一种晶体硅太阳能电池背电场Ａｌ浆制造技术

研制了一种适用于晶体硅太阳能电池工业化生产并能保持其质量稳定性的晶体硅太阳能电池背电场Ａｌ浆，本发明专利技术着力改进和提高作为Ａｌ浆主体材料的金属Ａｌ粉的导电性、抗氧化性和可填充性，提供的太阳能电池Ａｌ浆具有良好的电性能和工艺性能，在所采用的均匀混合的金属粉料中，一种含Ｉｎ雾化粉料的平均粒度＜５μｍ，粒度分布在０．１～１０μｍ，另一种导电Ａｌ粉的平均粒度＞５μｍ，粒度分布在１～１０μｍ。

【技术实现步骤摘要】

在现代科技体系中，半导体技术是一个重大宽广的领域，因其快速深入的发展，促 进了太阳能电池技术的进步。本专利技术涉及太阳能光伏技术相关的新材料制造，也是厚膜电子浆料技术在太阳能 电池制造中的应用，尤其是涉及一种晶体硅太阳能电池背电场Al浆的制造技术。
技术介绍
上世纪九十年代，我国的科研部门(昆明贵金属研究所)应用厚膜电子浆料技术， 开发了与单晶硅太阳能电池配套的上下电极Ag浆和Al背电场浆料。Al在Si晶上生成的 电极有较好的欧姆接触，Al能吸杂并且廉价，使其成为硅电池电极背场材料的首选。时至 2009年，我国的太阳能电池产量占全球的39. 8% (达到2. 6GW)，其中85%以上采用Al厚 膜背电场。近年来，太阳能电池市场发展迅猛，激发了科技创新活动的展开，出现了多项硅 太阳能电池背电场Al浆相关的专利技术专利，它们是CN200910094798.X特征描述为组份 60 90wt%的银粉或铝粉，三种配套使用的无铅、镉、汞的正(背)电极银浆和背电场铝 菜。CN200810196407. 0其特征是铝粉覆有氮化铝，平均粒度2 6 μ m。CN200910087556. 8 特征是7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池背电场Ａｌ浆，其特征在于制备浆料采用的金属材料是含Ｉｎ质量分数为１～１０％的Ａｌ基雾化超细粉体材料与导电Ａｌ粉（Ｒ↓［□］≤５０ｍΩ／，δ＝２５μｍ）均匀混合的金属粉料，其中，含Ｉｎ的Ａｌ基雾化超细粉体材料的粒度分布为０．１～１０μｍ，平均粒度＜５μｍ，其质量分数占混合金属粉料的２～５０％；其余为导电Ａｌ粉，粒度分布为１．０～１０μｍ，平均粒度＞５μｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张振中，张煜，
申请(专利权)人：张振中，
类型：发明
国别省市：53[]