单乙烯基芳烃／共轭二烯共聚物制造技术

公开了一种单乙烯基芳烃／共轭二烯嵌段共聚物，其包含：（ｉ）无规（共轭二烯ｘ／单乙烯基芳烃ｙ）ｍ嵌段，其中ｘ为约２．５ｗｔ％至约１０ｗｔ％，ｙ为约９０ｗｔ％至约９７．５ｗｔ％，ｘ＋ｙ为约９７．５ｗｔ％至１００ｗｔ％；和（ｉ　ｉ）（共轭二烯）ｎ嵌段；其中ｎ为约２０ｗｔ％至约３０ｗｔ％，ｍ为约７０ｗｔ％至约８０ｗｔ％，ｍ＋ｎ为约９０ｗｔ％至１００ｗｔ％。还公开一种制备嵌段聚合物的方法，及由所述嵌段共聚物制造制品的方法。通常所述嵌段共聚物的Ｔｇ比参考聚合物的Ｔｇ低至少约１０℃，该参考聚合物与其差别仅在于ｘ为约０ｗｔ％和ｙ为约１００ｗｔ％。

【技术实现步骤摘要】
单乙烯基芳烃/共轭二烯共聚物本申请是申请号为200810096266. 5申请的分案申请。
本专利技术一般地涉及聚合物化学领域。更具体地，本专利技术涉及相对于参考苯乙 烯-丁二烯共聚物具有较低Tg的单乙烯基芳烃-共轭二烯共聚物。
技术介绍
由单乙烯基芳烃-共轭二烯的共聚物，如苯乙烯-丁二烯共聚物，诸如K-树月旨 (Woodlands, TX的Chevron Phillips Chemical Co.)，形成的制品通常具有多种优良的物 理性能。但是，在需要热收缩加工步骤的制品的情况下，单乙烯基芳烃-共轭二烯共聚物 通常在使用中不太有利，这是因为其玻璃化转变温度(Tg)，即发生收缩的温度，通常为约 95°C至约108°C。这一相对较高的Tg需要使用相对大量的热量，以达到进行收缩的温度。因此，具有较低的Tg且更容易热收缩加工的单乙烯基芳烃-丁二烯共聚物将是令 人满意的。
技术实现思路
在一个实施方案中，本专利技术涉及一种单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物，其包 含无规的(共轭二烯x/单乙烯基芳烃y)m嵌段，其中χ为约2.5wt%至约10wt%，y 为约 90wt%至约 97. 5wt%, x+y 为约 97. 5wt%M 100wt% ；禾口(共轭二烯)n嵌段；其中η为约20wt%至约30wt%，m为约70wt%至约80wt%，m+n为约9(^{%至 IOOwt %。在另一个实施方案中，本专利技术涉及一种制品，其包含以上所述的单乙烯基芳烃/ 共轭二烯嵌段共聚物。在又一个的实施方案中，本专利技术涉及制备具有较低Tg的单乙烯基芳烃/共轭二烯 嵌段共聚物的方法，其包括(a)进料单乙烯基芳烃单体、共轭二烯单体、引发剂和无规剂(randomizer)，使聚 合进行，以制备无规(共轭二烯J单乙烯基芳烃y)m嵌段；(b)进料单乙烯基芳烃单体、共轭二烯单体和引发剂，使聚合进行，以制备单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段；(c)进料共轭二烯单体，使聚合进行，以制备(共轭二烯)n嵌段；和(d)进料含有偶联剂的反应混合物，形成单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物。在又另一个实施方案中，本专利技术涉及一种制造制品的方法，其包括使单乙烯基芳 烃/共轭二烯嵌段共聚物成型为制品，其中所述单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物为如 上所述。本专利技术提供具有较低的Tg和更容易热收缩加工的单乙烯基芳烃-共轭二烯共聚 物。附图说明以下附图形成为本说明书的一部分，并被包括在内以进一步说明本专利技术的某些方 面。通过参考这些附图中的一个或多个、以及结合这里所阐述的对具体实施方案的详细描 述，本专利技术将可以得到更好的理解。图1示出了实施例1聚合物的差式扫描量热(DSC)试验的结果。图2示出了实施例2聚合物的DSC试验结果。图3示出了作为实施例1-2聚合物的参考聚合物的比较例5聚合物的DSC试验结^ ο实施本专利技术的最佳方式在一个实施方案中，本专利技术涉及一种单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物，其包 含无规(共轭二烯J单乙烯基芳烃y)m嵌段，其中χ为约2. 5wt%至约10wt%，y为 约 90wt%至约 97. 5wt%, x+y 为约 97. 5wt%M 100wt% ；禾口(共轭二烯)n嵌段；其中η为约20wt%至约30wt%，m为约70wt%至约80wt%，m+n为约9(^{%至 IOOwt %。用于制备共轭二烯/单乙烯基芳烃嵌段共聚物的基本原料及聚合条件公开在 US4, 091，053,4, 584，346,4, 704，434,4, 704，435 和 5，227，419 中，其公开内容通过参考引 入。这里使用的“共轭二烯”是指含有共轭的碳-碳双键并含有总计4-12个碳原子，例 如4-8个碳原子，的有机化合物。示例性的共轭二烯包括但不限于1，3_ 丁二烯、2-甲基-1，3-丁二烯、2-乙基-1，3- 丁二烯、2，3- 二甲基-1，3- 丁二烯、1，3-戊二烯、3- 丁基 _1，3-辛 二烯，及它们的混合物。在一个实施方案中，所述共轭二烯可以是1，3- 丁二烯或异戊二烯。 在又一个实施方案中，所述共轭二烯可以是1，3_ 丁二烯。其中所述单元得自共轭二烯单体 聚合的聚合物的单元是“共轭二烯单元”。这里使用的“单乙烯基芳烃”是指含有单个的碳-碳双键、至少一个芳族部分并含 有总计8-18个碳原子，例如8-12个碳原子，的有机化合物。示例性的单乙烯基芳烃包括但 不限于苯乙烯、α -甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2-乙基苯乙 烯、3-乙基苯乙烯、4-乙基苯乙烯、4-正丙基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯、2，4-二甲基苯乙烯、4-环己基苯乙烯、4-癸基苯乙烯、2-乙基-4-苄基苯乙烯、4-(4-苯基-正丁基)苯乙烯、 1-乙烯基萘、2-乙烯基萘，及它们的混合物。在一个实施方案中，所述单乙烯基芳烃是苯乙 烯。其中所述单元得自单乙烯基芳基单体聚合的聚合物的单元是“单乙烯基芳烃单元”。在本专利技术的聚合物中，无规(共轭二烯J单乙烯基芳烃y)m嵌段包含共轭二烯单 元和单乙烯基芳烃单元。所述嵌段是“无规”的，因为任何具体单元是共轭二烯单元或单乙 烯基芳烃单元的概率基本上与共轭二烯和单乙烯基芳烃在嵌段中的摩尔分数相同。这并不 排出具有规则性(例如看起来不是无规)的嵌段的短伸展的可能性，但这种存在的规则伸4展通常不高于偶然预期的水平。在所述的无规(共轭二烯J单乙烯基芳烃y)m嵌段中，共轭二烯单元可以重量分 数X表示，其中X可以是约2. 5wt%至约IOwt %，单乙烯基芳烃单元可以重量分数y表示， 其中y可以是约90wt%至约97. 5wt%。在一个实施方案中，χ可以是约5wt%至约10wt%。在一个实施方案中，y可以是约90 1%至约95wt%。本领域的技术人员显而易见的是，x+y可小于或等于100wt%。在一个实施方案 中，χ+y 可以是约 97. 5wt%M IOOwt % ο在χ+y小于IOOwt %时，无规(共轭二烯x/单乙烯基芳烃y)m嵌段重量分数的剩余 部分可以包含一种或多种其它单元。可以通过乙烯基加成聚合而包含在所述聚合物中的任 何其它单元可以是提供无规(共轭二烯J单乙烯基芳烃y)m嵌段重量分数的剩余部分的其 它单元。(共轭二烯)n嵌段包含共轭二烯单元，也可以包含小量(少于约)的一种 或多种其它单元。可以通过乙烯基加成聚合而包含在所述聚合物中的任何其它单元可以是 包含小量的(共轭二烯)n嵌段的其它单元。无规(共轭二烯x/单乙烯基芳烃y)m嵌段和(共轭二烯) 嵌段的比例可以通过其 重量分数m和η定义。在一个实施方案中，η可以是约5 1%至约45wt%，m可以是约55 {%至约 95wt%。在又一个实施方案中，η可以是约20wt%至约30wt%，m可以是约70wt%至约 80wt %。在另一个实施方案中，η可以是约25wt %，m可以是约75wt %。本领域的技术人员显而易见的是，m+n可小于或等于100Wt%。在一个实施方案 中，m+n 可为约 9(^1%至 IOOwt %。在m+n小于IOOwt %时，所述共聚物重量分数的剩余部分可以包含一种或多种其 它嵌段。可以通过乙烯基加成聚合而包含在所述嵌段共聚物中的任何其它嵌段可以是提供 所述共聚物重量分数的剩余部分的其它嵌段。这种嵌段的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单乙烯基芳烃／共轭二烯嵌段共聚物，其包括以下结构：〈Ｂ／Ｓ〉２－〈Ｂ／Ｓ〉３〈Ｂ／Ｓ〉－４－〈Ｂ／Ｓ〉５－ＣＡ，其中是递变单乙烯基芳烃／共轭二烯嵌段；ＣＡ是偶联剂残基；２的共轭二烯含量为２．５ｗｔ％至１０ｗｔ％，〈Ｂ／Ｓ〉３、〈Ｂ／Ｓ〉４和〈Ｂ／Ｓ〉５的共轭二烯含量为３０ｗｔ％至７０ｗｔ％。

