本发明专利技术提供一种共聚物，具有含有式（Ｉ－１）所示的重复单元的嵌段（Ａ′）、及／或含有式（Ｉ－１）所示的重复单元和式（ＩＩ）所示的重复单元的嵌段（Ａ）。〔式中，Ｘ１、Ｘ２及Ｘ３可以相同或不同，表示氧原子、硫原子或－Ｃ（Ｒ７）＝Ｃ（Ｒ８）－，ｍ及ｎ可以相同或不同，表示２或３。多个Ｘ１可以相同或不同，多个Ｘ３可以相同或不同。〕－（Ａｒ１）－ （ＩＩ）〔Ａｒ１表示亚芳基〕。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及共聚物及使用了其的高分子发光元件。
技术介绍
作为用于高分子发光元件的材料，对各种高分子化合物进行了研究，作为该例， 已知有作为重复单元具有作为亚芳基的芴二基和式(M)所示的基团的无规共聚物(特表 2004-534863 号公报)。权利要求1. 一种共聚物，其具有含有式(1-1)所示的重复单元的嵌段(A')、及/或含有式(I-I)所示的重复单元和 式(II)所示的重复单元的嵌段(A)；2.如权利要求1所述的共聚物，其具有含有式(I-I)所示的重复单元和式(II)所示的 重复单元的嵌段(A)。3.如权利要求1或者2所述的共聚物，其中， m及η是2。4.如权利要求1 3中任意一项所述的共聚物，其中， X^X2及X3是硫原子。5.如权利要求1 4中任意一项所述的共聚物，其中， Ar1是式(IV)所示的基团；6.如权利要求1 5中任意一项所述的共聚物，其中， 嵌段(A)还含有2种以上的式(1- 所示的重复单元；式中，Υ\Υ2及Y3可以相同或不同，表示氧原子、硫原子或-C(R' 7) =C(R' 8)-，R' \ R' 2>R' 3>R'5>R' 6>R' 7及R' 8可以相同或不同，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂 环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或 硝基。7.如权利要求6所述的共聚物，其中，Y1、Y2及Y3是硫原子。8.如权利要求1 7中任意一项所述的共聚物，其中，还具有含有式(II)所示的重复单元和式(III)所示的重复单元的嵌段(B)； -(Ar2) - (III)式中，Ar2是2价芳香族胺残基。9.如权利要求8所述的共聚物，其中，Ar2是式(V-I)所示的基团、式(V-2)所示的基团或式(V-3)所示的基团；10.如权利要求8或者9所述的共聚物，其中，嵌段(B)含有2种以上的式(III)所示的重复单元。11.如权利要求1 10中任意一项所述的共聚物，其中，聚苯乙烯换算的重均分子量是1 X IO3 1 X IO7012.如权利要求1 11中任意一项所述的共聚物，其中，在将共聚物中的全部重复单元的总计设为100摩尔％的情况下，具有0. 5摩尔％以上 40摩尔％式(I-I)所示的重复单元。13.如权利要求1 12中任意一项所述的共聚物，其中，嵌段(A)或嵌段(A')的聚苯乙烯换算的重均分子量是IX IO3 IX 105。14.如权利要求8 13中任意一项所述的共聚物，其中，式(VI)所示的值是0. 1以上10以下； 式中，〔A〕表示共聚物中所含的嵌段(A)的个数及嵌段(A')的个数当中的最大数，〔 B〕表示共聚物中所含的嵌段(B)的个数。15.如权利要求1 13中任意一项所述的共聚物，其中，式(VII)所示的值是0. 01以上0. 8以下； 式中，〔C〕表示嵌段(A)的聚苯乙烯换算的重均分子量及嵌段(A')的聚苯乙烯换算 的重均分子量当中的最大值，(D)表示共聚物的聚苯乙烯换算的重均分子量。16.一种组合物，其含有权利要求1 15中任意一项所述的共聚物、和该共聚合物以外 的、从发光材料、空穴输送材料及电子输送材料的组中选择的1种以上的材料。17.如权利要求16所述的组合物，其中，含有至少2种权利要求1 15中任意一项所述的共聚物。18.—种组合物，其含有权利要求1 15中任意一项所述的共聚物和溶剂。19.一种薄膜，其含有权利要求1 15中任意一项所述的共聚物。20.一种薄膜，其含有权利要求16或17所述的组合物。21.如权利要求19或20所述的薄膜，其具有发光性。22.如权利要求19或20所述的薄膜，其具有导电性。