记忆合金均载连接减振元件的制造方法，它涉及一种减振元件的制造方法。本发明专利技术解决了现有复合材料脆性大，性能各向异性，机械加工易分层，局部强度差，接头受力复杂，一旦构件局部过载，会因应力集中导致整个构件迅速破坏的问题。其制造方法如下：一、将ＴｉＮｉ记忆合金经冷轧变形２０％以上，然后在３００℃～５５０℃退火处理１小时，然后机械加工，再约束时效即得元件；二、将元件按照先放入液氮再放入沸水的顺序重复２０～１００次，即得记忆合金均载连接减振元件。采用本发明专利技术方法制备的均载连接减振元件，同时具有优良的超弹性性能（恒弹力应变可达８％、高的上平台应力大于４９０ＭＰａ）以及优异的阻尼行为，可实现完美的均载连接，避免局部应力集中而导致的失效破损问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种减振元件的制造方法。
技术介绍
目前机械连接所采用的钢制螺纹结构在机器运行过程中常常因为振动产生应力 集中而导致失效。尤其在航空、航天、汽车等领域内大量使用复合材料，但由于复合材料的 各向异性及脆性，其在受到振动时更加容易产生应力集中，从而萌生裂纹而破损，严重的地 影响了整个体系的安全性和可靠性。例如，树脂基碳纤维复合材料具有重量轻、强度高等优 点，是航天结构优选材料，已获得广泛采用。但这种复合材料脆性大，性能各向异性，机械加 工易分层，局部强度差，接头受力复杂，一旦构件局部过载，会因应力集中导致整个构件迅 速破坏，因此对复合材料构件均载连接提出很高的要求。通常的机械连接受力不均，效果 差，重量大，难以满足使用要求。本研究采用TiNi基形状记忆合金，通过适当的热处理工艺 调整其相变温度和组织结构，设计并制备了记忆合金均载连接减振元件，可实现均载减振 连接，有效避免因局部应力集中而导致的失效破损。
技术实现思路
本本专利技术解决了现有复合材料脆性大，性能各向异性，机械加工易分层，局部强度 差，接头受力复杂，一旦构件局部过载，会因应力集中导致整个构件迅速破坏的问题，提供 了一种。本专利技术如下一、将TiNi记忆合金经冷 轧变形20%以上，然后在300°C 550°C退火处理1小时，然后机械加工，再在IOOMPa 250MPa、400°C 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先放入液氮中至元 件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复20 100次，即得记 忆合金均载连接减振元件。本专利技术方法将元件在液氮温度和沸水温度之间往复热循环20 100次，使元件获 得稳定的性能，而且TiNi合金在冷变形过程中引入大量位错，而后的退火处理可使其具有 规则组态，且同时使得基体中析出大量的细小弥散第二相，从而使其具有较好的阻尼特性 和超弹性性能。采用本专利技术方法制备的均载连接减振元件，同时具有优良的超弹性性能(恒弹力 应变可达8%、高的上平台应力大于490MPa)以及优异的阻尼行为，可实现完美的均载连 接，避免局部应力集中而导致的失效破损问题。采用本专利技术方法制备的均载连接减振螺栓与65Mn钢制螺纹相比，其低频减振性 能提高3倍以上，具有紧固力高，超弹性应变大，性能稳定的优点。附图说明图1是应用具体实施方式十九制备的记忆合金均载连接减振螺栓的连接示意3图2是具体实施方式十六至十九制备的记忆合金均载连接减振螺栓的超弹性应变对比图， 图中A表示具体实施方式十六制备的记忆合金均载连接减振螺栓的超弹性应变，B表示具 体实施方式十七制备的记忆合金均载连接减振螺栓的超弹性应变，C表示具体实施方式 十八制备的记忆合金均载连接减振螺栓的超弹性应变，D表示具体实施方式十九制备的记 忆合金均载连接减振螺栓的超弹性应变；图3是具体实施方式十六至十九制备的记忆合金 均载连接减振螺栓的上平台应力对比图，图中A表示具体实施方式十六制备的记忆合金均 载连接减振螺栓的上平台应力，B表示具体实施方式十七制备的记忆合金均载连接减振螺 栓的上平台应力，C表示具体实施方式十八制备的记忆合金均载连接减振螺栓的上平台应 力，D表示具体实施方式十九制备的记忆合金均载连接减振螺栓的上平台应力。具体实施例方式本专利技术技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的 任意组合。具体实施方式一本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在300°C 550°C退火处理1小时，然后机 械加工，再在IOOMPa 250MPa、400°C 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件 按照先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重 复20 100次，即得记忆合金均载连接减振元件。采用本实施方式制备的均载连接减振元件，同时具有优良的超弹性性能(恒弹力 应变可达8%、高的上平台应力大于490MPa)以及优异的阻尼行为，可实现完美的均载连 接，避免局部应力集中而导致的失效破损问题。具体实施方式二 本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中在320°C 430°C退火处理1小时。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式三本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中在400°C退火 处理1小时。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式四本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤二中将元件按照 先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复 30 90次。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式五本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤二中将元件按照 先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复 40 80次。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式六本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤二中将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复60 次。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式七本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在300°C退火处理1小时，然后机械加工， 再在IOOMPa 250MPa、40(TC 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复20 次，即得记忆合金均载连接减振元件。具体实施方式八本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在310°C退火处理1小时，然后机械加工， 再在IOOMPa 250MPa、40(TC 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复30 次，即得记忆合金均载连接减振元件。具体实施方式九本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在350°C退火处理1小时，然后机械加工， 再在IOOMPa 250MPa、40(TC 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复40 次，即得记忆合金均载连接减振元件。具体实施方式十本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在360°C退火处理1小时，然后机械加工， 再在IOOMPa 250MPa、40(TC 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复50 次，即得记忆合金均载连接减振元件。具体实施方式十一本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在380°C退火处理1小时，然后机械加工， 再在IOOMPa 250MPa、40(TC 550°C的条件下约束时效lh，即得元件；二、将元件按照先 放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复60 次，即得记忆合金均载连接减振元件。具体实施方式十二 本实施方式中如下 一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20%以上，然后在400°C退火处理1小时，然后机械加工，本文档来自技高网...
【技术保护点】
记忆合金均载连接减振元件的制造方法，其特征在于记忆合金均载连接减振元件的制造方法如下：一、将ＴｉＮｉ记忆合金经冷轧变形２０％以上，然后在３００℃～５５０℃退火处理１小时，然后机械加工，再在１００ＭＰａ～２５０ＭＰａ、４００℃～５５０℃的条件下约束时效１ｈ，即得元件；二、将元件按照先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复２０～１００次，即得记忆合金均载连接减振元件。
【技术特征摘要】
记忆合金均载连接减振元件的制造方法，其特征在于记忆合金均载连接减振元件的制造方法如下一、将TiNi记忆合金经冷轧变形20％以上，然后在300℃～550℃退火处理1小时，然后机械加工，再在100MPa～250MPa、400℃～550℃的条件下约束时效1h，即得元件；二、将元件按照先放入液氮中至元件与液氮温度相同，再放入沸水中至元件与沸水温度相同的顺序重复20～100次，即得记忆合金均载连接减振元件。2.根据权利要求1所述记忆合金均载连接减振元件的制造方法，其特征在于步骤一中 在320°C 430°C退火处理1小时。3.根据权利要求1所述记忆合金均载连接减振元件的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥龙，吴冶，蔡伟，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。