【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种三维集成结构，其特征在于，所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个ＴＳＶ通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的ＭＥＭＳ器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述微铜柱电连接的芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马盛林，孙新，朱韫晖，金玉丰，缪旻，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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