有机光电转换元件制造技术

本发明专利技术提供一种有机光电转换元件，其具有至少一方为透明或半透明的一对电极以及在该电极间的含有共轭高分子化合物和含硫杂环化合物的有机层，该含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻吩结构。作为含硫杂环化合物可举出式（１）所示的化合物，［式中，多个Ｒ１可相同也可不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷氧基或芳基烷基硫基；这些基团所含的氢原子还可以被氟原子取代；ｍ表示０～１０的整数］。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机光电转换元件。
技术介绍
近年来正在活跃地尝试将有机半导体材料用于有机光电转换元件(有机太阳电 池、光传感器等)的活性层中。其中，当使用含有高分子化合物的组合物作为有机半导体材 料时，由于可以利用廉价的涂布法制作活性层，因此正在探讨含有含各种高分子化合物的 组合物的有机光电转换元件。作为其例子，已知具有含有作为共轭高分子化合物的聚3-己 基噻吩和作为富勒烯衍生物的C60PCBM的有机层的有机太阳电池(Advanced Functional Material Vol. 13(2003)85p)。
技术实现思路
但是，上述有机光电转换元件的开放端电压(Voc)并不充分。本专利技术的目的在于提供具有高开放端电压的有机光电转换元件。本专利技术提供具有至少一方为透明或半透明的一对电极以及在该电极间含有共轭 高分子化合物和含硫杂环化合物的有机层，且该含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻 盼结构的有机光电转换元件。具体实施例方式以下详细地说明本专利技术。<含硫杂环化合物>本专利技术所使用的含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻吩结构。作为具有双噻吩结构的含硫杂环化合物例如可举出式(1)所示的化合物或式(2)所示的化合物。权利要求一种有机光电转换元件，其具有至少一方为透明或半透明的一对电极以及在该电极间的含有共轭高分子化合物和含硫杂环化合物的有机层，该含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻吩结构。2.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，含硫杂环化合物为式(1)所示的化 合物，3.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，含硫杂环化合物为式(2)所示的化 合物，4.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，含硫杂环化合物为式(3)所示的化 合物，5.根据权利要求1所述的有机光电转换元件，其中，含硫杂环化合物为式(4)所示的化 合物，式中，多个R5可相同或不同，表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基 氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷氧基或芳基烷基硫基，这些基团所含的氢原子可被氟原 子取代。6.根据权利要求1 5中任一项所述的有机光电转换元件，其中，有机层中的含硫杂环 化合物的重量相对于共轭高分子化合物100重量份为0. 1 10000重量份。7.根据权利要求1 6中任一项所述的有机光电转换元件，其中，有机层中还含有受电 子性化合物。8.根据权利要求7所述的有机光电转换元件，其中，受电子性化合物为富勒烯衍生物。9.根据权利要求1 6中任一项所述的有机光电转换元件，其中，有机层中还含有供电 子性化合物。全文摘要本专利技术提供一种有机光电转换元件，其具有至少一方为透明或半透明的一对电极以及在该电极间的含有共轭高分子化合物和含硫杂环化合物的有机层，该含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻吩结构。作为含硫杂环化合物可举出式(1)所示的化合物，。文档编号H01L51/42GK101971383SQ200980108409公开日2011年2月9日 申请日期2009年3月5日 优先权日2008年3月12日专利技术者上谷保则 申请人:住友化学株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机光电转换元件，其具有至少一方为透明或半透明的一对电极以及在该电极间的含有共轭高分子化合物和含硫杂环化合物的有机层，该含硫杂环化合物具有缩合多环结构或双噻吩结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：上谷保则，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]