半导体纳米粒子包覆剂制造技术

半导体纳米粒子包覆配体、其制备和应用。本发明专利技术一方面提供了具有式（Ｉ）的配体：其中ｍ在约８至约４５的范围内。另一方面提供了形成式（ＩＩ）化合物的方法，所述方法包括下列步骤：提供包含聚乙二醇的第一原料，并且使所述第一原料与第二原料反应，所述第二原料包含用于螯合到纳米粒子表面的官能团。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体纳米粒子包覆剂本专利技术涉及半导体纳米粒 子包覆配体、它们的制备及在制备官能化的半导体纳米 粒子中的应用。半导体纳米粒子的尺寸支配材料的电子性质；由于量子限制效应，带隙能量与半 导体纳米粒子的尺寸成反比。另外，纳米粒子的表面积相对于体积的大比例对纳米粒子的 物理和化学性质有深刻的影响。包含单一半导体材料的单核纳米粒子通常具有相对低的量子效率。这些低的量子 效率起因于在纳米粒子表面的缺陷和悬空键处产生的无辐射电子_空穴复合。核-壳纳米粒子典型地包含单一半导体核材料，所述单一半导体核材料具有外延 生长在核表面上的第二半导体材料的壳。壳材料通常具有较宽的带隙和与核半导体材料相 似的点阵尺寸。加入壳的意图是为了消除核表面上的缺陷和悬空键，并从而将载荷子限制 在核内以及远离可以起无辐射复合中心作用的表面态。此外，核、核_壳和核_多壳型纳米粒子的表面可能具有高反应性的悬空键。这些 可以通过用有机配体分子将表面原子包覆来钝化，所述有机配体分子抑制粒子的聚集、保 护粒子不受其周围化学环境的影响，并且(至少在核纳米粒子的情况下)提供电子稳定化 作用。包覆配体化合物可以是在核生长和/或纳米粒子成壳(shelling)中采用的溶剂。备 选地，可以将包覆配体溶解在惰性溶剂中并随后用于核生长和/或纳米粒子成壳中。无论 哪种方式，配体化合物都通过向纳米粒子的表面金属原子提供孤对电子而将该纳米粒子的 表面包覆。纳米粒子是典型地在亲脂性配体化合物的存在下合成的，因此产生可溶于非极性 介质中的纳米粒子。为了降低或者消除此溶解性，可以将配体化合物换成具有更大极性的 不同的配体化合物；然而，纳米粒子的量子产率因此而降低。所得的半导体纳米粒子可以用于许多不同的应用中，其中通过光致激发、电致激 发或其它的激发形式外部地激发纳米粒子，引起电子_空穴复合，并随后以预定波长的光 例如可见光的形式发射光子。然而，表面官能化的纳米粒子在这样的应用中的使用迄今为 止还受表面官能化时量子产率的损失所限制。本专利技术的目的是消除或缓和目前制备表面官能化半导体纳米粒子的方法的以上 问题中的一个或多个。本专利技术涉及制备用于半导体纳米粒子的包覆配体以及所述包覆配体的前体。在本 文中公开的包覆配体优选用于合成纳米粒子和其过程中，获得高量子产率和高极性的纳米 粒子。所得的半导体纳米粒子可以用于许多不同的应用中，比如，借以将半导体纳米粒子结 合在设备或透明材料中的显示应用；结合在极性溶剂中(例如水和水基溶剂)。也可以将所 得的纳米粒子结合在墨、聚合物或者玻璃中；或者附着于细胞、生物分子、金属、分子等。本 专利技术因此克服了用于半导体纳米粒子表面官能化的现有技术方法的问题，在此之前所述问 题妨碍在这样的应用中使用表面官能化的纳米粒子。一方面，本专利技术的实施方案的特征在于制备下式的化合物以及在量子点纳米粒子 的制备和包覆中使用下式的化合物其中m在O至约4500之间，或者更优选地，在O至约450之间，或者甚至在O至约 17之间。在特定的实施方案中，m为约8、约13、约17或者约45。这些化合物适合于用作 配体化合物(即，包覆剂)，以用于量子点纳米粒子的核生长和/或成壳。本专利技术的一个方面提供具有式HO2C-CH2^OdCH2CH2ObCH3的配体，其中 !在约8至约45的范围内。在一个优选的实施方案中，配体可以被置于纳米粒子的核附近，所述核优选包含 至少一种半导体材料。在一个进一步优选的实施方案中，配体可以被置于纳米粒子的壳附近，所述壳任 选地包含至少一种半导体材料。可以将配体置于溶剂中，在这样的情况下优选的是所述溶剂还包含至少一种纳米 粒子前体材料。