晶圆级相机模组的镀膜方法及晶圆级相机模组技术

本发明专利技术提供一种晶圆级相机模组的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一个晶圆级相机模组，其具有一个光学区和外表面，该光学区通光，该外表面包括该光学区的显露在外的表面，以及整个晶圆级相机模组显露在外的表面；于该外表面镀遮光层；于该遮光层上涂覆一层光阻层；通过曝光显影去除该光学区所在区域的光阻层；沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所在区域的遮光层，以显露该光学区；去除剩余的光阻层。本发明专利技术还提供一种晶圆级相机模组。本发明专利技术提供的镀膜方法可有效控制非镀膜区域的大小及位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆级(wafer-level)相机模组的镀膜方法和采用该镀膜方法制造 的晶圆级相机模组。
技术介绍
目前晶圆级相机模组均具有广阔的市场，也是研究人员研究的热点。所谓晶圆级相机模组是指在一片晶圆级基板上，例如8英寸或12英寸的基板上制 造上千个镜片，并将多个这样的基板对准叠置并切割得到上千个相机模组，其结构规整，体 积微小，因此适用于便携式电子装置。一般在晶圆级相机模组中，由于晶圆级相机模组利用玻璃晶圆制造，而玻璃晶圆 透光，因此，为了让光线仅经过镜片入射，就必须要给镜片之外的部分一层黑色遮光层以遮 光，有时还有必要镀电磁屏蔽层，但在镀膜的过程中需要将光学区遮蔽起来，一定不能在光 学区部分镀到膜层，以保证光线可经过光学区正常进入镜头模组中，达到成像的目的，所以 在镀膜的制程中，如何有效及精准地遮挡住光学区部分以及其他可能透光的部分变成了镀 膜过程中极为重要的课题，一般来说，目前都是使用耐热胶带裁剪成光学区形状贴住不需 要镀膜的部分，但精度及效率在批量生产中变成了突出的问题。原因主要有以下几个方面 首先，裁剪耐热胶带时会有切边毛边，从而造成镀膜时膜厚不均；其次，裁切的耐热胶会有 大小及精度上的问题；再次，耐热胶贴附时无法准确地和光学区径对准，容易贴歪，最后，这 种裁剪耐热胶、粘贴耐热胶的做法费时费力，不利于降低生产成本，而且，非自动化处理的 过程中难免会对产品造成污染，影响晶圆级相机模组的质量。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种不需贴耐热胶又可高精度地为晶圆级相机模组镀膜的 方法以及采用该方法镀膜的晶圆级相机模组。一种晶圆级相机模组的镀膜方法，其包括以下步骤提供一个晶圆级相机模组，其 具有一个光学区和外表面，该光学区通光，该外表面包括该光学区的显露在外的表面，以及 整个晶圆级相机模组显露在外的表面；于该外表面镀遮光层；于该遮光层上涂覆一层光阻 层；通过曝光显影去除该光学区所在区域的光阻层；沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所 在区域的遮光层，以显露该光学区；去除剩余的光阻层。—种晶圆级相机模组，其包括晶圆级镜头模组和影像感测器，该晶圆级相机模组 具有一个光学区和外表面，该光学区通光，其采用下述的镀膜方法在该外表面除该光学区 以外的部分镀有遮光层于该外表面镀遮光层；于该遮光层上涂覆一层光阻层；通过曝光 显影去除该光学区所在区域的光阻层；沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所在区域的遮光 层，以显露该光学区；去除剩余的光阻层。相较于现有技术，本专利技术提供的晶圆级相机模组的镀膜方法利用光罩确定曝光蚀 刻的位置，然后蚀刻掉光学区区域的遮光层，以在外表面除光学区之外的部分镀上遮光层，整个过程可以自动化，从而减少人工操作所带来的污染问题。 附图说明图1是本专利技术实施例提供的未镀膜的晶圆级相机模组的剖面图。图2是对图1的晶圆级相机模组镀上遮光层后的示意图。图3是对图2的晶圆级相机模组镀上电磁屏蔽层的示意图。图4是对图3的晶圆级相机模组镀上光阻层的示意图。图5是对图4的晶圆级相机模组进行曝光后的示意图。图6是对图5的晶圆级相机模组进行显影后的示意图。图7是图6的晶圆级相机模组的光学区的遮光层和电磁屏蔽层被蚀刻后的示意 图。图8是去除图7的晶圆级相机模组的光阻层后的示意图。 具体实施例方式下面将结合附图对本专利技术作进一步详细说明。本专利技术实施例提供的镀膜方法包括以下步骤如图1所示，提供一个晶圆级相机模组10，其具有一个光学区20和外表面11，该 光学区20是晶圆级相机模组10的通光孔所在区域，目的是使光线进入晶圆级相机模组10 成像。