ＳＯＩ基板的表面处理方法技术

本发明专利技术提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种ＳＯＩ基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的ＰＡＣＥ法或使用气体团簇离子束的ＧＣＩＢ法对ＳＯＩ基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有４体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的ＳＯＩ基板进行热处理退火的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种SOI基板的表面处理方法。
技术介绍
为了降低寄生电容、实现器件(device)的高速化，SOI (Silicon on insulator) 晶片得到了广泛的应用。近年来，为了制造完全耗尽层型SOI器件，对SOI层(硅层)为 IOOnm以下的薄膜SOI的需求提高。这是因为通过将SOI层薄膜化，可期待实现器件的高速 化。对于此薄膜SOI晶片来说，硅层的面内膜厚分布是非常重要的要素，要求纳米水平的面 内均一性。然而，实际上以高产率达到纳米水平的精度是困难的，现状难以改善。作为制造面内膜厚均一性高的薄膜SOI的方法，还提出了所谓的等离子辅助化学 蚀刻(Plasma Assisted Chemical Etch :PACE)法以及气体团簇离子束(Gas Cluster Ion Beam =GCIB)法等，这些方法预先测定SOI膜的硅膜厚，按照其膜厚分布，在补正的同时对薄 膜进行蚀刻(etching)，从而制造均一的薄膜硅层。两者均通过使数毫米 数厘米直径的等 离子或离子束对晶片的整个表面进行扫描，在补正膜厚变化的同时能够进行蚀刻，可以说 这种技术适用于获得均一薄膜的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ基板的表面处理方法，其特征在于，所述处理方法为ＳＯＩ基板的表面处理方法，其至少包括：通过使用等离子的ＰＡＣＥ法或使用气体团簇离子束的ＧＣＩＢ法对上述ＳＯＩ基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有４体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的ＳＯＩ基板进行热处理退火的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山昌次，久保田芳宏，伊藤厚雄，田中好一，川合信，飞坂优二，田村博，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]