另一方面，本专利技术的实施方案的特征在于合成下式化合物的方法XO-(CH2CH2O)-Y m其中m如上定义，X包括或基本上由H、-CH3或-CH2CO2H组成，以及Y包括或基本 上由对甲苯磺酸酯、羧基(例如-CH2CO2H或-PhCO2H)、-SiPh2tBiu苯基(例如-CH2Ph)、硫醇、 氨基、二硫代氨基甲酸基、膦酸、次膦酸、乙烯基、乙炔、芳基、杂芳基等组成。本专利技术的另一方面提供形成式XO"(CH2CH2OkY化合物的方法，所述方法包括以 下步骤提供包含聚乙二醇的第一原料；和使第一原料与第二原料反应，所述第二原料包含用于螯合到纳米粒子表面的官能 团。优选地，第一原料包含端羟基而第二原料包含离去基团，并且使第一和第二原料 反应的步骤包括移除所述离去基团。优选的是所述方法进一步包括用所述化合物将至少一种纳米粒子包覆。因此，本 专利技术的进一步的方面涉及用于制备包覆的纳米粒子的方法，包括进行上述方法，然后用所得的如上述式化合物包覆至少一种纳米粒子。此外，还进一步的方面提供 用如上述式XO"(CH2CH2OgY化合物包覆的纳米粒子。另一方面还提供了包含大量纳米粒子的显示设备，所述纳米粒子各个包覆有满足 式H02C—CH2~0"fCH2CH20^CH3的配体，被置于对光基本上透明的材料中。在优选的实施方案中，所述显示设备还包括用于激发所述大量纳米粒子的装置， 以使得纳米粒子发射可见光。此外，优选所述大量纳米粒子中的每一个都包含包含第一半导体材料的核；和包含第二半导体材料的壳，所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料。上述方法优选包括以下步骤将具有下式的聚乙二醇原料的羟基官能团偶合到适当官能化的式X-W的分子 HO-(CH2CH2O)-Z m其中m如以上定义，并且Z包括或基本上由H或-CH3组成。X包括或基本上由离 去基团比如卤素、对甲苯磺酸酯、甲磺酰基(CH3-S(O)2-O-)或亲核体比如OH组成，并且W包 括或基本上由螯合到纳米粒子表面的合适的官能团组成，比如羧基或巯基。可以将Z预官能化以包含首基(head group)，以向包覆有配体的纳米粒子提供所想要的溶解性，其是作为X-W与HCHCH2CH2Obz的反应的结果而产生的；或者可以对Z进行后反应改性以便结合想要的首基，比如，但不限于对甲苯磺酸酯、羧基(例如-CH2CO2H 或-PhCO2H)、-SiPh2tBiu苯基(例如-CH2Ph)、硫醇、氨基、二硫代氨基甲酸基、膦酸、次膦酸、 乙烯基、乙炔、芳基、杂芳基等。在优选的实施方案中，配体具有下式的结构XO-(CH2GH2O)-Y m其中X包括或基本上由-CH3组成，并且在聚(乙二醇)甲醚( 350)原料和配 体化合物中m都为约8。Y包括或基本上由聚(乙二醇)甲醚(具有约350的分子量)原 料中的H组成，以及Y包括或基本上由配体化合物中的-CH2CO2H组成。在进一步优选的方面提供了结合上述包覆配体的半导体量子点纳米粒子，以及采 用用于将这样的配体结合到纳米粒子表面的标准合成方法制备所述半导体量子点纳米粒 子的方法。根据本专利技术在包覆有上述包覆配体的纳米粒子中包含的半导体材料可以包含来 自于周期表的2至16族中的任何一族或多族的离子，包括二元、三元或四元材料，S卩，材料 分别包含2、3或4种不同的离子。例如，纳米粒子可以包含核半导体材料，比如但不限于 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InP, InAs, InSb, AlP, AlS, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配体，所述配体具有式ＨＯ↓［２］Ｃ－ＣＨ↓［２］－Ｏ－（－ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］Ｏ－）↓［ｍ］－ＣＨ↓［３］，其中ｍ在约８至约４５的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：奈杰尔皮克特，马克克里斯托夫麦克莱恩，史蒂文丹尼尔斯，西沃恩可米斯，
申请(专利权)人：纳米技术有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]