在光电子半导体组件（１）的至少一个实施方式中，该半导体组件包括：带有连接侧（２０）的连接载体（２）；和至少一个光电子半导体芯片（３），该半导体芯片设置在连接侧上并且与连接载体电连接。半导体组件还包括增加附着力的中间薄膜（５），该中间薄膜施加在连接侧上并且至少部分地覆盖该连接侧。半导体组件还具有至少一个辐射可穿透的浇铸体（４），该浇铸体至少部分地围绕半导体芯片，其中浇铸体借助于中间薄膜与连接载体机械连接。这样设计的光电子半导体组件是抗老化的并且具有良好的光学性能。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术说明光电子半导体组件。此外，本专利技术还说明用于制造这种光电子半导体 组件的方法。
技术介绍
光电子组件、如发光二极管或光电二极管已经得到了广泛的技术上的应用。一些 促进推广这种组件的着眼点在于，例如是其很高的效率和针对外部负载以及周围环境影响 的抵抗能力。例如，光电子组件可良好地抵抗例如湿气或热量并且也在合适的结构形式的 情况下可抵抗机械负荷。除了很高的效率之外，光电子组件也具有很高的使用寿命、紧凑的 结构形式以及多种多样的设计可能性，并且还可在相对较小的制造成本的情况下制造。对 于大量的刚才所述的性能来说决定性的经常是光电子组件的安装(Hausimg)，因此通常对 这一点加以特别重视。
技术实现思路
一个要解决的任务在于，给出一种抗老化的光电子组件。另一个要解决的任务在 于，给出一种用于制造这种光电子组件的方法。根据至少一个实施方式，光电子半导体组件包括带有连接侧(Anschlussseite) 的连接载体(Anschlusstraeger)。连接载体可以例如设计为是电路板的形式，该电路板包 括被蚀刻的、被印制的、或被汽相喷镀的线路(Leiterbahnen)。连接载体可以设计为机械柔 性的，例如设计为特别是基于聚酰亚胺的柔性的电路板，或也可由机械刚性的材料、例如陶 瓷或玻璃组成。优选地，连接载体具有高的导热性能，从而使其适于将在光电子半导体组件 的工作中产生的电的损耗功率(其主要在发热中引起)良好地向外排导。视需求而定有利的可以是，连接载体在电磁频谱的确定的频谱范围中是可穿透 的。连接载体的几何尺寸也可以适合于具体应用的相应需求。连接载体的连接侧例如可以 设计为扁平的或平坦的并且适于容纳至少一个光电子半导体芯片。通常，连接载体具有一 个连接侧，然而并不排除下述情况，即例如设计为扁平的连接载体的两个侧可应用为连接 侧。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件包括至少一个光电子 半导体芯片。该半导体芯片设计用于，在工作中接收或者发出电磁辐射。半导体芯片可以 设计为光电二极管并且因此可以设计为传感器，或者是设计为发光元件(例如以发光二极 管或激光二极管的形式)。半导体芯片可以设计为扁平的并且例如具有正方形的或矩形的 底面。同样可能的是，半导体芯片例如具有六角形的或圆形的底面，这种底面例如允许了高 密封性地将半导体芯片布置在连接载体上。对半导体芯片的厚度未设有严格的界限，该厚 度然而优选为小于200 μ m，特别是小于50 μ m。半导体芯片例如可以成型为薄膜芯片，如在 出版物WO 2005/081319A1中所描述的，它的在此处所描述的半导体芯片方面以及在此处 所描述的制造方法方面的公开内容由此通过引用结合于本文中。4半导体芯片的电接触部可以全部地位于芯片的上侧或下侧上，分别设置在半导体 芯片的侧壁(Flanke)上或但也可以各自设置在芯片的上侧和下侧上。半导体芯片还具有 辐射穿透面，要由半导体芯片发出的或接收的光穿过该辐射穿透面离开半导体芯片或穿过 该辐射穿透面进入该半导体芯片。辐射穿透面可以设计为平坦的或具有这样的结构，其使 得入射的或出射的光能够更容易地穿过辐射穿透面。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件包括增加附着力的 (haftvermittelnde)中间薄膜。该中间薄膜施加在连接载体的连接侧上并且至少部分地覆 盖该连接侧。中间薄膜可以均勻地由一种唯一的材料制成或也可以具有多层结构。尤其可 能的是，增加附着力的中间薄膜具有例如凹口形式的结构，或者在该中间薄膜上例如设置 了能导电的结构。