用于电的功率控制的电路装置和冷却装置制造方法及图纸

本发明专利技术实现了一种用于电的功率控制的电路装置，具有：至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０２ａ－２０２ｃ）和至少一个散热装置（１０１ａ－１０１ｃ），其中所述至少一个散热装置（１０１ａ－１０１ｃ）具有与所述至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０２ａ－２０２ｃ）的热接触。散热装置（１０１ａ－１０１ｃ）能够钳位到固定地预先给定的电势（１０３ａ－１０３ｃ）上，并且与所述至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０２ａ－２０２ｃ）电绝缘地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电的功率控制的电子电路装置，以及特别是涉及用于对设置在功率控制装置中的功率半导体器件(例如可控硅元件、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)和功率场效应管(Power-FET))进行散热的 装置。这种功率半导体器件和其他的电路装置或环境之间的接口包括用 于电连接功率半导体器件的电接口和特别是设计用于有效地散热的热 接口，所述热在功率半导体器件工作中产生。特别地，本专利技术涉及一种电路装置，其用于借助功率半导体器件来 进行电的功率控制，该电路装置包括至少一个功率控制装置和至少一个 散热装置，该散热装置具有与所述至少一个功率控制装置的热接触。用于排出在功率控制装置中产生的热量的散热装置特别是考虑到 避免在导热并导电的散热装置和电子部件之间的过大的差电压而设计。现有技术用于电的功率控制的电路装置，在各个电路部件(例如功率半导体 器件)之间以及在器件和相应的散热装置(例如冷却元件)之间具有电 压差，该电压差可能达到高达击穿电压的大的值。在根据现有技术的电路装置中，功率半导体器件设置在散热装置 上，这些散热装置与地相连，并且因此接地或者处于地电势。这种传统 的、用于控制三相交本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于电的功率控制的电路装置，具有：　ａ）至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０２ａ－２０２ｃ）；以及　ｂ）至少一个散热装置（１０１ａ－１０１ｃ），其具有与所述至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０２ａ－２０２ｃ） 的热接触；　其特征在于，　ｃ）所述散热装置（１０１ａ－１０１ｃ）被钳位到固定地预先给定的电势（１０３ａ－１０３ｃ）上，以及　ｄ）所述至少一个散热装置（１０１ａ－１０１ｃ）与所述至少一个功率控制装置（２０１ａ－２０１ｃ，２０ ２ａ－２０２ｃ）电绝缘地被设置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P巴博萨，L梅森克，M温克尔恩肯帕，P斯泰默，
申请(专利权)人：ABB研究有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]