透明导电性薄膜制造技术

一种透明导电性薄膜，其包括设置在薄膜基底的一个表面上的聚合物层，和设置在聚合物层上的透明导电层，薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸。薄膜基底的折射率η１与聚合物层的折射率η２的差｜η１－η２｜设置为至多０．０２。聚合物层含有折射率ηＰ为至少１．８０的金属氧化物颗粒，以及固定该颗粒、且折射率ηＢ为至少１．６０的粘结剂。金属氧化物颗粒相对于粘结剂的质量比设置为大于０％且等于或小于１００％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种透明导电性薄膜，更具体而言涉及包括由聚酯形成的薄膜基底和 导电层的透明导电性薄膜。
技术介绍
近年来，对作为用于电器和电子领域元件的透明导电性薄膜的需要日渐增加。透 明导电薄膜可用作例如平板显示器、如液晶面板和场致发光(EL)面板及触摸屏的透明电 极。该透明导电性薄膜是多层膜，其中导电金属氧化物薄膜布置在由透明聚合物形成的薄 膜基底(film base)上。作为金属氧化物，有氧化锡，氧化铟，铟-锡复合氧化物，氧化锌等。作为薄膜基底，在两个方向上彼此交叉拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、 即所谓的双向拉伸PET膜已广泛应用，如日本专利特许公开号8-M4186 (1996-244186) 所公开的，这是由于双轴拉伸的PET膜具有极好的透明度、尺寸稳定性、化学品耐受性、 低吸湿性、电绝缘性等性质。而且，在一些情况下，可在薄膜基底和导电层之间设置可赋 予导电性薄膜各种功能的层。作为这样的所谓功能层，有用以增加薄膜基底和导电层之 间粘结度的粘合层，和用以赋予导电性薄膜抗划伤性的硬涂层，如日本专利特许公开号 8-244186(1996-244186)和 2000-0945本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜，其包括：薄膜基底，所述薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸；聚合物层，所述聚合物层在所述薄膜基底的一个表面上形成，并含有折射率ηＰ为至少１．８０的金属氧化物颗粒，及固定所述颗粒、且折射率ηＢ为至少１．６０的粘结剂，所述颗粒相对于所粘结剂的质量比为至多１００％，所述薄膜基底的折射率η１与所述聚合物层的折射率η２的差为至多０．０２；和在所述聚合物层上形成的透明导电层。

【技术特征摘要】
JP 2009-8-19 190532/20091.一种透明导电性薄膜，其包括薄膜基底，所述薄膜基底由聚酯形成，并被双向拉伸；聚合物层，所述聚合物层在所述薄膜基底的一个表面上形成，并含有折射率ηΡ为至 少1. 80的金属氧化物颗粒，及固定所述颗粒、且折射率ηΒ为至少1. 60的粘结剂，所述颗 粒相对于所粘结剂的质量比为至多100%，所述薄膜基底的折射率η 1与所述聚合物层的 折射率Π 2的差为至多0. 02 ；和在所述聚合物层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：才木隆史，今村直也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]