【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，所述方法包括如下步骤：ａ、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于１０％；ｂ、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；ｃ、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：任晓敏，黄辉，郭经纬，叶显，王琦，蔡世伟，黄永清，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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