低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板制造技术

本发明专利技术解决如下问题：对于ＳｉＯ２－ＢａＯ－Ａｌ２Ｏ３系低温烧结陶瓷材料而言，特别是将其作为原料工业上制造多层陶瓷基板时，存在原料批次间的品质（特别是烧结性）易于产生偏差。本发明专利技术中，作为用于构成多层陶瓷基板（１）的陶瓷层（２）而使用的陶瓷材料使用以下材料：以ＳｉＯ２－ＢａＯ－Ａｌ２Ｏ３系低温烧结陶瓷材料作为基本成分，并且相对于该ＳｉＯ２－ＢａＯ－Ａｌ２Ｏ３系基本成分１００重量份，作为副成分含有以Ｆｅ２Ｏ３换算计为０．０４４～０．０７７重量份的铁，和以ＺｒＯ２换算计为０．３０～０．５５重量份的锆。优选的是所述ＳｉＯ２－ＢａＯ－Ａｌ２Ｏ３系基本成分分别含有４７～６０重量％的ＳｉＯ２，２０～４２重量％的ＢａＯ，５～３０重量％的Ａｌ２Ｏ３。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板，尤其涉及 用于抑制低温烧结陶瓷材料的烧结性的偏差的改良。
技术介绍
作为多层陶瓷基板中使用的电气绝缘体材料，已知有SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结 陶瓷材料。该材料由于可与铜之类的比电阻小的金属材料同时进行烧结、绝缘电阻高、介电 常数小，因此，作为高频用的电子部件模块中使用的基板材料特别有用。为了对SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料进行各种特性的改善，可以加入各种 添加物。例如，如在日本特开2004-3459 号公报(专利文献1)、日本特开2008-448 号 公报(专利文献2)所公开的那样，有时加入ττ作为添加物。在专利文献1的段落W029]等中，公开了通过加入适量的锆，可以得到致密且烧 结性好、Q值高的陶瓷烧结体的技术思想。另外，在专利文献2的段落W074]等中，公开了 通过加入适量的锆，可以得到高弯曲强度和高Qf值的技术思想。然而，对于SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料而言，特别是将其作为原料工业上 制造多层陶瓷基板时，存在原料批次间的品质(特别是烧结性)易于产生偏差的问题。专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温烧结陶瓷材料，其以ＳｉＯ↓［２］－ＢａＯ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］系低温烧结陶瓷材料作为基本成分，并且，相对于该ＳｉＯ↓［２］－ＢａＯ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］系基本成分１００重量份，作为副成分含有以Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］换算计为０．０４４～０．０７７重量份的铁和以ＺｒＯ↓［２］换算计为０．３０～０．５５重量份的锆。

【技术特征摘要】
JP 2009-10-20 2009-2411001.一种低温烧结陶瓷材料，其以SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料作为基本成分， 并且，相对于该SiO2-BaO-Al2O3系基本成分100重量份，作为副成分含有以狗203换算计为 0. 044 0. 077重量份的铁和以^O2换算计为0. 30 0. 55重量份的锆。2.根据权利要求1所述的低温烧结陶瓷材料，其中，所述SiO2-BaO-A...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山智哉，川田裕三，马场彰，川上弘伦，加藤功，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]