【技术特征摘要】
US 2003-11-10 10/705,7041.一种单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物，其包括以下结构<B/S>2-<B/S>3-<B/S>4-<B/S>5-CA,其中<B/S>是递变单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段；CA是偶联剂残基；<B/S>2的共轭 二烯含量为2. 5 丨％至IOwt %，<B/S>3、<B/S>4和<B/S>5的共轭二烯含量为30wt %至 70wt%。2.权利要求1的单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物，其进一步包含与所述〈B/ S>2-<B/S>3-<B/S>4-<B/S>5-CA结构的<B/S>2嵌段共价连接的<B/S>1嵌段，其中所述〈B/ S>1的共轭二烯含量为2. 5 1%至IOwt %。3.—种单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段共聚物，其包括以下结构(B/S)1-(B/S)2-<B/S>3-<B/S>4-<B/S>5-CA其中(B/S)为无规单乙烯基芳烃/共轭二烯嵌段；<B/S>是递变单乙烯基芳烃/共轭二 烯嵌段；CA是偶联剂残基；-是嵌段之间的共价键；(B/S) 1和(ΒΛ) 2各自的共轭二烯含量 为 2. 5wt%M IOwt % ； <B/S>3、<B/S&...

【专利技术属性】
技术研发人员：NE斯达西，LL纳什，JD霍特维，
申请(专利权)人：切夫里昂菲利普化学有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]