声表面波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种声表面波装置，通过形成ＳｉＯ↓［２］膜，能够谋求改善频率温度特性，并且不易产生插入损耗的增大，电极的反射系数能够得到足够的大小，而且能够抑制不希望的上述乱真信号，由此，能够获得更加良好的谐振特性、滤波器特性。在声表面波装置（１１）中，ＬｉＮｂＯ↓［３］基板（１）的上表面形成了多个沟槽（１ｂ），通过在沟槽（１ｂ）中填充金属形成了ＩＤＴ电极（３），按照覆盖ＬｉＮｂＯ↓［３］基板（１）的上表面（１ａ）和ＩＤＴ电极（３）的方式形成了ＳｉＯ↓［２］层（４），ＳｉＯ↓［２］层（４）的表面被平坦化，利用了基于瑞利波的响应，并ＬｉＮｂＯ↓［３］基板的欧拉角在（０°±５°，１８０°～２４７°，０°±５°）的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种按照覆盖压电基板和IDT电极的方式层叠了 SiOj莫 的声表面波装置，更具体而言，涉及一种通过在压电基板的上表面所形成 的沟槽中填充金属来构成IDT电极的声表面波装置。
技术介绍
在移动电话等移动通信系统所使用的双工机(DPX) 、 RF滤波器中， 需要满足宽频段和良好的温度特性双方。以往，作为DPX、 RF滤波器， 广泛使用声表面波装置。在用于这种用途的声表面波装置中，广泛使用在由LiTa03、 LiNb03 等构成的压电基板上形成有IDT电极的声表面波装置。在LiTa03、 LiNb03 中，频率温度系数TCF具有负值。因此，为了改善温度特性，众所周知有 以下的方法，即在压电基板上按照覆盖IDT电极的方式形成具有正的频率温度系数的Si02膜的方法。但是，在IDT电极的存在电极指的部分和不存在电极指的部分，Si02 膜的表面必然会产生阶梯。于是，由于该阶梯形成的凹凸，有插入损耗劣 化的问题。在下述的专利文献l中，作为解决这样的问题的方法，公开了如下的 方法，SP:在IDT的电极指间形成与电极膜厚相同的第一绝缘物层之后， 按照覆盖IDT电极和第一绝缘物层的方式形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波装置，具有：　压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；　ＩＤＴ电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和　ＳｉＯ↓［２］层，其形成为覆盖所述压电基板和ＩＤＴ电极，并且上表面平坦；　该声表面波装置利用了在所述压 电基板中激励的瑞利波的响应，所述压电基板是欧拉角为（０°±５°，１８０°～２４７°，０°±５°）的ＬｉＮｂＯ↓［３］基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：门田道雄，木村哲也，矢追真理，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]