声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法技术

一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含下述步骤：提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；在第二堆叠区下方形成空气腔；在第二堆叠区进行第一次测量；根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；分别在第一、第二堆叠区的第一谐振器上形成退耦层；分别在第一、第二堆叠区的退耦层上形成第二谐振器；在第一堆叠区或第二堆叠区进行第二次测量；根据第二次测量结果调整第一堆叠区第二谐振器顶部电极，以实现理想的器件性能。本发明专利技术可最大限度减小由第一谐振器释放过程引起的工艺交叉或污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种声耦合器件。特别是涉及一种应用修正调整工序以改善达到预期 性能的声耦合器件的加工良率的。
技术介绍
在任何无线通信系统中射频(RF)滤波器都是关键元件，伴随着这些系统继续向 微型化方向发展，在不改变器件性能的情况下滤波器厂商所面临的进一步缩小滤波器体积 的压力亦与日俱增。手持设备系统厂商对有希望实现低成本、小尺寸的滤波器技术产生了 浓厚的兴趣。由于在手持通信设备中各种耗能应用的持续增加，滤波器的低插入损耗对延 长通话时间和电池寿命变得非常重要。体波(BAW)谐振器因其高品质因数及较小的带内插 入损耗而闻名，包含一个或多个体声波(BAW)谐振器的带通滤波器最近已成为了传统的基 于声表面波(SAW)谐振器和陶瓷谐振器的滤波技术的有优势的竞争者。BAW滤波器根据谐 振器的连接方式可以分为两种类型电气连接(梯形、网格或相似结构)和声波耦合(堆叠 晶体滤波器(SCF)和耦合谐振滤波器(CRF))。声耦合谐振器相比于电气连接谐振器可以在 远阻带实现较高的抑制以及具有较宽的带宽。因CRF谐振器间的声耦合比SCF器件中直接 连接的谐振器中的声耦合少，CRF器件可以被认为是SCF器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法，包含有第一谐振器、第二谐振器以及在两谐振器之间形成的退耦层的声耦合器件，且第一、第二谐振器都具有上电极、下电极，以及两电极间的压电层而构成的三明治结构，其特征在于，该声耦合谐振滤波器晶圆级调整方法包含下述步骤：（ａ）提供在一部分基底内部或上表面带有牺牲层的基底；（ｂ）在基底的部分牺牲层上形成第一堆叠区的第一谐振器，以及在基底上形成第二堆叠区的第一谐振器，这样第一堆叠区的第一谐振器和第二堆叠区的第一谐振器相远离；（ｃ）在第二堆叠区下方形成空气腔；（ｄ）在第二堆叠区进行第一次测量；（ｅ）根据第一次测量调整第一堆叠区的第一谐振器的顶部电极；（ｆ）分别在第一、第二堆...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，张浩，
申请(专利权)人：张浩，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]