ｘ↓［３］分别为电光晶体的折射率椭球的主轴，二个偏振片分别放置在正交晶系Ｃ２ｖ－ｍｍ２、四方晶系Ｄ４ｄ－４ｍｍ或六方晶系Ｃ６ｖ－６ｍｍ的电光晶体的切割面（０１０）两侧，且二个偏振片的偏振化方向分别与ｘ↓［１］、ｘ↓［３］轴成４５度夹角，信号源沿ｘ↓［１］方向施加电场Ｅ，ｘ｀↓［１］...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周幼华，邵亮，
申请(专利权)人：江汉大学，武汉远澄科技有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]