二氧化硅溶胶浸渍微弧氧化法制备镁合金微弧氧化膜制造技术

二氧化硅溶胶浸渍微弧氧化法制备镁合金微弧氧化膜，本发明专利技术公开了一种在镁合金表面制备复合陶瓷膜的工艺，其核心配方在溶胶制备和电解液配方上。电解液配方为：配方１：硅酸钠２０％，氟化钾１０％，氢氧化钠％．，微弧氧化时间１５～２０分钟。配方２：硅酸钠６～１５ｇ／Ｌ，硼酸钠２～５ｇ／Ｌ，氢氧化钾３～５ｇ／Ｌ，氟化钾３～６ｇ／Ｌ，微弧氧化时间１５～２０分钟。溶胶的制备配方：正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ，ＳｉＯ２含量≥２８．０％）；无水乙醇；盐酸：去离子水。本发明专利技术的优点在于：工艺流程、电解液配方简单，制备的陶瓷膜层均匀、细致，与基体的结合力好，耐腐蚀耐、高温性能有了很大的提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
二氧化硅溶胶浸渍微弧氧化法制备镁合金微弧氧化膜，其特征在于包括以下工艺流程为：脱脂（碱性化学除油）－超声波清洗－干燥－微弧氧化－清洗－干燥－溶胶浸渍提拉－微弧氧化－清洗－干燥（清洗用蒸馏水）碱性除油配方：碳酸钠１０～２０ｇ／Ｌ，磷酸三钠１０～２０ｇ／Ｌ，硅酸钠１０～２０ｇ／Ｌ，ＯＰ乳化剂ｍｌ／Ｌ，温度为６０～７０℃，时间３～５分钟。微弧氧化电解液配方１：硅酸钠２０％，氟化钾１０％，氢氧化钠％．。配方２：硅酸钠６～１５ｇ／Ｌ，硼酸钠２～５ｇ／Ｌ，氢氧化钾３～５ｇ／Ｌ，氟化钾３～６ｇ／Ｌ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵忠财，赵瑞强，张璇，
申请(专利权)人：沈阳理工大学，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]