一种Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋，Ｎ荧光粉及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋，Ｎ荧光粉及其制备方法，其中Ｓｒ、Ｓｉ、Ｅｕ、Ｎ的化学计量比为２∶１∶ｘ∶ｙ，其中０．０３≤ｘ≤０．０５，０＜ｙ≤０．５；制备包括：以碳酸锶，氧化硅，氧化铕为原料，混合均匀，过筛，干燥；将上述干燥后的混合物在流动的氨气气流中氮化；将氮化后的产物粉碎，得到亮黄色荧光粉体。本发明专利技术的Ｎ掺杂Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋荧光粉激发范围宽，与蓝光ＬＥＤ芯片配合的效果好，且制备方法简单，制备过程中可以方便实现发射波长的调控，适合于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属Sr2Si04:Eu2+荧光粉及其制备领域，特别是涉及一种Sr2Si04:Eu2+，N荧 光粉及其制备方法。
技术介绍
随着白光LED技术的发展以及固体照明的普及，传统白光LED荧光粉已逐渐不 能满足人们日益增长的需求。目前广泛使用的Eu2+以及Ce3+掺杂氧化物荧光粉(例如 YAG:Ce荧光粉)，由于受氧化物晶体场强度的限制，发光很难拓展到长波长区域，这就 导致白光LED色温偏高，显色指数较低。为了解决这些问题，人们相继开发出了硫系荧 光粉(例如SrS:Eu2+和CaS:Eu2+)以及氮化物荧光粉(例如Ca2Si5N8:Eu)，然而硫系荧光 粉稳定性较差且易潮解，氮化物荧光粉虽然发光性能优异，热稳定性好，但制备制备条 件过于苛刻且成本较高。因此，在现有氧化物基体上探索一条使其发光波长红移的途径 显得尤为重要。稀土掺杂硅酸盐荧光粉为氧化物荧光粉中较为成熟的一个体系，其中 Sr2Si04:Eu2+荧光粉发光波长较长，在与蓝光LED芯片配合使用过程中已显现出良好 的应用前景(A.Nag and T.R N.Kutty，J.Mater.Chem.，2004, 14，1598本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｓｒ↓［２］ＳｉＯ↓［４］：Ｅｕ↑［２＋］，Ｎ荧光粉，其中Ｓｒ、Ｓｉ、Ｅｕ、Ｎ的化学计量比为２∶１∶ｘ∶ｙ，其中０．０３≤ｘ≤０．０５，０＜ｙ≤０．５。

【技术特征摘要】
1.一种Sr2Si04:Eu2+，N荧光粉，其中Sr、Si、Eu、N的化学计量比为2 1 χ y, 其中 0.03<x<0.05, 0 < y<0.5o2.—种Sr2Si04:Eu2+，N荧光粉的制备方法，包括(1)以碳酸锶，氧化硅，氧化铕为原料，按摩尔比2 1 0.03 0.05混合均勻，过 筛，干燥；(2)将上述干燥后的混合物在流动的氨气气流中氮化，氮化温度为1200 1500°C；(3)将氮化后的产物粉碎，得到亮黄色荧光粉体。3.根据权利要求2所述的一种Sr2Si04:EU2+，N荧光粉的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏志，谷鋆鑫，李耀刚，张青红，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：31