ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底、红外ＬＥＤ用外延晶片、红外ＬＥＤ、制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底的方法、制造红外ＬＥＤ用外延晶片的方法以及制造红外ＬＥＤ的方法技术

本发明专利技术公开了ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（０≤ｘ≤１）衬底、红外ＬＥＤ用外延晶片、红外ＬＥＤ、制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底的方法、制造红外ＬＥＤ用外延晶片的方法以及制造红外ＬＥＤ的方法。所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明专利技术涉及具有ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）的ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底（１０ａ），所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）具有主面（１１ａ）和在所述主面（１１ａ）相反侧的背面（１１ｂ），其中所述背面（１１ｂ）中Ａｌ的组成比（ｘ）大于在所述主面（１１ａ）中Ａｌ的组成比（ｘ）。另外，所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底（１０ａ）还可包含ＧａＡｓ衬底（１３），并使其与所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）的所述背面（１１ｂ）接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及AlxGaa_x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGaa_x)As衬 底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。
技术介绍
利用化合物半导体AlxGa(1_x)AS (0 ^ χ ^ 1)(下文中也被称作“AlGaAs” (砷化铝 镓))的LED(发光二极管)被广泛用作红外光源。在诸如光通讯和无线传输的这些应用中 使用红外LED作为红外光源，并且在这些应用中，正在发生的传输数据量的不断增大以及 在更长范围的传输距离内进行传输导致要求提高红外LED的输出功率。在日本特开2002-335008号公报(专利文献1)中公开了制造这种红外LED的方法 的例子。在该专利文献中提出了下列工艺步骤的实施。即，首先通过液相外延法(LPE法) 在GaAs (砷化镓)衬底上形成AlxGa(1_x)AS支撑衬底。在那时，Al (铝)在所述AlxGa(1_x)As 支撑衬底中的组成比基本均勻。随后，通过有机金属气相外延法(0MVPE法)或分子束外延 法(MBE法)形成外延层。引用列表专利文献专利文献1 日本特开2002-335008号公报 专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层（０≤ｘ≤１）的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ衬底，所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层具有主面和在所述主面相反侧的背面；所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ衬底的特征在于，在所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层中，所述背面中Ａｌ的组成比ｘ大于在所述主面中Ａｌ的组成比ｘ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中聪，宫原贤一，北林弘之，片山浩二，森下知典，森分达也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]