压阻式高频高温动态压力传感器制造技术

一种压阻式高频高温动态压力传感器，由压阻敏感组件、传感器金属壳体和高频宽带放大器组成，压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成，硅压阻敏感元件由圆平硅膜片的正面依次覆盖有ＳｉＯ２层和Ｓｉ３Ｎ４层形成，硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥而周部裸露出硅膜片后焊固于玻璃环片，硅压阻敏感元件反面形成金属反光膜，惠斯顿电桥上应变电阻用丝内引线引出，璃环片另一面固定于陶瓷隔离基座上环形凹坑面，陶瓷隔离基座又烧结固定于传感器金属壳体的进压端口，压阻敏感组件上金丝内引线引入到传感器内腔室中的转接板后，经过高频宽带放大器信号放大，由传感器尾部的输出电缆引出，本发明专利技术能在承受超高温和超高频冲击下仍然具有良好特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种耐瞬态超高温高频繁冲击能力的压阻式高频高温动态压力传感 器，特别涉及一种基于 MEMS(MicroElectron Mechanical System)技术与 SOI (Silicon OnInsulator)技术相结合开发的耐高温高频动态压力传感器，适用于弹药底火能量测试实 验技术类高频动态压力测量中伴有超近距离探测带来的高温场，瞬态超高温冲击且较为频 繁，并伴有反应介质导电性干扰与强光干扰等特殊要求的工况，完成亚毫秒数量级的高温 高频动态压力的频繁测量。
技术介绍
始于20世纪70年代后期的MEMS技术使得先进的硅压阻压力传感器越做越小，从 而硅压阻力敏元件有了更高的固有频率。美国Kulite公司和Endevco公司采用这一技术 制成的微型方膜片实现了压阻压力传感器的小型化和芯片高固有频率，但它们未解决全齐 平封装问题，同时此种封装也无法解决爆炸中的强光干扰，因此不得不在使用时卸下芯片 封装前方的激光成形保护网膜适应高频动态测量，从而造成测量中的极高损坏率或一次性 使用。申请人:在先前申请公开的专利——压阻式高频动态高压传感器(专利号 200510037982本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压阻式高频高温动态压力传感器，由压阻敏感组件和传感器金属壳体组成，其特征在于：１）该压阻敏感组件由硅压阻敏感元件（１）和玻璃环片（２）组成，该硅压阻敏感元件（１）由圆平硅膜片（１１）的正面依次覆盖有ＳｉＯ↓［２］层（１２）和Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］（１３）层形成，该硅压阻敏感元件正面中部设有惠斯顿电桥，而周部裸露出硅膜片后，焊固于与硅有相似热膨胀系数的该玻璃环片（２），该硅压阻敏感元件（１）反面通过真空蒸镀或磁控溅射形成金属反光膜，该惠斯顿电桥上应变电阻通过焊接金丝内引线（１５）引出；２）该玻璃环片（２）另一面通过低温玻璃浆糊烧结或者通过高温粘胶剂粘接固定于陶瓷隔离基座（３）上设有的环形凹坑...

【技术特征摘要】
1.一种压阻式高频高温动态压力传感器，由压阻敏感组件和传感器金属壳体组成，其 特征在于1)该压阻敏感组件由硅压阻敏感元件(1)和玻璃环片( 组成，该硅压阻敏感元件 (1)由圆平硅膜片(11)的正面依次覆盖有3102层(12)和Si3N4(13)层形成，该硅压阻敏感 元件正面中部设有惠斯顿电桥，而周部裸露出硅膜片后，焊固于与硅有相似热膨胀系数的 该玻璃环片O)，该硅压阻敏感元件(1)反面通过真空蒸镀或磁控溅射形成金属反光膜，该 惠斯顿电桥上应变电阻通过焊接金丝内引线(15)引出；2)该玻璃环片(2)另一面通过低温玻璃浆糊烧结或者通过高温粘胶剂粘接固定于陶 瓷隔离基座C3)上设有的环形凹坑面，该陶瓷隔离基座C3)又通过低温玻璃浆糊烧结固定 于该传感器金属壳体的进压端口，该压阻敏感组件上金丝内引线(15)通过该陶瓷隔离基 座(3)之环形凹坑面上的中心孔，引入到该传感器内腔室中的转接板(4)后，由该传感器尾 部的输出电缆(9)引出。2.如权利要求1所述的一种压阻式高频高温动态压力传感器，其特征在于该压力传 感器还包括位于该传感器内腔室中的高频宽带放大器，该转接板(4)上引出信号，经过该 高频宽带放大器(7)信号放大，由该传感器尾部的该输出电缆(9)引出。3.如权利要求1或2所述的一种压阻式高频高温动态压力传感器，其特征在于该硅 压阻敏感元件(1)上的金属反光膜为钼膜、钛膜、铝膜或镍鉻薄膜。4.如权利要求1或2所述的一种压阻式高频高温动态...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冰，王文襄，柳维旗，尤彩红，
申请(专利权)人：昆山双桥传感器测控技术有限公司，
类型：发明
国别省市：32