配线基板及探针卡制造技术

本发明专利技术提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备：配线基板，其具有热膨胀系数为３．０×１０－６～５．０×１０－６／℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线板的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及配线基板及具备该配线基板并使用于半导体晶片的电特性检查的探 针卡。
技术介绍
在半导体的检查工序中，在切割前的半导体晶片的状态下通过使具有导电性的探 针接触而进行电特性检查，从而检测出不良品(晶片级别测试)。进行该晶片级别测试时， 为了将检查用的信号向半导体晶片传送，而使用对多个探针进行收容的探针卡。在晶片级 别测试中，利用探针卡扫描半导体晶片上的晶粒并使探针分别与各晶粒接触，但是由于在 半导体晶片上形成有几百 几万的晶粒，因此测试一个半导体晶片相当花费时间，且随着 晶粒的数量增加还会导致成本上升。为了消除上述的晶片级别测试的问题点，最近，使用有使几百 几万的探针一并 与半导体晶片上的全部的晶粒或半导体晶片上的至少1/4 1/2左右的晶粒接触的方法 (全晶片级别测试)(例如，参照专利文献1)。在该方法中，已知有为了使探针相对于半导 体晶片上的电极正确接触，而通过高精度地确保探针卡相对于半导体晶片表面的平行度或 平面度来保持探针的前端位置精度的技术、或高精度调整半导体晶片的技术(例如，参照 专利文献2或3)。图16是示意性地示出在上述的全晶片级别测试中适用的探针卡的一结构例的 图。该图所示的探针卡401具备探针头403，其收容与半导体晶片上的电极的配置图案 相对应设置的多个探针402 ；空间转换器404，其变换探针头403中的微细的配线图案的间 隔；转接板405，其转接从空间转换器404伸出的配线w ；板簧406，其保持探针头；配线基 板407，其将通过转接板405转接的配线w向检查装置连接；连接器408，其设置在配线基板 407上，并与生成检查用信号的检查装置侧连接；加强部件409，其对配线基板407进行加 强。专利文献1 日本特表2001-524258号公报专利文献2 日本专利第3386077号公报专利文献3 日本特开2005-164600号公报通常，以硅为主要成分的半导体晶片的热膨胀系数(3. 4X 10-6/oC )明显小于以环 氧或聚酰亚胺等树脂为主要成分的配线基板的热膨胀系数(12X 10_6 17X 10_6/°C )。因 此，在以往的探针卡中，作为空间转换器的材料，通过使用具有比半导体晶片的热膨胀系数 大且比配线基板的热膨胀系数小的热膨胀系数的材料，来缓和半导体晶片的热膨胀系数与 配线基板的热膨胀系数差，从而防止在范围大的温度环境(25 125°C左右)下进行电特性 检查时探针的前端位置与半导体晶片的电极之间产生错位的情况。然而，空间转换器由于形成内部的配线而制造花费时间，需要层叠几层，因而成为 高价。这种状况下，作为能够不使用空间转换器而构成探针卡的配线基板，优选能够进行 IOOm左右的微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而作出，其目的在于，提供一种能够进行微细间距的配线且 具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了解决上述课题并实现目的，本专利技术的配线基板的特征在于，具备热膨胀系数 为3. 0 X 10_6 5. 0 X 10-6/oC的陶瓷基板；层叠在所述陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄 膜配线板。另外，本专利技术的配线基板以上述专利技术为基础，其特征在于，所述陶瓷基板具有在厚 度方向上贯通该陶瓷基板的通孔。另外，本专利技术的配线基板以上述专利技术为基础，其特征在于，还具备分别与所述薄膜 配线板电连接的多个无插拔力型的连接器。另外，本专利技术的配线基板以上述专利技术为基础，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷 基板的另一个表面上且热膨胀系数小于所述陶瓷基板的一或多个金属。另外，本专利技术的配线基板以上述专利技术为基础，其特征在于，还具备层叠在所述陶瓷 基板的另一个表面上的多层薄膜配线板。另外，本专利技术的探针卡通过使用沿长度方向伸缩自如的导电性的探针，来将半导 体晶片和生成对该半导体晶片输出的信号的电路结构电连接，其具备上述任一专利技术所述 的配线基板；探针头，其使多个所述探针对应于所述薄膜配线板的配线配置，并且在各探针 的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与所述薄 膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。专利技术效果根据本专利技术，由于具备热膨胀系数为3. OX 10_6 5. OX 10_6/°C的陶瓷基板和层叠 在该陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板，因此能够提供一种能够进行微细间距 的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式1的探针卡的结构的俯视图。图2是图1的箭头A方向的俯视图。图3是示出探针、探针头及配线基板的各主要部分的结构的图。图4是示出配线基板主要部分的另一结构例的图。图5是示出本实施方式1的一变形例的探针卡的结构的图。图6是示出本专利技术的实施方式1的一变形例的探针卡的主要部分的结构的图。图7是示出本专利技术的实施方式1的另一变形例的探针卡的结构的图。图8是示出本专利技术的实施方式2的探针卡的结构的图。图9是图8的箭头B方向的俯视图。图10是示出本专利技术的实施方式2的探针卡的主要部分的结构的图。图11是示出本专利技术的实施方式2的探针卡所具备的ZIF型的连接器的结构的图。图12是示出本专利技术的实施方式3的探针卡的结构的俯视图。图13是示出本专利技术的实施方式3的探针卡所具备的ZIF型的连接器的结构的图。图14是示出本专利技术的另一实施方式的配线基板的主要部分的结构的图。图15是示出本专利技术的又一实施方式的配线基板的主要部分的结构的图。图16是示出现有的探针卡的结构的图。符号说明1、8、12、15、401 探针卡2、402 探针3、403 探针头4、4，、9、13、16、18、19、44、407 配线基板5、406 板簧6、10、14、17、408 连接器7、409加强部件11安装部件14a 结合部14b 第一凸缘部14c躯体部14d第二凸缘部21,22 针头(7°，>夕弋)2 la、22a 前端部21b,22c 凸起部21c 轴部22b 凸缘部23螺旋弹簧23a 疏卷绕部23b密卷绕部31、134、142、143、164、175、176 孔部31a 小径孔31b 大径孔41、91、131、161、181、191 陶瓷基板42a、42b、42c、42d、92a、92b、92c、132a、132b、132c、132d、162、182a、182b、182c、182d、192a、192b、192c、192d 薄膜配 线板43、43，、46多层薄膜配线板93树脂基板100 半导体晶片101 电极133 切口141、173、174 导线163 开口部171第一连接器171a第一结合部171b第三凸缘部171c第二结合部172第二连接器172a第四凸缘部172b嵌入部183、193、194、195金属201、301 螺钉404空间转换器405转接板411、431、911、931通孔412、912、932 导电材料具体实施例方式以下，参照附图，说明用于实施本专利技术的最佳方式(以后，称为“实施方式”)。此 外，附图是示意性的图，应该注意到各部分的厚度与宽度的关系、各个部分的厚度的比率等 存在与现实不同的情况，当然在附图相互之间也包含相互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线基板，其特征在于，具备：热膨胀系数为３．０×１０↑［－６］～５．０×１０↑［－６］／℃的陶瓷基板；层叠在所述陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：风间俊男，中山浩志，宫地真也，铃木恒平，
申请(专利权)人：日本发条株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]