公开了一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法。该方法包括：在非磁性基底上形成磁性层的步骤，该磁性层包含０．５原子％到６原子％的氧化物；以及将所述磁性层中的将要彼此磁性地分离的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。所述磁性层优选具有非颗粒状结构且是面内取向型磁性层。优选地，在将所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，至少进行将惰性气体施加到已经暴露到所述反应等离子体或所述反应离子的所述区域中的表面。该方法可以以高生产率制造这样的磁记录介质，该磁记录介质包括高度精确的磁记录图形并具有高电磁转换特性和高记录密度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造用于诸如硬盘装置的磁记录和再现装置的磁记录介质的方法。还 涉及磁记录和再现装置。
技术介绍
近年来，诸如磁盘装置、软盘装置和磁带装置的磁记录装置被广泛地应用，其重要 性也日益增加。在磁记录装置中使用的磁记录介质的记录密度也被极大地提高。特别地， 因为MR头和PRML技术的发展，面记录密度日益增加。最近，已经开发了 GMR头和TMR头， 并且面记录密度以约每年100%的速率增加。对于进一步增加记录密度的需求仍然日益增 加，因此，热切需要具有更高矫顽力和更高信噪比(SNR)以及高分辨率的磁性层。同样正在进行通过增加磁道密度和增加线记录密度来提高面记录密度的尝试。在近期的磁记录装置中，磁道密度已达到约llOkTPI。然而，随着磁道密度的增加， 磁记录信息倾向于在相邻的磁道之间彼此干扰，并且作为噪声源的在其边界区域中的磁化 过渡区倾向于损害SNR。这些问题导致误码率的降低并阻碍了记录密度的提高。为了提高面记录密度，需要使每一个记录位的尺寸变小并使每一个记录位具有最 大饱和磁化和磁性膜厚度。然而，随着位尺寸的减小，每位的最小磁化体积变小，并且所记 录的数据往往会因为由热波动造成的磁化反转而消失。此外，为了减小相邻磁道之间的距离，磁记录装置需要高精度磁道伺服系统技术， 并且通常采用这样的操作，其中，进行宽幅记录而进行窄幅再现，以使相邻磁道之间的影响 最小化。该操作的优点为可以使相邻磁道的影响最小化，而缺点为再现输出相当低。这还 导致难以将SNR提高到希望的高水平。为了减小热波动、保持希望的SNR并获得希望的再现输出，已经有这样的提议，其 中形成沿磁记录介质表面上的磁道延伸的凸起和凹陷，以便通过凹陷来分离位于凸起上的 每一个构图的磁道，由此增加磁道密度。下文中，将该类型的磁记录介质称为离散磁道介 质，并且将用于提供该类型的磁记录介质的技术称为离散磁道方法。此外，还进行了这样的尝试，该尝试用于分割同一磁道中的数据区域，S卩，提供构 图的介质。离散磁道介质的一个实例为在专利文献1中公开的磁记录介质，其被这样制造， 提供具有在其表面上形成的凸起和凹陷的非磁性基底，并且在非磁性基底上形成具有对应 的表面结构的磁性层，以便产生物理离散的磁记录磁道和伺服信号图形(参见，例如，专利 文件1)。上述磁记录介质具有的多层结构使得可以通过在其表面上形成有凸起和凹陷的 图形的非磁性基底上的软磁性衬层(underlayer)来形成铁磁性层，并在铁磁性层上形成 外涂层(overcoat)。磁记录构图区域在与周围区域物理分离的凸起上形成磁记录区域。在上述磁记录介质中，可以防止或最小化在软磁性衬层中铁磁畴壁的出现，因此 减小了由热波动造成的影响，并且使相邻信号之间的干扰最小化，从而提供具有呈现大SNR的高记录密度的磁记录介质。离散磁道方法包括两种方法第一种为在形成包括几个层叠的膜的多层磁记录介 质之后形成磁道的方法；第二种为直接在基底上或在用于在其上形成磁道的膜层上形成 具有凸起和凹陷的图形且然后使用构图的基底或构图的膜层形成多层磁记录介质的方法 (参见，例如，专利文件2和专利文件3)。在专利文件4、5和6中提出了另一离散磁道方法。在所提出的方法中，例如，对预 先形成的磁性层进行氮离子或氧离子注入或利用激光进行照射，由此在离散磁道介质中形 成具有经改性的磁特性并分离磁道的区域。此外，还提出了一种制造磁记录介质的方法，其包括形成具有颗粒状结构的磁性 层作为离散磁道介质的步骤(参见，专利文件7)。此外，在专利文件8中提出了一种形成磁性图形的方法，其包括以下步骤将铁磁 性层的表面的区域暴露到含卤素的反应气体，由此在铁磁性层中的所述暴露的区域中卤化 在离散磁道介质中的铁磁性层中所包含的CoO，以使该区域不具有铁磁性。专利文件1JP2004--164692A1专利文件2JP2004--178793A1专利文件3JP2004--178794A1专利文件4JPH5-205257A1专利文件5JP2006--209952A1专利文件6JP2006--31849A1专利文件7JP2006--155863A1专利文件8JP2002--359138A
