光电子半导体器件，用于记录图像信息的装置以及用于制造光电子半导体器件的方法制造方法及图纸

在光电子半导体器件（１）的至少一个实施形式中，其包括至少一个连接支承体（４），至少一个光电子半导体芯片（２），其安装在连接支承体的正面上，以及至少两个用于电接触半导体器件的弹簧（１１）。弹簧在此安装在连接支承体的与正面相对的背面上，并且所述弹簧的弹力具有垂直于背面的分量。这种光电子半导体器件易于制造并且可以以特别简单的方式和方法与外部设备电接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,用于记录图像信息的装置以及用于制造的方法，用于记录图像信息的装置以及用于制 造的方法本专利技术提出了一种。此外，提出了一种用于借助这种光电子半 导体器件来记录图像信息的装置以及一种用于制造这种的方法。光电子器件例如发光二极管或者光电二极管，在日常具有广泛的技术应用和需 求。促成这种器件的广泛应用的一些要点是其高效率、对于外部环境影响(例如机械负荷 或者湿气和热)的抵抗能力、长使用寿命、紧凑的结构方式以及多种构造可能性，并且这在 比较低的制造成本下实现。对于这些特性中的许多特性而言，光电子器件的封装以及其电 接触是重要的。一个要解决的任务是，提出一种，其可以特别良好地电接触。另 一要解决的任务是，提出一种用于记录图像信息的装置，和该装置可以 良好地接触。另一要解决的任务是，提出一种用于制造的特别有效的方 法。根据的至少一个实施形式，该包括至少一个 连接支承体(Anschlusstrager)。连接支承体例如可以构造为引线框架或者构造为电路 板。优选的是，连接支承体是导电的或者具有导电结构如印制导线。同样优选的是，连接支 承体具有高的导热性，尤其是高于20W/(mK)、特别优选高于50W/(mK)、相当特别优选地高 于IOOW/(mK)的导热性。连接支承体优选也具有高的热容，尤其是高于0.3kJ/(kgK)的热 容。用于用作连接支承体的特别合适的材料是金属合金或者金属例如铜。同样可能的是， 使用陶瓷如例如氧化铝或者氮化铝，或者也可使用塑料，尤其是使用导电塑料。连接支承体 可以均勻地或者实心地由唯一的材料构成，或者构造为材料复合结构。连接支承体的厚度 尤其是在30 μ m到700 μ m的范围中，特别优选在150 μ m到400 μ m的范围中。连接支承体 优选平面地构造并且具有基本上平坦的、彼此对置的正面和背面。可替选地，连接支承体也 可以例如在正面具有结构化部，这些结构化部可以槽状地成形，并且简化了例如半导体芯 片至这些槽中的嵌入。根据的至少一个实施形式，该半导体器件包括至少一个光电子 半导体芯片。半导体芯片可以基于如氮化镓、磷化镓、砷化镓铝、砷化镓或者磷化铟这些材 料。半导体芯片例如可以构造为发光二极管、激光二极管或者光电二极管。对于半导体芯 片的几何尺寸没有提出特殊要求，然而优选的是半导体芯片的厚度小于200 μ m，特别优选 为小于100 μ m。特别地，半导体芯片例如可以如在出版物W02005/081319 Al中所描述的那 样地成形，其关于那里描述的半导体芯片以及那里描述的制造方法的公开内容通过引用结 合于此。优选的是，半导体芯片与至少一个连接支承体直接接触，也就是说，除了连接装置 例如焊剂或者粘合剂之外，在半导体芯片和连接支承体之间没有另外的部件。半导体芯片的接触面可以如在倒装芯片的情况中那样位于半导体芯片的安装侧 上。同样地，电接触部可以在半导体芯片的边沿上或者侧面上，或者在两个彼此对置的侧 上，例如在安装侧和光透射面上。可以在发射方向上在半导体芯片之后设置发光装置或者转换装置，使得在工作中发射白色混合光。根据的至少一个实施形式，该包括至少两个 弹簧用于将半导体器件与外部设备电接触。弹簧安装在连接支承体的与正面相对的背面上 并且优选在横向上并不伸出该背面。也就是说，朝着纵向方向或者与背面平行的横向位置 需求由连接支承体的尺寸来确定。由此可以实现特别节省位置的器件。弹簧的弹力具有垂直于连接支承体的背面的分量。优选的是，垂直于背面的弹力 分量大于与其平行的分量，特别优选的是弹力朝向垂直于形成连接支承体的背面的面取 向。例如可以使用弹性销、所谓的弹针(Pogo-Pin)或者C形弹簧作为弹簧。