一种顶发射有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种顶发射有机电致发光（ＴＯＬＥＤ）器件，包括阴极、阳极，其中：所述阴极采用场发射薄膜。本发明专利技术顶发射有机电致发光器件的阴极采用场发射薄膜，利用场发射薄膜的内场电子发射特性强制性地注入电子，以提高电子注入效率，引入内场电子发射阴极后器件结构和传统有机电致发光器件类似，而相比现有技术利用场发射阴极的有机电致发光（ＯＬＥＤ）器件，本发明专利技术的顶发射有机电致发光器件在阴极和阳极之间不需要真空空间，解决了真空器件制备复杂的问题，从而降低成本、提高效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体和有机电致发光(OLED)技术，尤其涉及一种顶发射有机电致发光 (Top-emitting Organic Light-emitting Diodes, TOLED)器件。
技术介绍
目前，有机电致发光(OLED)技术是平板显示和照明领域的研究热点之一，有机电致发 光(OLED)器件结构研究又是有机电致发光(OLED)
研究的热点之一。近年来国内 外器件结构研究工作注重阴极修饰研究，其目的是提高有机电致发光(OLED)器件的发光 亮度和效率。阴极修饰研究进展及存在问题电子注入效率低是制约有机电致发光(OLED)器 件发光亮度和效率提高的瓶颈之一。已有的研究报道通常是施加阴极修饰层，降低阴极和 有机层之间的界面势垒以提高电子的注入能力从而增加辐射复合的几率，提高器件的发光 亮度和效率。目前，有采用氟化物(如氟化锂LiF，氟化钠NaF，氟化镁MgF2,氟化钙CaF2)、 氧化物(如氧化镁MgO，氧化铝Al2O3)或Na的化合物(氯化钠NaCl、硬脂酸盐NaSt)用作 阴极修饰层来改善电子注入，还有用氧化锌(ZnO)和碳纳米管(CNTs)层作阴极修饰层，以 及用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发射有机电致发光器件，包括阴极、阳极，其特征在于：所述阴极采用场发射薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚宁，鲁占灵，韩昌报，邢宏伟，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：41[]