ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底、红外ＬＥＤ用外延晶片、红外ＬＥＤ、制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底的方法、制造红外ＬＥＤ用外延晶片的方法以及制造红外ＬＥＤ的方法技术

技术编号：5035139 阅读：161 留言：0更新日期：2012-04-11 18:40

本发明专利技术公开了ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（０≤ｘ≤１）衬底、红外ＬＥＤ用外延晶片、红外ＬＥＤ、制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底的方法、制造红外ＬＥＤ用外延晶片的方法以及制造红外ＬＥＤ的方法。所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明专利技术涉及具有ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）的ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底（１０ａ），所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）具有主面（１１ａ）和在所述主面（１１ａ）相反侧的背面（１１ｂ），其中所述背面（１１ｂ）中Ａｌ的组成比（ｘ）大于在所述主面（１１ａ）中Ａｌ的组成比（ｘ）。另外，所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底（１０ａ）还可包含ＧａＡｓ衬底（１３），并使其与所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ层（１１）的所述背面（１１ｂ）接触。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及AlxGaa_x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGaa_x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。
技术介绍
利用化合物半导体AlxGa(1_x)AS (0 ^ χ ^ 1)(下文中也被称作“AlGaAs” (砷化铝镓))的LED(发光二极管)被广泛用作红外光源。在诸如光通讯和无线传输的这些应用中使用红外LED作为红外光源，并且在这些应用中，正在发生的传输数据量的不断增大以及在更长范围的传输距离内进行传输导致要求提高红外LED的输出功率。在日本特开2002-335008号公报(专利文献1)中公开了制造这种红外LED的方法的例子。在该专利文献中提出了下列工艺步骤的实施。即，首先通过液相外延法(LPE法) 在GaAs (砷化镓)衬底上形成AlxGa(1_x)AS支撑衬底。在那时，Al (铝)在所述AlxGa(1_x)As 支撑衬底中的组成比基本均勻。随后，通过有机金属气相外延法(0MVPE法)或分子束外延法(MBE法)形成外延层。引用列表专利文献专利文献1 日本特开2002-335008号公报
技术实现思路
技术问题在上述专利文献1中，Al在所述AlxGa(1_x)AS支撑衬底中的组成比大致均勻。作为专注研究工作的结果，本专利技术人发现问题在于，在Al的组成比高的情况下，使用这种 AlxGa(1_x)As支撑衬底制造的红外LED的性能发生劣化。作为专注研究工作的另一结果，本专利技术人还发现问题在于，在Al的组成比低的情况下，这种AlxGaa_x)As支撑衬底的透射性能差。...

【技术保护点】
一种具有Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层（０≤ｘ≤１）的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ衬底，所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层具有主面和在所述主面相反侧的背面；所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ衬底的特征在于，在所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［（１－ｘ）］Ａｓ层中，所述背面中Ａｌ的组成比ｘ大于在所述主面中Ａｌ的组成比ｘ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中聪，宫原贤一，北林弘之，片山浩二，森下知典，森分达也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]

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