【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。所述模块及方法可以用于光刻设备和器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例 如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常,图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常,单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包 括所谓步进机,在所述步进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向("扫描"方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部 分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式将图案从图案形成装置转移 到衬底上。 为了能够将不断减小的结构投影到衬底上,已经提出使用波长在10-20nm范围内 ...
【技术保护点】
一种用于产生极紫外辐射的方法,所述方法包括步骤:将辐射束,例如激光束,引导到点燃材料的液滴上,所述液滴位于预定目标点燃位置上,以便将液滴变成被配置以产生极紫外辐射的等离子体;使用包括反射镜表面的收集反射镜来反射所述辐射以将所述辐射聚焦到焦点上;和提供气流,所述气流在大致横向于所述反射镜表面的方向上远离所述反射镜表面流动,以减缓由所述等离子体产生的颗粒碎片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:TAR范因佩尔,VY班宁,VV伊万诺夫,ER鲁普斯特拉,JBP范斯库特,YJG范德维杰威,GHPM斯温克尔斯,HG诗密尔,D莱伯斯克依,JHJ摩尔斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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