弹簧导电地与连接支承体或者连接支承体上的导体结构相连，优选的是直接并不 使用譬如中间件。在连接支承体和弹簧之间的连接例如可以借助焊接、导电粘合或者挤压 来进行。也可能的是，弹簧与连接支承体完全地或者部分地单件式地制造。将弹簧安装在 连接支承体的背面上并未排除的是，弹簧的一部分通过连接支承体尤其是导电地从背面穿 过引导至正面。在的至少一个实施形式中，该半导体器件包括至少一个连 接支承体；至少一个光电子半导体芯片，其安装在连接支承体的正面上；以及至少两个弹 簧，用于电接触半导体器件。弹簧在此施加在连接支承体的与正面相对的背面上，弹簧的弹 力具有垂直于连接支承体的背面的分量。这种可以简单地制造并且可以 以特别有效的方式和方法与外部设备电接触。根据的至少一个实施形式，该半导体器件至少局部地在连接支 承体的正面上具有至少一个第一金属化层，并且在连接支承体的背面上具有至少一个第二 金属化层。优选的是，第二金属化层覆盖连接支承体的背面达到超过80 %，特别优选是完全 覆盖。根据要求，金属化层可以具有结构例如电印制导线。通过使用金属化层可以将多种 材料用于连接支承体，因为连接支承体的表面的特征可以通过金属化层来有针对性地进行 影响。根据的至少一个实施形式，第一金属化层的厚度比第二金属化 层的厚度的至少大2倍。优选的是，第一金属化层的厚度超过第二金属化层的厚度4倍，特 别优选为超过5倍。第一和第二金属化层例如可以通过连接支承体的端面彼此连接。通过 金属化层的不同厚度，可以有针对性地影响连接支承体的正面或者背面上的第一或者第二 金属化层的特性。在此，作为特性尤其是提及表面的硬度及其可焊接性。根据的至少一个实施形式，第一和第二金属化层分别是电镀 层。电镀层可以有效地施加到特别是导电的连接支承体上。根据的至少一个实施形式，其第一和第二金属化层具有以下材 料至少之一铜、镍、钯或者金。这些材料可以通过例如电镀技术有效地沉积在连接支承体 上。这些材料此外具有对于彼此的良好附着，并且提供多种可能性来有针对性地调节金属 化层的物理特性。特别地，第一和第二金属化层可以具有相同的材料序列，并且仅仅在构成 金属化层的不同金属层的各自的厚度上彼此不同。根据的至少一个实施形式，第一和第二金属化层分别从连接支 承体出发来看具有镍、钯和金构成的层序列。镍的层厚度优选在0. 1 μ m到30 μ m之间，特 别优选在0. 5 μ m到9 μ m之间。钯层具有优选在0. 01 μ m到10 μ m之间的厚度，特别优选在0.05μπι到0.2μπι之间的厚度。金覆层的厚度优选在0. Olym到IOym之间，特别优选 在0. 05 μ m到2 μ m之间。所提及的层厚度特别是涉及连接支承体的背面，即涉及第二金属 化层。第一金属化层的各层厚度优选相应地比对于第一金属层所提及的层厚度大2倍，特 别优选大4倍，相当特别优选大5倍。除了所说明的材料之外，也可以使用其他材料，以便根据具体要求来匹配金属化 层的特性。除了所使用的材料，这同样适用于所选择的层厚度。可以通过金属化层的组分 来确定的特性譬如是对于粘合剂和浇注物质的导电性、导热性、硬度、反射性、化学稳定性 或者粘附特性。根据的至少一个实施形式，金属化层除了镍、钯和金之外并不 具有其他的组成部分或者层。优选的是，从连接支承体出发来看，层序列是镍-钯-金。根据的至少一个实施形式，弹簧构造为弹性销。也称为Pogo弹 针的弹性销具有大的回弹行程，并且仅仅需要在连接支承体上的比较小的面积，以便固定 在其上。根据的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体器件（１），具有：－至少一个连接支承体（４），－至少一个光电子半导体芯片（２），其安装在连接支承体（４）的正面（５）上，以及－至少两个用于电接触半导体器件（１）的弹簧（７），其中所述弹簧（７）安装在连接支承体（４）的与正面（５）相对的背面（６）上，并且其中所述弹簧（７）的弹力具有垂直于所述背面（６）的分量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M恩格尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]