处理方法和半导体装置制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了在接收／传送室中能够抑制异物在处理对象物上的粘附的处理方法。本发明专利技术还提供了使用这种处理方法制造半导体装置的方法。所述处理方法包括下列步骤：在加载锁定室（衬底加载锁定室）中接收衬底的步骤（图３中的步骤（Ｓ２１）），所述加载锁定室用于将所述衬底载入到对衬底即处理对象物进行处理的处理室中；和降低所述衬底加载锁定室（３）的内部压力的步骤（图３中的步骤（Ｓ２３））。在降低内部压力的步骤（Ｓ２３）中，以相对低的速度、然后以相对高的速度降低压力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及处理方法和半导体装置的制造方法。更特别地，本专利技术涉及抑制异物 粘附至通过加载锁定室载入到处理室的处理对象物的处理方法，和半导体装置的制造方法。
技术介绍
在对工件对象物如半导体衬底进行各种处理(例如，在半导体衬底上的膜淀积、 蚀刻等)的处理设备中，在相关过程期间粘附至处理对象物表面的污染物(粒子等)在处 理质量方面成为问题。已常规地提出各种处理方法来防止这种异物粘附(例如，参见特开 2005-116823号公报(在下文称作专利文献1)和特开2005-079250号公报(在下文称作专 利文献2))。为了防止在通过传送臂传送对象物时异物粘附至处理对象物(处理对象物)，专 利文献1涉及在安装传送臂的区域中通过用离子源使异物带电，并且向处理对象物供以极 性与带电异物的极性相同的DC电压，来防止异物粘附至处理对象物。专利文献2披露了出 于将处理对象物传送至处理设备的目的而使用荚状物(pod)(容器)将处理对象物保持在 内部，并且从用于处理对象物进入的荚状物开口朝向处理对象物导入氮气。专利文献1 特开2005-116823号公报专利文献2 特开2005-079250号公报专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理方法，其包含下列步骤：在加载锁定室（３）接收所述处理对象物（１３）的步骤（Ｓ２１），所述加载锁定室（３）用于将处理对象物（１３）载入到对所述处理对象物（１３）进行处理的处理室（２）中，和降低所述加载锁定室（３）的内部压力的步骤（Ｓ２３），所述降低内部压力的步骤包括以相对低的减压速度释放压力，然后以相对高的减压速度释放压力的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田馨，中西文毅，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]