【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法。技术背景氧化锌是一种II-VI族宽禁带的半导体材料，禁带宽度为3. 37eV,室温下具有较 高的激子束缚能(60meV)和较低的电子诱生缺陷。氧化锌还是一种十分有用的压电材料， 晶体结构为纤锌矿(Wurtzite)六方晶系，其c轴方向较其他方向具有更大的压电系数。因 此在很多领域有着广阔的应用前景，尤其是在光电子学等交叉学科领域中，用于声表面波 器件、微机电系统、压电换能器等。目前，测量氧化锌薄膜的压电应变常数d33—般利用激光 干涉仪，扫描隧道显微镜，准静态d33测试仪等手段。
技术实现思路
本专利技术公开了一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，该氧 化锌纳米棒阵列薄膜是用溶液法在金属锌基底上制备所得的c轴择优取向的阵列薄膜。该 测量方法是基于激光多普勒原理的激光测振法。包括以下步骤(1)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上表面镀一层金属导电膜；(2)使用阻抗分析仪测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的谐振频率& ；(3)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上下表面加电压U ；(4)使用激光测振仪测量，在电压为U的条件下，谐振频率&附近的氧化锌纳米棒 阵列薄膜的振幅AL;(5)由公式AL = d33XU，计算可得氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33。 附图说明图1是激光测振法测量氧化锌纳米棒阵列的压电系数d33的流程图。具体实施方式本专利技术的实施例仅用于进一步阐述本专利技术，而不限制本专利技术的范围。对于本领域 的技术人员对本专利技术的内容所进行的替代、改动或变更，这些等价形式...
【技术保护点】
一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数ｄ↓［３３］的方法，该氧化锌纳米棒阵列薄膜是用溶液法在金属锌基底上制备所得的ｃ轴择优取向的阵列薄膜。包括以下步骤：（１）在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上表面镀一层金属导电膜；（２）使用阻抗分析仪测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的谐振频率ｆ↓［０］；（３）在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上下表面加电压Ｕ；（４）使用激光测振仪测量，在电压为Ｕ的条件下，谐振频率ｆ↓［０］附近的氧化锌纳米棒阵列薄膜的振幅ΔＬ；（５）由公式ΔＬ＝ｄ↓［３３］×Ｕ，计算可得氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数ｄ↓［３３］。
【技术特征摘要】
1.一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，该氧化锌纳米棒阵列 薄膜是用溶液法在金属锌基底上制备所得的C轴择优取向的阵列薄膜。包括以下步骤(1)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上表面镀一层金属导电膜；(2)使用阻抗分析仪测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的谐振频率&；(3)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上下表面加电压U;(4)使用激光测振仪测量，在电压为U的条件下，谐振频率&附近的氧化锌纳米棒阵列 薄膜的振...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏燚，邹小平，程进，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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