基板处理方法及存储介质技术

一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布／显影机（１１）利用涂布单元（２２ｃ）将光硬化性树脂涂布在晶片（Ｗ）的背面上，利用硬化单元（８２ａ）硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元（２２ａ）在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机（１２）将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元（８２ａ）利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置（１３）将晶片吸附保持在基座（３９）的静电卡盘（４９）上，对晶片的背面进行ＲＩＥ处理。清洗装置（１４）利用基板清洗单元（７７）等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理方法和以计算机可读取的方式存储程序的存储介质，上述程 序使该方法由计算机运行，尤其涉及一种基板处理系统中的基板处理方法及其存储介质， 其中该基板处理系统具备带有用于静电吸附基板的静电卡盘的蚀刻装置。
技术介绍
利用等离子体在作为基板的晶片表面上形成所希望图形的配线槽或通路孔(via hole)的基板处理系统具有将正型的抗蚀剂涂布在晶片表面上的涂布机；将由加热等而 硬化的抗蚀剂的一部分曝光的曝光机；利用显影液从晶片表面除去曝光后的抗蚀剂，形成 抗蚀剂膜的显影机；在晶片表面上进行蚀刻处理、例RIE(Reactive Ion Etching 反应性离 子蚀刻)处理的蚀刻装置；和除去抗蚀剂膜的清洗装置。近年来，从节约空间的观点出发， 在基板处理系统中，大多使涂布机和显影机形成为一体。另外，蚀刻装置具有收容晶片并且生成等离子体的收容室；和配置在该收容室内、 当对晶片进行蚀刻处理时静电吸附晶片的静电卡盘(例如，参照日本特开2005-347620号 公报)。虽然在曝光机中，将所希望的掩模图形翻转后的图形的紫外线光等照射在晶片表 面的抗蚀剂上，但近年来，随着所希望的掩模图形的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统的基板处理方法，该系统至少包括对基板进行等离子体蚀刻处理的蚀刻装置，所述蚀刻装置具有静电吸附所述基板的静电卡盘，该静电卡盘与基板的背面接触，其特征在于，包括：在所述基板的背面上涂布光硬化性树脂的涂布步骤；向所述涂布的光硬化性树脂照射光使该光硬化性树脂硬化的硬化步骤；对所述基板的表面实施所述等离子体蚀刻处理的蚀刻步骤；和除去所述硬化的光硬化性树脂的清洗步骤。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村荣一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]