在本实施例中，该光学区20的轮廓是一个圆。晶圆级相机模组10包括晶圆级镜头 模组101和影像感测器102，影像感测器102和电路板12电连接。外表面11不但包括光学 区20的显露在外的表面，也包括整个晶圆级相机模组101显露在外的表面，例如影像感测 器102的侧面、镜头模组101的侧面以及镜头模组101的上表面的光学区20以外的部分。如图2所示，于该外表面11镀遮光层30。由于光学区20的表面属于该晶圆级镜 头模组101的上表面的一部分，因此，遮光层30也覆盖了光学区20的表面。遮光层30为 黑色氮化铬薄膜。当然，也可以由其他黑色材料形成。如图3所示，于该遮光层30镀电磁屏蔽层40。电磁屏蔽层40是金属层，例如，该 金属层包括铜和不锈钢，其主要作用是用于防电磁波干扰，保证晶圆级相机模组10本身的 正常状态。该电磁屏蔽层40可采用溅镀法镀于该遮光层30。但是，电磁屏蔽层40可以根据需要决定镀还是不镀，并非必要结构。如图4所示，于该电磁屏蔽层40涂覆一层光阻层50。在本实施例中，光阻层50是 正光阻，在曝光后，其感光部分的性质发生改变，从而可以在显影之后被去除。如图5和图6所示，提供一个光罩60，该光罩60设有一个通孔61，该通孔61和该 光学区20的面积相等。将该光罩60置于该光阻层50上方，该通孔61与该光学区20对准； 曝光，使得光学区20所在区域的光阻层感光，显影后去除该光学区20所在区域的光阻层。如图7所示，采用四氟化碳气体及氧气等离子各向异性蚀刻的方式对该光学区20 所在区域的遮光层、电磁屏蔽层进行蚀刻，以显露该光学区20。各向异性蚀刻可以沿着某一 个特定方向进行蚀刻，在本实施例中，此特定方向就是指平行于整个晶圆级相机模组10光 轴的方向。最后，请参阅图8，去除剩余的光阻层50，使得该晶圆级相机模组10的外表面11 除光学区20之外的部分只镀有遮光层30和电磁屏蔽层40。优选地，该电磁屏蔽层40和该电路板12接触导通，以取得更好的电磁屏蔽效果。 该遮光层30也可以与该电路板12接触。当然，也可以采用选用负光阻涂布在电磁屏蔽层之外，由于负光阻和正光阻的性 质正好相反，即，感光部分在显影过程中会被留下，而没有感光的部分则被显影过程去除， 因此，相应地，负光阻所对应的光罩要正好遮住光学区，以免光学区的负光阻感光。由于光罩的精密度很高，因此可以有效控制光学区的大小及位置，不会出现偏差， 整个过程可以实现自动化以避免人工操作所带来的污染。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级相机模组的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一个晶圆级相机模组，其具有一个光学区和外表面，该光学区通光，该外表面包括该光学区的显露在外的表面，以及整个晶圆级相机模组显露在外的表面；于该外表面镀遮光层；于该遮光层上涂覆一层光阻层；通过曝光显影去除该光学区所在区域的光阻层；沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所在区域的遮光层，以显露该光学区；去除剩余的光阻层。

【技术特征摘要】
一种晶圆级相机模组的镀膜方法，其包括以下步骤提供一个晶圆级相机模组，其具有一个光学区和外表面，该光学区通光，该外表面包括该光学区的显露在外的表面，以及整个晶圆级相机模组显露在外的表面；于该外表面镀遮光层；于该遮光层上涂覆一层光阻层；通过曝光显影去除该光学区所在区域的光阻层；沿平行于光轴的方向蚀刻该光学区所在区域的遮光层，以显露该光学区；去除剩余的光阻层。2.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法，其特征在于该遮光层与该光阻 层之间镀有电磁屏蔽层，该沿平行于光轴的方向的蚀刻包括蚀刻该光学区所在区域的该电 磁屏蔽层和该遮光层。3.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法，其特征在于进一步提供一个光 罩，该光罩设有一个通孔，该通孔和该光学区面积相等，该光阻层为正光阻，将该光罩置于 该光阻层上方，该通孔与该光学区对准；曝光显影后去除该光学区所在区域的光阻层。4.如权利要求1所述的晶圆级相机模组的镀膜方法，其特征在于进一步提供一个光 罩，该光罩的面积和该光学区面积相等，该光阻层为负光阻，将该光罩置于该光阻层上方遮 盖该光学区；...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡泰生，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]