【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光致抗蚀剂组合物t
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微制造。JP 2009-237379A1公开了一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包括 树脂(XI)，所述树脂(Xl)具有衍生自由式(D)表示的单体、由式(B)表示的单体和由式(J) 表示的单体的结构单元；树脂(X2)，所述树脂、\1、具有衍生自由式(D)表示的单体、由式 (B)表示的单体、由式(J)表示的单体和由式(K)表示的单体的结构单元；以及，作为酸生 成剂的甲苯基二苯基锍全氟丁磺酸盐。权利要求1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含 树脂，所述树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的结构单元2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中X1是*-C0-0-X3-，其中X3表示单键 或C1-C15亚烷基，并且*表示与-COi1) (Q2)-的结合位置。3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+是三芳基锍阳离子。4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。5.一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括下面的步骤(1)至(5)(1)将根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤，(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，(4)将已曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，以及(5)使用碱性显影剂将已烘焙的光致抗蚀剂膜显影，由此形成光致抗蚀剂图案的步骤。全文摘要本专利技术提供一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，该树脂包含衍生自由式(I)表示的化合物的...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：树脂，所述树脂包含衍生自由式（Ⅰ）表示的化合物的结构单元：＊＊＊（Ⅰ）其中Ｒ↑１］表示Ｃ１－Ｃ６含氟烷基，Ｒ↑［２］表示氢原子或甲基，并且Ａ表示Ｃ１－Ｃ１０二价饱和烃基，并且所述树脂不溶或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液；以及由式（Ⅱ）表示的酸生成剂：＊＊＊（Ⅱ）其中Ｑ↑［１］和Ｑ↑［２］各自独立地表示氟原子或Ｃ１－Ｃ６全氟烷基，Ｘ↑［１］表示单键或Ｃ１－Ｃ１７二价饱和烃基，在所述Ｃ１－Ｃ１７二价饱和烃基中，一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，Ｙ↑［１］表示可以具有一个或多个取代基的Ｃ１－Ｃ３６脂族烃基，可以具有一个或多个取代基的Ｃ３－Ｃ３６饱和环状烃基，或可以具有一个或多个取代基的Ｃ６－Ｃ３６芳族烃基，并且在所述脂族烃基和所述饱和环状烃基中的一个或多个－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，并且Ｚ＋表示有机抗衡阳离子。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，桥本和彦，夏政焕，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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