用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法技术

本发明专利技术提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于ｐ掺杂的硅衬底（１）并且包括以下方法步骤：ｎ掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域（２），多孔蚀刻所述ｎ掺杂的栅格结构（２）下方的衬底区域（５），在所述ｎ掺杂的栅格结构（２）下方的所述衬底区域（５）中产生一空腔（７）；在所述ｎ掺杂的栅格结构（２）上生长第一单晶的硅外延层（８）。其特征在于，如此确定所述ｎ掺杂的栅格结构（２）的至少一个开口（６）的尺寸，使得它不被生长的第一外延层（８）封闭，而是形成通到所述空腔（７）的进入开口（９）；在空腔壁上产生氧化层（１０）；产生通到所述空腔（７）的背侧入口（１３），其中，所述空腔壁上的氧化层（１０）充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔（７）的区域中的氧化层（１０），使得形成通到被构造在所述空腔（７）上方的膜片结构（１４）的背侧入口（１３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法，其中，所述方法基于一ｐ掺杂的硅衬底（１）并且包括以下方法步骤：　　ｎ掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域（２），　　多孔蚀刻所述ｎ掺杂的栅格结构（２）下方的一衬底区域（５），　　在所述ｎ掺杂的栅格结构（２）下方的所述衬底区域（５）中产生一空腔（７）；　　在所述ｎ掺杂的栅格结构（２）上生长一第一单晶的硅外延层（８）；　　其特征在于，　　如此确定所述ｎ掺杂的栅格结构（２）的至少一个开口（６）的尺寸，使得它不被生长的第一外延层（８）封闭，而是形成一通到所述空腔（７）的进入开口（９）；　　在空腔壁上产生一氧化层（１０）；　　产生一通到所述空腔（７）的背侧入口（１３），其中，所述空腔壁上的氧化层（１０）充当蚀刻终止层；以及　　去除所述空腔（７）的区域中的氧化层（１０），使得形成一通到被构造在所述空腔（７）上方的膜片结构（１４）的背侧入口（１３）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T克拉梅尔，M阿勒斯，A格伦德曼，K克内泽，H本泽尔，G许尔曼，S安布鲁斯特，
申请(专利权)人：罗伯特博世有限公司，
类型：发明
国别省市：DE