【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空断路器 相关串i青 本专利申请要求2007年6月5日递交、标题为"Vac皿m Fault Interrupter(真空 故障断路器)"的美国专利申请No. 11/785， 136和2007年7月30日递交、标题为"Contact Backingfor a Vacuum Interrupter (用于真空断路器的接触背衬)"的美国专利申请 No. 11/881,852的优先权。上面标出的优先权申请的完整公开内容在此通过引用被完全并 入本文。 背景 本描述涉及真空断路器(interrupter)，例如轴向磁场真空断路器。 附图说明 图1是示例性真空故障断路器处于闭合位置的横截面侧视图。 图2是图1的示例性真空故障断路器处于打开位置的横截面侧视图。 图3是另一示例性真空故障断路器处于闭合位置的横截面侧视图。 图4是图3的示例性真空故障断路器处于打开位置的横截面侧视图。 图5是另一示例性真空故障断路器处于闭合位置的横截面侧视图。 图6是图5的示例性真空故障断路器处于打开位置的横截面侧视图。 图7是另一示例性真空故障断路器处于闭合位置的横截面侧视图。 图8是图7的示例性...
【技术保护点】
一种真空断路器，包括：电极组件，所述电极组件包括电接触体；绝缘体，所述绝缘体包括基本上绕所述电极组件设置的电绝缘材料；以及屏蔽，所述屏蔽设置在所述绝缘体和所述电极组件之间，并且被配置为阻止来自所述电极组件的所述电接触体的电弧等离子体沉积在所述绝缘体表面的至少部分上，所述屏蔽包括被配置来使所述屏蔽与所述绝缘体对准的第一段、从所述绝缘体延伸离开的第二段，以及延伸向所述绝缘体并包括所述屏蔽的尖梢的第三段，其中所述第一段和所述第三段之间的轴向距离大于所述第一段和所述第二段之间的轴向距离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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