光纤传感用光收发组件制造技术

技术编号:5111771 阅读:173 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种用于光纤传感受领域和光纤通信领域的光收发组件,特别是一种光纤传感用光收发组件。其超辐射发光二极管、耦合器或分束器、接收用高线性度光电探测器芯片、监视用光电探测器芯片和前置跨阻放大电路组成;本实用新型专利技术所述光纤传感用光收发组件采用芯片级的光电集成工艺,其显著优点为集成度高、体积小、输出功率高、耗低损等特点,对于光纤陀螺的小型化具有重要的意义,同时也由于简化工艺,有助于提高光纤陀螺等光纤传感器的一致性和可靠性。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于光纤传感受领域和光纤通信领域的光收发组件,特别是一种光纤传感用光收发组件
技术介绍
以光纤陀螺为代表的光纤传感领域,所使用的光源及探测器均是分立器件,超辐 射发光二极管(SLD)作为宽带光源,PIN-FET组件则作为光探测器,他们之间使用了一个 耦合器连接,结构框图见附图说明图1。其中,超辐射发光二极管(SLD) —般采用8pin蝶型封装, PIN-FET光探测器一般采用14pin或8pin双列直插型封装,相对而言体积都比较大,再加上 耦合器,限制了光纤陀螺等光纤传感器进一步小型化,从而限制了光纤陀螺等光纤传感器 的应用范围。同时,由于上述各分立器件都留有1米左右的尾纤,以便于光纤熔接,而每次 熔接都会带来插入损耗,而且,多段尾纤需要盘绕固定,每根尾纤在熔接后都需要盘绕成环 并固定在骨架上,工艺控制比较难, 一致性难以保证。 在光通讯领域,光收发组件已经得到广泛应用,主要是同轴封装,使用T0型的激 光器和探测器,利用分光片分束,具有结构简单,体积小等特点,结构见图2。但由于采用非 宽带光源,且无温控,波长不稳定,不符合光纤陀螺应用要求。
技术实现思路
本技术提供一种集成度高、体积小、输出功率高、耗低损、且可以减少至少3 次光纤熔接,能保证较好一致性和可靠性的光纤传感用光收发组件。 为解决上述技术问题,本技术是按如下方式实现的本技术所述光纤传 感用光收发组件由超辐射发光二极管、耦合器或分束器、接收用高线性度光电探测器芯片、 监视用光电探测器芯片和前置跨阻放大电路组成;超辐射发光二极管于垂直方向置于耦合 器或分束器下方;接收用高线性度光电探测器芯片前置于耦合器或分束器左侧;监视用光 电探测器芯片于垂直方向置于耦合器或分束器上方;前置跨阻放大电路与接收用高线性度 光电探测器芯片电连接。 所述前置跨阻放大电路主要由场效应晶体管、微波三极管以及其它微波元件组 成。 本技术的积极效果本技术所述光纤传感用光收发组件采用芯片级的光 电集成工艺,其显著优点为集成度高、体积小、输出功率高、耗低损等特点,对于光纤陀螺的 小型化具有重要的意义。同时也由于简化工艺,有助于提高光纤陀螺等光纤传感器的一致 性和可靠性。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1传统光纤陀螺原理框图 图2光通讯用光收发组件结构图 图3使用本技术的光纤陀螺原理框图 图4为本技术结构示意图 图中,l光收发组件 2超辐射发光二极管 3耦合器或分束器4接收用高线性度光电探测器芯片 5监视用光电探测器芯片 6前置跨阻放大电路 7分光片 8激光器 9探测器具体实施方式如图4所示,本技术所述光纤传感用光收发组件1由超辐射发光二极管2、耦 合器或分束器3、接收用高线性度光电探测器芯片4、监视用光电探测器芯片5和前置跨阻 放大电路6组成;超辐射发光二极管2于垂直方向置于耦合器或分束器3下方;接收用高 线性度光电探测器芯片4前置于耦合器或分束器3左侧;监视用光电探测器芯片5于垂直 方向置于耦合器或分束器3上方;前置跨阻放大电路6与接收用高线性度光电探测器芯片 4电连接。 所述前置跨阻放大电路6主要由场效应晶体管、微波三极管以及其它微波元件组 成。 上述光纤传感用光收发组件1采用14pin金属管壳全金属化封装,采用陶瓷基板 厚膜混合集成电路工艺,带单模或保偏尾纤耦合输出方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤传感用光收发组件,其特征在于:其由超辐射发光二极管(2)、耦合器或分束器(3)、接收用高线性度光电探测器芯片(4)、监视用光电探测器芯片(5)和前置跨阻放大电路(6)组成;超辐射发光二极管(2)于垂直方向置于耦合器或分束器(3)下方;接收用高线性度光电探测器芯片(4)前置于耦合器或分束器(3)左侧;监视用光电探测器芯片(5)于垂直方向置于耦合器或分束器(3)上方;前置跨阻放大电路(6)与接收用高线性度光电探测器芯片(4)电连接。

【技术特征摘要】
一种光纤传感用光收发组件,其特征在于其由超辐射发光二极管(2)、耦合器或分束器(3)、接收用高线性度光电探测器芯片(4)、监视用光电探测器芯片(5)和前置跨阻放大电路(6)组成;超辐射发光二极管(2)于垂直方向置于耦合器或分束器(3)下方;接收用高线性度光电探测器芯片(4)前置于耦合器...

【专利技术属性】
技术研发人员:王兵毛健薛挺
申请(专利权)人:北京浦丹光电技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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