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题为了制造具有磁性分离的磁记录图形的上述离散磁道介质和构图的介质，通常采 用将部分磁性层暴露到使用氧或卤素的反应等离子体或反应离子的步骤。本专利技术的专利技术人发现，使用反应等离子体或反应离子形成磁记录图形具有以下问 题，即，在磁记录层的特定区域中使磁特性改性需要相当长的时间，因而降低了生产率，此 外，每一个改性的区域随深度增大而向外扩展，因此难以形成希望的清晰图形并且图形的 图像通常变得模糊。本专利技术的主要目的为解决上述问题并提供一种制造磁记录介质的方法，其中获得 了在反应等离子体或反应离子与磁性层的磁性地分离磁记录图形的区域之间的高反应性， 从而磁记录图形的图像不会变得模糊。解决问题的手段专利技术人为实现上述目的而进行的研究表明，可以通过以下方法制造上述改善的磁 记录介质。由此，完成了本专利技术。根据本专利技术，提供了制造磁记录介质的下列方法。(1) 一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，其特征在于包括 在非磁性基底上形成磁性层的步骤，所述磁性层包含基于所述磁性层的0. 5原子％到6原4子％的范围内的量的氧化物；以及将所述磁性层的磁性地分离所述磁记录图形的区域暴露 到反应等离子体或反应离子的步骤。(2)根据上述(1)的制造磁记录介质的方法，其中包含0. 5原子％到6原子％的氧 化物的所述磁性层具有非颗粒状结构。(3)根据上述(1)或(2)的制造磁记录介质的方法，其中包含0. 5原子％到6原 子％的氧化物的所述磁性层是面内取向的磁性层。(4)根据上述⑴到(3)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中所述氧化物是选 自Si02、Ti02、W02、W03以及Cr2O3的至少一种氧化物。(5)根据上述(1)到(4)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中所述反应等离子 体或所述反应离子包含卤素离子。(6)根据上述(5)的制造磁记录介质的方法，其中所述卤素离子是通过将选自 CF4, SF6, CHF3、CCl4以及KBr的至少一种气态卤化物引入到所述反应等离子体或所述反应 离子中而产生的卤素离子。(7)根据上述(1)到(6)中任一项的制造磁记录介质的方法，还包括在将所述磁性 层的所述区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤之后，将磁性层的已经暴露到反应等 离子体或反应离子的所述区域暴露到氧等离子体的步骤。(8)根据上述(1)到(7)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中所述磁性层的将 要暴露到反应等离子体或反应离子的所述区域为所述磁性层的表面部分。(9)根据上述(1)到(7)中任一项的制造磁记录介质的方法，其中去除磁性层的将 要暴露到反应等离子体或反应离子的所述区域中的表面层部分，然后，将所述磁性层的通 过所述表面层部分的所述去除而新暴露的表面部分暴露到反应等离子体或反应离子。(10)根据上述(9)的制造磁记录介质的方法，其中在磁性层的将要暴露到反应等 离子体或反应离子的所述区域中的所述表面层部分的所述去除被实施到使得具有0.1到 15nm的范围内的厚度的表面层部分被去除的程度。(11)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，其特征在于包括：在非磁性基底上形成磁性层的步骤，所述磁性层包含基于所述磁性层的０．５原子％到６原子％的范围内的量的氧化物；以及将所述磁性层的磁性地分离所述磁记录图形的区域暴露到反应等离子体或反应离子的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：福島正人，坂脇彰，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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