ＬＤＭＯＳ晶体管及其制造方法和功率场效应晶体管技术

本发明专利技术提供一种横向扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ）晶体管和用于制造其的方法及一种功率场效应晶体管；所述ＬＤＭＯＳ晶体管包括形成于Ｐ型衬底上的Ｎ型外延层，和充当其门极的不对称导电间隔物；所述ＬＤＭＯＳ晶体管还包括处于所述不对称导电间隔物的任意侧上的源区和漏区，以及通过在所述不对称导电间隔物上的离子注入所形成的沟道区；所述不对称导电间隔物的高度从所述源区到所述漏区增加；所述沟道区基本上完全处于所述不对称导电间隔物下方，并且与现有技术ＬＤＭＯＳ晶体管的沟道区相比具有更短长度；本发明专利技术的所述ＬＤＭＯＳ晶体管还包括围绕所述晶体管的有源区的场氧化物层，和将所述不对称导电间隔物与所述Ｎ型外延层隔离的薄介电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及横向扩散金属氧化物半导体(LDM0Q晶体管，并且更具体地说，涉及 具有不对称导电间隔物充当门极的LDMOS晶体管。
技术介绍
LDMOS晶体管常规上包括封闭于两个绝缘间隔物之间的导电门极、源区、漏区、沟 道区和漂移区。将正电位施加于该门极，从而使得电子通过LDMOS晶体管的沟道区从源区 流至漏区。由于间隔物的绝缘性质，其并不充当门极部分，并且门极电压仅可通过门极来施 加，而不通过间隔物来施加。图1中示出如上所述的常规LDMOS晶体管100。LDMOS晶体管100包括形成于P 型衬底102上的N型埋层104。在N型埋层104上生长N型外延层106，并且在N型外延层 106上形成场氧化物层108a和10 以界定LDMOS晶体管100的有源区。通常，LDMOS晶体 管100的有源区是处于N型外延层106上的、其中正在制造或形成LDMOS晶体管100的区域。LDMOS晶体管100还包括其中形成了源区112的P阱110。P阱110可以通过诸如 硼的任何P型元素的离子注入或扩散来形成。类似地，源区112也可以通过诸如砷的任何 N型元素的离子注入或扩散来形成。类似的砷注入可以用于形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，所述方法包含：在半导体衬底上方形成第一导电型的半导体层；在半导体层上方形成不对称导电间隔物，所述不对称导电间隔物充当所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的门极并且通过介电层与所述半导体层绝缘，其中所述不对称导电间隔物将所述半导体层分成第一区和第二区，并且其中所述不对称导电间隔物的高度从所述第一区增加到所述第二区；通过使用第二导电型的第一类型掺杂剂在所述半导体层的所述第一区上执行第一注入，以在所述半导体层的所述第一区中形成所述第二导电型的阱，所述第一注入是通过使用第一注入能量来执行；通过使用所述第一导电型的第二类型掺杂剂来执行第二注入，以形成所述横...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔特马丁，摩尔保罗，
申请(专利权)人：麦奎尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]