优选地，中间薄膜的厚度在20 μ m至200 μ m的范围中，特别是在35 μ m 禾口 60 μ m之间。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件包括至少一个辐射可 穿透的浇铸体(Vergusskoerper)。辐射可穿透的在此意味着，该浇铸体在对于半导体芯片 的工作来说是重要的电磁频谱范围中基本上被视为是透明的或半透明的。这就是说，浇铸 体在重要的频谱范围中吸收小于20%的、优选小于10%的、特别优选小于5%的辐射。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，浇铸体仅仅在一个唯一的连接载体 主侧面上方或该主侧面上延伸。同样优选的是，连接载体的端面没有浇铸体和/或中间薄 膜。换句话说，浇铸体并不在多个侧围绕连接载体。在光电子半导体组件的至少一个实施方式中，该半导体组件包括带有连接侧的连 接载体和至少一个光电子半导体芯片，该半导体芯片设置在连接侧上并且与连接载体电连 接。连接侧可以具有至少一个连接面，该连接面设计用于，与半导体芯片的电接触部相连 接。连接面例如可以设计为钎焊面或粘合面。半导体组件还包括增加附着力的中间薄膜， 该中间薄膜设置在连接侧上并且至少部分地覆盖该连接侧。半导体组件还具有至少一个辐 射可穿透的浇铸体，该浇铸体至少部分地围绕半导体芯片，其中浇铸体借助于中间薄膜与 连接载体机械连接。增加附着力的中间薄膜相应地这样设计，使得该中间薄膜在连接载体上或在其连 接侧上具有附着性能(Haftimg)。此外，该中间薄膜应该具有与浇铸体的附着的连接。例如 可能的是，在中间薄膜与连接载体之间的附着性能与在浇铸体与连接载体之间的附着性能 相比更好。此外随之可能的是，在浇铸体与中间薄膜之间的附着性能相对于在浇铸体与连 接载体之间的附着性能得到改进。优选的是，在浇铸体与连接载体之间的附着性能基于中 间薄膜的应用而至少改进因数1. 5，特别优选地至少改进因数2。通过这样的中间薄膜而确 保了在连接载体与浇铸体之间的持久的、机械稳固的连接。不需要使得浇铸体的整个面向 连接载体的侧与中间薄膜处于直接接触。尤其是，例如在浇铸体与中间薄膜之间可能存在 电连接。也可能的是，至少局部地，在浇铸体与连接载体之间的机械连接间接地实现，从而 例如浇铸体附着在中间薄膜上，其又在半导体芯片上并且该半导体芯片与连接载体直接 地连接。同样可能的是，半导体芯片(经过该芯片实现了在中间薄膜与连接载体之间的 连接)间接地与连接载体相连接，例如是通过布线平面(Umverdrahtungsebene)、冷却体 (Kuehlkoerper)或例如陶瓷的中间载体。浇铸体例如在其辐射穿透面上和在芯片侧壁上围5绕半导体芯片。芯片侧壁在此理解为半导体芯片的那个侧面，该侧面例如横向于连接侧或 连接面取向并且将辐射穿透面与半导体芯片的面向连接侧的面连接起来。这样设计的光电子半导体组件是抗老化的并且具有良好的光学性能。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，半导体芯片的辐射穿透面至少局部 地由中间薄膜覆盖。尤其是，整个辐射穿透面可以由中间薄膜覆盖。中间薄膜在此优选地 对于要由半导体组件来接收或发出的电磁辐射来说是可穿透的，至少是在重要的频谱范围 中的部分范围中。特殊地，中间薄膜在重要的频谱范围中可以是透明的。通过中间薄膜的 这种布置或者说设计可以以简单的方式和方法来制造光电子半导体组件。根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，中间薄膜构造为具有硅薄膜。这就 是说，中间薄膜包括硅薄膜或完全由硅薄膜组成。优选地，中间薄膜和浇铸体由相同的材料 或由那些彼此之间能够实现良好的附着性能的材料制成。由于硅特别是在蓝色的和接近紫 外线本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：W韦格莱特，R沃思，B巴克曼，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE
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