用于投影图像的成像设备制造技术

一种用于将图像（９９）投影到投影面（９）上的成像设备，该成像设备尤其是包括：辐射发射部件（１），其在工作中沿着发射方向发射电磁辐射；在辐射发射部件（１）的光路中的图像生成元件（２）；在辐射发射部件（１）的光路中的辐射引导元件（３），用于将电磁辐射引导到投影面（９）上，以及辐射出射面（４），其中投影面（９）相对于辐射出射面（４）侧向偏移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于投影图像的成像设备本专利申请要求德国专利申请10 2007 037 443. 9和德国专利申请102008 003 451. 7的优先权，其公开内容通过引用结合于此。以下说明了一种根据权利要求1的前序部分所述的成像设备。确定的实施形式的至少一个任务是，提出一种用于将图像投影到投影面上的成像 设备。根据至少一个实施形式，成像设备尤其是包括-辐射发射部件，其在工作中沿着发射方向发射电磁辐射，-在辐射发射部件的光路中的图像生成元件，-在辐射发射部件的光路中的辐射引导元件，其用于将电磁辐射引导到投影面上， 以及_辐射出射面，其中-投影面相对于辐射出射面侧向地偏移。尤其是，该投影面在此也可以相对于辐射出射面倾斜。这种成像设备具有的优点是，其可以相对于投影面侧向偏移地设置。这可以意味 着，成像设备尤其是可以相对于投影面上的图像侧向偏移地设置。因此，成像设备在观察该 图像的观察者的视野中相对于投影面和图像侧向偏移地设置，而从观察者出发来看，成像 设备不遮挡该图像。成像设备的布置因此可以节约位置地在投影面旁边进行。在此，图像生成元件可以在光路中设置在辐射发射部件之后，并且辐射引导元件 在辐射发射部件的光路中设置在图像生成元件之后。尤其是，图像生成元件可以在光路中直接地、即紧接地设置在辐射发射部件之后， 并且辐射引导元件在辐射发射部件的光路中直接地、即紧接地设置在图像生成元件之后。 由此能够实现成像设备的各个组件的节约位置的布置，并且由此实现成像设备的紧凑的结 构形式。例如，通过该成像设备可以将图像投影到投影面上，图像包括几何形状、图形和符 号并且由此例如可以向观察者传达信息。辐射发射部件在此尤其可以适于发射可见光。该 光在此可以是单色的或多色的，并且尤其是能够实现白色的或者彩色的发光色觉。此外，图像生成元件例如可以具有对于电磁辐射至少部分透射的光学元件和/或 至少部分反射的光学元件，用于生成图像。这可以意味着，辐射发射部件透射和/或照亮图 像生成元件，并且在此可以将对于成像所需的空间亮度变化和/或色度坐标变化表现在电 磁辐射中。在此，所述至少部分透射的光学元件可以具有至少两个区域，它们具有对于电磁 辐射彼此不同的透射率。于是，例如第一区域可以具有对电磁辐射高的透射率而第二区域 具有较低的透射率，使得通过至少部分透射的光学元件的投影到投影面上的区域的亮度差 在投影面上形成图像。可替选地或附加地，至少两个具有彼此不同的透射率的区域也可以 对于由辐射发射部件产生的电磁辐射的不同波长是透射的，并且因此能够实现彩色的成像。此外，至少部分透射的光学元件可以具有对于电磁辐射至少部分透明的阵列(Matrix)， 该阵列可以包括多个透明度不同的区域。在此，透明度不同的区域可以实施为像素形式、即 例如实施为设置在行和列中的像点。可替选地或附加地，透明度不同的区域也可以具有至 少部分地承载信息的形式。在此，所述至少部分透射的光学元件可以包括液晶阵列和/或结构化的滤色器。 尤其是，在液晶阵列的情况下，可投影到投影面上的图像可以随时间变化。此外，辐射引导元件可以包括透镜或者透镜片段，并且适于将电磁辐射引导到投 影面上并且在此进行准直或者会聚。尤其是，透镜或者透镜片段可以相对于辐射发射部件 偏心地设置。这例如可以意味着，透镜或者透镜片段具有光轴并且该光轴例如相对于辐射 发射部件和图像生成元件的布置方向倾斜和/或平行偏移地设置。此外，辐射引导元件同时可以构建为图像生成元件。这可意味着，图像生成元件构 建为辐射引导元件的一部分。尤其是，至少部分透射的光学元件例如可以构建在辐射引导 元件上或者构建在辐射引导元件中。此外，辐射引导元件可以构建为使得电磁辐射并不统 一地引导到投影面上，而是例如不同强度地会聚或者准直到投影面的不同的部分区域上， 由此例如能够在投影面上实现亮度差。对此，辐射引导元件例如可以具有适当成形的、构建 为自由形状面的表面。 此外，辐射引导元件可以具有反射器。该反射器在此可以平坦地或者弯曲地实施， 例如球形、椭圆形、抛物线形地实施或由这些形状组合地实施。此外，反射器可以固定地或 者可运动地设置，在后一情况下例如为了改变在投影面上的图像的位置或者为了通过以行 或者列的方式移动各个像素结合随时间改变的图像生成元件(譬如液晶阵列或者液晶元 件)来实现在投影面上的成像。此外，图像生成元件也可以具有反射器，该反射器可以对于电磁辐射至少部分是 反射性的。反射器对此例如可以在反射性的表面上具有结构化的表面和/或滤色器和/或 液晶阵列。辐射发射部件在此可以设置为使得发射方向背离投影面。这可以意味着，辐射发 射部件例如由于空间范围条件和要求而可以节约位置地设置在成像设备中并且由此发射 方向背离投影面。然而由于辐射引导元件，电磁辐射仍然可以朝向投影面。辐射发射部件可以包括半导体发光二极管(LED)或者LED。LED在此可以优选发 射单色或混色的辐射，并且例如还可以具有波长转换材料。LED例如可以具有带有一个或更 多个有源区的半导体层序列，其在工作中尤其是在注入电流时产生电磁辐射。此外，辐射发 射部件可以具有或者是多个LED，尤其是LED阵列。半导体层序列可以实施为外延层序列，即实施为外延生长的半导体层序列。在此， 半导体层序列例如可以基于例如InGaAIN的无机材料、譬如GaN薄膜半导体芯片来实施。 基于InGaAIN的半导体芯片尤其是包括如下的半导体芯片其中外延制造的半导体层序列 (其通常具有由不同的单层构成的层序列)包含至少一个单层，该单层具有来自III-V-化 合物半导体材料系InxAlyGai_x_yN(其中0≤x≤1、0≤y≤1且x+y≤1)的材料。可替选 地或者附加地，半导体层序列也可以基于InGaAlP，也就是说，半导体层序列具有不同的单 层，其中至少一个单层具有来自III-V化合物半导体材料系InxAlyGai_x_yP(其中0≤x≤1、 0≤y≤1且x+y≤1)的材料。可替选地或者附加地，半导体层序列也可以具有其他III-V化合物半导体材料系，例如基于AlGaAs的材料或者II-VI化合物半导体材料系。半导体层序列例如可以具有传统的pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW结构) 或者多量子阱结构(MQW结构)作为有源区。半导体层序列除了有源区之外还可以包括另 外的功能层或者功能区，例如P掺杂的或者n掺杂的载流子输送层(即电子输送层或者空 穴输送层)、P掺杂的或者n掺杂的限制层或者包覆层、阻挡层、平坦化层、缓冲层、保护层和 /或电极以及上述的组合。关于有源区或者另外的功能层和功能区的这些结构对于本领域 技术人员而言尤其在构造、功能和结构方面是已知的并且因此在此并未详细阐述。此外，辐射发射部件可以具有光学元件用于对半导体层序列产生的电磁辐射进行 会聚或者准直。这种光学元件例如可以具有透镜、透镜阵列、光学聚光器或者其组合。光学 元件在此可以直接设置在半导体层序列上或者与半导体层序列间隔。此外，辐射发射部件、图像生成元件、辐射引导元件和辐射出射面可以设置在壳体 中。该壳体在此例如可以是便携式电子设备(譬如移动电话、数码相机、MP3或者多媒体播 放器、所谓的个人数字助理(PDA)或便携式计算机)的壳体。成像设备因此可以实施为这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将图像（９９）投影到投影面（９）上的成像设备，包括：－辐射发射部件（１），其在工作中沿着发射方向发射电磁辐射，－在辐射发射部件（１）的光路中的图像生成元件（２），－在辐射发射部件（１）的光路中的辐射引导元件（３），其用于将电磁辐射引导到投影面（９）上，以及－辐射出射面（４），其中－投影面（９）相对于辐射出射面（４）侧向偏移。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌尔里希施特雷佩尔，米夏埃尔赖希，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]