用于电磁炉的控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于电磁炉的控制电路，包括：适合于在电磁炉上电瞬间保护绝缘栅双极型晶体管的保护单元，其中保护单元与绝缘栅双极型晶体管相连接。本实用新型专利技术能够在上电的瞬间对ＩＧＢＴ起到保护的作用，从而避免了电磁炉炸机现象的发生。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及家用电器领域，具体而言，涉及一种用于电i兹 炉的控制电路。
技术介绍
在实现本技术过程中，专利技术人发现现有的电磁炉在上电的 瞬间电路未建立稳态，如果在电路未建立稳态的时刻电路引入外部电源干4尤，IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝纟彖4册双才及型 晶体管)可能会因过流而损坏，进而导致电磁炉发生炸机。
技术实现思路
本技术旨在提供一种用于电磁炉的控制电路，能够解决现 有的电》兹炉在上电的瞬间IGBT可能会因过流而损坏，进而导致电 石兹炉发生炸才几的问题。在本技术的实施例中，提供了 一种用于电磁炉的控制电 路，包括适合于在电磁炉上电瞬间保护绝缘栅双极型晶体管的保 护单元，其中保护单元与绝缘栅双极型晶体管相连接。优选地，在上述的控制电路中，保护单元包括电源VCC、第 一电阻R1、第二电阻R2，三才及管Q1， 二才及管D1、继电器J以及 继电器第一输出控制端口 Pl和第二输出控制端口 P2，其中，三极 管Ql的发射极接地；三极管Ql的基极与第一电阻R1的一端相连接，第一电阻R1的另一端连接单片机的控制信号；三极管Q1的集 电才及与继电器J的一端，第二电阻R2连4妾在继电器J的另一端与 电源VCC之间；继电器第一输出控制端口 Pl和第二输出控制端口 P2与继电器J相连"^妄；二才及管D1与继电器J并联。优选地，在上述的控制电5各中，继电器J是常闭继电器。优选地，在上述的控制电路中，继电器第一输出控制端口 Pl 和第二输出控制端口 P2分别与绝缘栅双极型晶体管的栅极与发射 极相连接。优选地，在上述的控制电路中，继电器J是常开继电器。优选地，在上述的控制电路中，继电器第一输出控制端口 Pl 和第二输出控制端口 P2串联在电磁炉的电感器与电容器之间。在本技术中，由于通过在电路中增设与IGBT相连接的保 护单元，解决了现有的电》兹炉在上电的瞬间IGBT可能会因过流而 损坏，进而导致电磁炉发生炸机的问题，能够在上电的瞬间对IGBT 起到保护的作用，从而避免了电f兹炉炸才几现象的发生。附图说明此处所i兌明的附图用来才是供对本技术的进一步理解，构成 本申i青的一部分，本技术的示意性实施例及其i兌明用于解释本 技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中图1示出了根据本技术实施例的用于电磁炉的控制电路的 示意图；图2示出了根据本技术优选实施例的用于电磁炉的控制电 3各的电路示意图3示出了根据本技术优选实施例一的控制电路与IGBT 的连接示意图4示出了根据本技术优选实施例二的控制电路与IGTB 的连4妻示意图。具体实施方式下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本技术。图1示出了根据本技术实施例的用于电磁炉的控制电路的 示意图，图2示出了4艮据本技术优选实施例的用于电i兹炉的控 制电路的电3各示意图。如图1所示，该控制电路包括适合于在电磁炉上电瞬间保护 绝缘栅双极型晶体管IGBT的保护单元10，其中保护单元10与绝 缘栅双极型晶体管IGBT相连接。该实施例由于通过在电路中增设与IGBT相连接的保护单元， 解决了现有的电》兹炉在上电的瞬间IGBT可能会因过流而损坏，进 而导致电f兹炉发生炸机的问题，能够在上电的瞬间对IGBT起到保 护的作用，乂人而避免了电》兹炉炸枳i现象的发生。如图2所示，4呆护单元包:fe:电源VCC、第一电阻R1、第二 电阻R2，三才及管Ql, 二才及管D1、继电器J以及继电器第一丰lr出控 制端口 Pl和第二输出控制端口 P2，其中三才及管Ql的发射才及^妄地； 三极管Q1的基极与第一电阻R1的一端相连接，第一电阻R1的另 一端连接单片机的控制信号；三极管Ql的集电极与继电器J的一端，第二电阻R2连4妄在继电器J的另一端与电源VCC之间；继电 器第一^T出控制端口 P1和第二^T出控制端口 P2与继电器J相连才妾； 二才及管D1与继电器J并联。图3示出了根据本技术优选实施例一的控制电路与IGBT 的连接示意图，在图3中，L、 N为电源输入口， BR为整流桥，Ll 为滤波电感，L2为线圏盘，Cl为滤波电容，C2为"i皆4展电容，RE 为上拉电阻，Pl、 P2分别为继电器第一输出控制端口和第二输出控 制端口。在如图3所示的优选实施例一中，继电器J是常闭继电器。继 电器第一输出控制端口 Pl和第二输出控制端口 P2分别与绝缘栅双 极型晶体管IGBT的栅极G与发射极E相连接，控制信号是高电平 信号。该优选实施例一通过在IGBT的G、 E才及之间并联一个常闭触 点的继电器J,上电过程中IGBT由于被短接而不能导通，从而防 止了 IGBT在上电的瞬间由于电流过大而》免坏，进而发生炸才几的现 象，起到了在上电瞬间保护IGTB的作用。待上电结束后，又利用 单片才几IO 口控制三才及管Ql的导通来驱动继电器J的断开，以此来 撤销保护，使电磁炉进入正常工作状态。上述优选实施例一的工作原理为IGBT的G、 E才及之间净皮常 闭继电器J短接，在电》兹炉上电瞬间IGBT上G、 E极之间的驱动 电压VGE为零，故不能导通。待上电结束后，利用单片机IO口输 出高电平驱动三极管Ql导通来控制继电器J断开，结束保护，电 /磁炉可正常工作。图4示出了根据本技术优选实施例二的控制电路与IGTB 的连4妄示意图，在图4中，L、 N为电源l命入口， BR为整流桥，Ll为滤波电感，L2为线圏盘，Cl为滤波电容，C2为i皆振电容，RE 为上拉电阻，Pl、 P2分别为继电器第一输出控制端口和第二输出控 制端口 。在如图4所示的优选实施例二中，继电器J是常开继电器。继 电器第一输出控制端口 Pl和第二输出控制端口 P2串联在电磁炉的 电感器与电容器之间。控制信号是高电平信号。该优选实施例二由于在电感L和电容C之间串联一个常开触点 的继电器J,上电过程中IGBT能导通但无电流，从而防止了 IGBT 在上电的瞬间由于电流过大而烧坏，进而发生炸才几的现象，起到了 在上电瞬间保护IGTB的作用。待上电结束后，又利用单片机IO 口 控制三才及管Ql的导通来驱动继电器J的闭合，以此来招t销保护， 使电,兹炉进入正常工作状态。上述优选实施例二的工作原理为在电流回路电感L、继电器 J、电容C、 IGBT(C、 E极之间)中，由于继电器J断开，不能形 成电流回路，故电^兹炉上电瞬间IGBT能导通但C、 E才及无电流流 过；待上电结束后，利用单片机IO 口输出高电平驱动三极管Ql导 通来控制继电器J闭合，结束保护，电磁炉可正常工作。上述优选实施例由于利用继电器J的常闭或常开的状态，使得 在上电瞬间IGBT不能导通或导通无电流；待上电结束后，利用单 片机IO 口控制三极管Q1的导通来驱动继电器J的断开或闭合，以 此来达到在上电瞬间4呆护IGBT并在上电结束后招t销保护4吏电》兹炉 正常工^f乍的目的。采用本技术能够有效地解决上电瞬间外部电源对电》兹炉 IGBT控制回路的干4尤和冲击，完全冲土绝了电》兹炉上电瞬间发生的 炸才几现象。从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下纟支术效果由于通过在电路中增设与IGBT相连接的保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电磁炉的控制电路，其特征在于，包括：适合于在所述电磁炉上电瞬间保护绝缘栅双极型晶体管的保护单元，所述保护单元与所述绝缘栅双极型晶体管相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：桂佰术，方坤，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]