一种聚马来酸酐薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚马来酸酐薄膜的制备方法。即将一定量的马来酸酐和镀膜基片载玻片置于等离子体沉积炉中，抽本底真空至２．０×１０－３Ｐａ后，升温５０～２００℃，调节腔室压力０～５０Ｐａ，与５～３０ｗ的功率下，放电５～３０ｍｉｎ，即可在载玻片上镀上一层均匀的聚马来酸酐薄膜。本发明专利技术通过马来酸酐固体升华和等离子体聚合的协同进行，简化了聚马来酸酐薄膜制备过程，所制备的薄膜结构均匀、致密，薄膜的厚度和表面的酸酐基团保留率可控，即所得的聚马来酸酐薄膜结构均匀，表面酸酐基团含量可控制在５．５９×１０－８～２．１１×１０－７ｍｏｌ／ｃｍ２范围内，薄膜厚度可控制在１１０～６６１ｎｍ范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高分子材料
，具体涉及利用固体马来酸酐单体原料升华与等 离子体化学气相沉积协同制备一种性能和厚度可控的聚马来酸酐薄膜。
技术介绍
聚马来酸酐因主链上含有大量羧酸酐取代基，结构特殊，性能优异，是一种用途广 泛的功能高分子化合物。利用马来酸酐单体自聚或与其它单体共聚可以制备结构、性能各 异的聚马来酸酐薄膜。通过聚马来酸酐镀膜，可在材料表面引入极性官能团。然而传统的聚 马来酸酐薄膜制备方法步骤繁琐、成本高、环保性能差。等离子体聚合法是沉积高分子膜的 一种新技术。目前，应用等离子体聚合法制备聚马来酸酐薄膜主要有两种方式，等离子体引 发马来酸酐聚合和马来酸酐等离子体聚合。前者是采用氩或氧等离子体活化底物和基片， 引发马来酸酐单体聚合成膜。后者是对马来酸酐单体直接放电产生马来酸酐等离子体聚合 成膜。相关研究表明等离子体引发马来酸酐聚合产物酸酐基团可以很好保存下来，但聚合 产率很低；马来酸酐等离子体聚合过程中大量酸酐基团被破坏掉，很难控制酸酐基团的保 留量。此外，这两种方法皆需向等离子体腔体内引入气态马来酸酐单体，(其中气态马来酸 酐可以通过马来酸酐固体升华和马来酸酐溶液汽化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚马来酸酐薄膜的制备方法，其特征在于在等离子体沉积炉中加热升华马来酸酐单体原料，采用低温等离子体技术，利用辉光放电把气态马来酸酐单体等离子化，使其产生活性自由基，这些活性自由基之间或自由基与单体之间发生加成聚合反应形成聚马来酸酐薄膜。

【技术特征摘要】
一种聚马来酸酐薄膜的制备方法，其特征在于在等离子体沉积炉中加热升华马来酸酐单体原料，采用低温等离子体技术，利用辉光放电把气态马来酸酐单体等离子化，使其产生活性自由基，这些活性自由基之间或自由基与单体之间发生加成聚合反应形成聚马来酸酐薄膜。2.如权利要求1所述的一种聚马来酸酐薄膜的制备方法，其特征在于所述的马来酸酐 单体原料为固态。3.如权利要求1所述的一种聚马来酸酐薄膜的制备方法，其特征在于包括 以下步骤(1)、用称量瓶称取粉末状的马来酸酐单体原料，将此称量瓶固定于培养皿的中心，再 将载玻片固定于此培养皿中，使其均勻分散在称量瓶的四周；(2)、将步骤(1)所得体系置于等离子体沉积炉中，抽本底...

【专利技术属性】
技术研发人员：王霞，李晓燕，廖圣云，窦仁美，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]