具有含氮杂环化合物的残基的高分子化合物制造技术

本发明专利技术提供一种高分子化合物，其具有下述式（１）表示的化合物的残基及下述式（２）表示的化合物的残基，（式中，Ａｒ表示芳基或１价杂环基。）（式中，Ｚ１～Ｚ３中，１个表示－Ｎ＝、２个表示－Ｃ（Ｒ’）＝。Ｚ４及Ｚ５表示－Ｃ（Ｒ’）＝。Ｚ６～Ｚ８中，１个表示－Ｎ＝、２个表示－Ｃ（Ｒ’）＝。Ｚ９及Ｚ１０表示－Ｃ（Ｒ’）＝。Ｒ’表示氢原子、烷基等。）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有含氮杂环化合物残基的高分子化合物。
技术介绍
近年来，作为下一代显示器，使用有机电致发光元件的有机致致发光显示器备 受瞩目。该有机电致发光元件备有发光层、电荷传输层等有机层。而且，要求上述有 机层为电子注入性优异的有机材料，作为其实例，提出过具有三嗪骨架的高分子化合物 (日本特表2004-532314号公报)。但是，将该高分子化合物使用在有机电致发光元件的制造中时，得到的有机电 致发光元件的发光效率未必充分。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高分子化合物，其在有机电致发光元件的制造中使 用时，可以赋予显示优异发光效率的有机电致发光元件。本专利技术的第一方面提供一种高分子化合物，其具有用下述式(1)表示的化合物 的残基及用下述式(2)表示的化合物的残基。权利要求1. 一种高分子化合物，其具有用下述式(1)表示的化合物的残基及下述式(2)表示的 化合物的残基，其中，2.如权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(2)的R’为氢原子、可被氟 原子取代的烷基、可被氟原子取代的烷氧基、可被氟原子取代的芳基、可被氟原子取代 的芳氧基、可被氟原子取代的芳烷基、可被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子化合物，其具有用下述式（１）表示的化合物的残基及下述式（２）表示的化合物的残基，其中，＊＊＊（１）式中，Ａｒ表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的１价杂环基，存在的３个Ａｒ可以相同也可以不同，＊＊＊（２）式中，Ｚ↑［１］、Ｚ↑［２］及Ｚ↑［３］中，１个表示－Ｎ＝、２个表示－Ｃ（Ｒ’）＝，Ｚ↑［４］及Ｚ↑［５］表示－Ｃ（Ｒ’）＝，Ｚ↑［６］、Ｚ↑［７］及Ｚ↑［８］中，１个表示－Ｎ＝、２个表示－Ｃ（Ｒ’）＝，Ｚ↑［９］及Ｚ↑［１０］表示－Ｃ（Ｒ’）＝，Ｒ’表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的芳氧基、可以具...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安立诚，福岛大介，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，萨美甚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP