成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。本发明专利技术的成膜方法具有：一边将空气导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序（Ｐ２）；在该反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序（Ｐ３）；和一边将空气导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序（Ｐ５）。根据本发明专利技术，可以不使用氩气而进行反射膜的形成以及聚合物膜的亲水化处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在真空中通过蒸镀进行成膜的技术，特别地，涉及反射镜中使用的 反射膜的成膜技术。
技术介绍
以往，在制造这种反射镜之际，向真空槽内导入氩(Ar)气并通过蒸镀而在成膜 对象物上形成反射膜，然后向真空槽内导入拒水性聚合物膜形成用单体而在反射膜上形 成聚合物膜，进而使用氩气的等离子体进行聚合物膜表面的亲水化处理(例如，参照专 利文献1)。近年，这类反射镜制造用的成膜装置的构成的简化和成本降低受到要求，故为 此目的的研究开发不断进展。专利文献1 日本特开2003-207611号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是为解决上述以往的技术课题而完成的方面，其目的在于提供能够简化 装置构成和降低成本的反射膜形成技术。用于解决课题的手段本专利技术人等为解决上述课题反复深入研究，结果发现通过使用含有氧的气体 进行蒸镀和亲水化处理能够形成与使用氩气的情形相比毫不逊色的膜，从而完成了本发 明。基于上述见解而完成的本专利技术是成膜方法，其具有一边将含有氧的处理气 体导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工 序；在前述反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序；和一边将含有氧的处理 气体导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲 水化处理工序。此外，对于本专利技术，在前述专利技术中，在前述亲水化处理工序中导入的前述处理 气体是空气。此外，对于本专利技术，在前述专利技术中，在前述蒸镀膜形成工序中导入的前述处理 气体是空气。此外，对于本专利技术，在前述专利技术中，前述成膜对象物是构成反射镜的立体性构 件。另一方面，本专利技术是成膜装置，其具有能够容纳成膜对象物的真空处理槽； 连接于前述真空处理槽、且导入含有氧的处理气体的处理气体导入部；连接于前述真空 处理槽、且导入拒水性聚合物膜形成用单体的单体导入部；设置在前述真空处理槽内的 蒸发源；和设置在前述真空处理槽内的等离子体发生源。此外，对于本专利技术，在前述专利技术中，前述处理气体导入部构成为导入前述真空 处理槽近傍的空气。在本专利技术的情形，由于在含有氧的处理气体中在拒水性聚合物膜上实施基于等 离子体的亲水化处理，故与以往使用氩气的情形相比，可以通过使用活性的自由基来使 反应性提高。其结果，可以减小在亲水化处理工序中向拒水性聚合物膜上投入的电力， 因此可削减电力成本。此外，根据本专利技术，通过使用空气作为处理气体，可以削减反射膜形成和亲水 化处理中的处理气体的成本，同时由于变得不需要处理气体用的配管等，因此可以实现 简化装置构成和降低成膜装置的成本。进一步地，如果使用空气作为处理气体，则由于变得不需要防止缺氧等的安全 对策，故可以提供容易操作的成膜装置。专利技术效果根据本专利技术，可以提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。 附图说明表示本实施方式的成膜装置的内部构成的截面图表示本专利技术所述的成膜方法的一例的流程图(a) (d)表示由相同成膜方法形成的膜的构成的截面图符号说明1…成膜装置、2…真空处理槽(成膜区域)、3…处理气体导入部、4…单体导入 部、5…保持机构、20…成膜对象物、22…反射膜、23…拒水性聚合物膜、24…亲水化聚 合物膜、30…空气具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。图1是表示本实施方式的成膜装置的内部构成的截面图。如图1所示地，本实施方式的成膜装置1具有连接于未图示的真空排气系统的真 空处理槽(成膜区域)2。该真空处理槽2分别连接于设置在真空处理槽2外部的处理气体导入部3与单体 导入部4。处理气体导入部3构成为导入管32介由流量调节阀31而连接于真空处理槽 2，并由真空处理槽2近傍的大气将规定量的空气30导入至真空处理槽2内。单体导入部4具有供给拒水性聚合物膜形成用单体的单体供给源40。该单体供 给源40介由流量调节阀41而连接有导入管42，且构成为介由该导入管42而将规定量的 单体导入至真空处理槽2内。真空处理槽2内，设置有保持成膜对象物20的保持机构5。本实施方式的保持机构5，在真空处理槽2的中央区域中，具有例如朝向铅直方 向设置的直线状的保持部6。该保持部6连接于设置在真空处理槽2的外部的驱动马达7的旋转轴7a、且构4成为将多个的成膜对象物20的成膜面20a在相对于旋转轴7a朝向外部侧保持的状态下旋转。真空处理槽2内的侧壁部分设置有蒸发源8。该蒸发源8配置为其蒸气放出 面8a与各成膜对象物20的成膜面20a相对。应予说明，蒸发源8具有例如由铝(Al)构 成的长丝状的蒸发材料(未图示)。此外，真空处理槽2内的侧壁部分设置有具有未图示的交流电源的等离子体发 生源9。该等离子体发生源9配置为其等离子体放出面9a与各成膜对象物20的成膜 面20a相对。图2是表示本专利技术所述的成膜方法的一例的流程图，图3(a) (d)是表示由相 同成膜方法形成的膜的构成的截面图。本例中，使用图1中表示的成膜装置1，如图3(a)所示地，将在具有底涂层21 的成膜对象物20上进行成膜的情形为例进行说明。首选，在步骤Pl中，对真空处理槽2内进行真空排气以形成规定的压力(例 如，IX I(T2Pa)。结着，控制流量调节阀31而将空气导入至真空处理槽2内(步骤P2)。本专利技术的情形中，虽没有特别限定，但从提高对立体形状的成膜对象物20的膜 的涂覆力(付t回·9 )的观点出发，优选将真空处理槽2内的压力调节至5.0 X10_2Pa l.OPa。并且，使保持机构5工作而一边使成膜对象物20旋转移动一边进行蒸镀(步骤 P2)。蒸镀中，一边导入空气一边进行排气，维持真空处理槽2内的压力。由此，如图3(b)所示地，在成膜对象物20的底涂层21上形成由铝构成的反射 膜22。然后，控制流量调节阀41而由单体供给源40向真空处理槽2内供给聚合物膜形 成用的原料单体，一边使成膜对象物20旋转移动一边使等离子体发生源9工作，而在反 射膜22上形成拒水性聚合物膜23 (步骤P3、图3 (c))。该拒水性聚合物膜23作为用于防止反射膜22的氧化和腐蚀的耐碱性的保护膜而 发挥作用，因此作为其原料单体，可适宜地使用例如六甲基二硅氧烷(HMDSO)等含硅 的单体。之后，对真空处理槽2内进行真空排气(步骤P4)。进一步地，控制流量调节阀31而将空气导入至真空处理槽2内以形成规定的压 力(步骤P5)。本专利技术的情形中，虽没有特别限定，但从维持稳定的等离子体的观点出发，优 选将真空处理槽2内的压力调节至O.lPa 10Pa。并且，使等离子体发生源9工作(例如40kHz 13.56MHz)，而使真空处理槽2 内产生氧等离子体、氮等离子体，通过将成膜对象物20的拒水性聚合物膜23的表面暴露 于氧和氮等离子体，而如图3(d)所示地，在拒水性聚合物膜23的表面形成亲水化聚合物 膜24(步骤P5)。等离子体处理中，一边导入空气一边进行排气，维持真空处理槽2内 的压力。以上所述的本实施方式中，由于使用空气作为含有氧的处理气体而在拒水性聚合物膜23上实施基于等离子体的亲水化处理，故与以往使用氩气的情形相比，可以通过 使用活性的自由基(02、N2)来使反应性提高。其结果，可以减小在亲水化处理工序中对 拒水性聚合物膜23上投入的电力，因此可以削减电力成本。此外，根据本实施方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】
成膜方法，其具有：一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序；在前述反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序；和一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林洋介，林信博，饭岛正行，多田勋，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP