半导体器件和用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件，其具有：至少一个光学有源第一区域（１１２），用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射（１３０）；以及至少一个光学有源第二区域（１２２），用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射（１３０）。在此，第一区域（１１２）设置在第一层（１１０）中，而第二区域（１２２）设置在第二层（１２０）中，其中第二层（１２０）在发射方向上设置在第一层（１１０）之上，并且具有与第一区域（１１２）关联的第一穿通区域（１２４），该第一穿通区域至少部分对于第一区域（１１２）的电磁辐射（１３０）是能够透射的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件，其具有至少一个光学有源第一区域，用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射；和至少一个光学有源第二区域，用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射。 此外，本申请涉及一种用于制造半导体器件的方法。 带有光学有源区域的半导体器件普遍已知并且使用在许多应用中。尤其是已知了将半导体二极管结构用作辐射源。为了能够实现高效的并且同时平面的辐射源，已知的是将多个光学有源区域设置在共同的壳体中或者设置在共同的基板上。例如在W02006/012442A2中公开了一种带有壳体的光电子器件，其中多个半导体芯片设置成线状的装置。在此，相邻的半导体芯片彼此间具有距离。 本专利技术的任务是提出一种半导体器件，其实现了高的光学输出功率。在此，该器件应具有高的封装密度或者辐射密度。此外，还要提出一种针对这种半导体器件的制造方法。 该任务通过根据所附的权利要求的来解决。半导体器件的改进方案和扩展方案在从属权利要求中进行说明。权利要求的公开内容在此明确地通过引用结合于说明书中。 所基于的任务通过上述类型的半导体器件来解决，其特征在于，第一区域设置在第一层中而第二区域设置在第二层中，其中第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，具有：－至少一个光学有源第一区域（１１２），用于在至少一个发射方向上发射电磁辐射（１３０），以及－至少一个光学有源第二区域（１２２），用于在所述至少一个发射方向上发射电磁辐射（１３０），其特征在于，－第一区域（１１２）设置在第一层（１１０）中，而第二区域（１２２）设置在第二层（１２０）中，其中第二层（１２０）在发射方向上设置在第一层（１１０）之上，并且具有与第一区域（１１２）关联的第一穿通区域（１２４），该第一穿通区域至少部分对于第一区域（１１２）的电磁辐射（１３０）是能够透射的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西格弗里德赫尔曼，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]