23.一种高分子发光元件，其具有阳极、阴极和在该阳极和该阴极之间的含有权利要 求1 15中任意一项所述的共聚物的有机层。24.一种高分子发光元件，其具有阳极、阴极和在该阳极和该阴极之间的含有权利要 求16或者17所述的组合物的有机层。25.如权利要求23或M所述的高分子发光元件，其中， 有机层是发光层。26.一种面状光源，其使用了权利要求23 25中任意一项所述的高分子发光元件。27.一种液晶显示装置，其以权利要求23 25中任意一项所述的高分子发光元件作为 背光。28.一种照明，其使用权利要求23 25中任意一项所述的高分子发光元件。29.一种有机晶体管，其具有含有权利要求1 15中任意一项所述的共聚物的活性层。30.一种光电转换元件，其具有阳极、阴极和在该阳极和该阴极之间设置的含有权利 要求1 15中任意一项所述的共聚物的有机层。31.一种权利要求1 15中任意一项所述的共聚物的制造方法，包括通过仅使W1-A-W2所示的化合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化 合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化合物及具有参与缩聚的2个取 代基的化合物缩聚而合成第一化合物的工序；及通过使该第一化合物和具有参与缩聚的2个取代基的化合物缩聚而合成具有嵌段 (A’)及/或嵌段㈧的共聚物的工序；式中，-A-表示式(I-I)所示的重复单元或式(1- 所示的重复单元，Ar1与上述同义， W1及W2可以相同或不同，表示参与缩聚的取代基。32.—种权利要求8 15中任意一项所述的共聚物的制造方法，其中，包括通过仅使W1-A-W2所示的化合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化 合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化合物及具有参与缩聚的2个取 代基的化合物缩聚而合成第一化合物的工序；及通过使该第一化合物与W1-Ar1-W2所示的化合物及W1-Ar2-W2所示的化合物缩聚，或使 该第一化合物与W1-Ar1-W2所示的化合物、W1-Ar2-W2所示的化合物及具有参与缩聚的2个取 代基的化合物缩聚而合成具有嵌段(A’)及/或嵌段(A)和嵌段(B)的共聚物的工序；式中，-A-表示式(I-I)所示的重复单元或式(1- 所示的重复单元，Ar1及Ar2与上 述同义，W1及W2可以相同或不同，表示参与缩聚的取代基。33.一种权利要求8 15中任意一项所述的共聚物的制造方法，包括通过仅使W1-A-W2所示的化合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化 合物缩聚，或使W1-A-W2所示的化合物和W1-Ar1-W2所示的化合物及具有参与缩聚的2个取 代基的化合物缩聚而合成第一化合物的工序；通过使W1-Ar1-W2所示的化合物和W1-Ar2-W2所示的化合物缩聚，或使W1-Ar1-W2所示的 化合物和W1-Ar2-W2所示的化合物和具有参与缩聚的2个取代基的化合物缩聚而合成第二 化合物的工序；及通过使该第一化合物和该第二化合物缩聚而合成具有嵌段(A’)及/或嵌段(A)以及 嵌段(B)的共聚物的工序；式中，-A-表示式(I-I)所示的重复单元或式(1- 所示的重复单元，Ar1及Ar2与上 述同义，W1及W2可以相同或不同，表示参与缩聚的取代基。全文摘要本专利技术提供一种共聚物，具有含有式(I-1)所示的重复单元的嵌段(A′)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种共聚物，其具有： 含有式（Ｉ－１）所示的重复单元的嵌段（Ａ′）、及／或含有式（Ｉ－１）所示的重复单元和式（Ⅱ）所示的重复单元的嵌段（Ａ）； ＊＊＊ （Ⅰ－１） 式中，Ｘ↑［１］、Ｘ↑［２］及Ｘ↑［３］可以相同或不同，表示氧原子、硫原子或－Ｃ（Ｒ↑［７］）＝Ｃ（Ｒ↑［８］）－，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］、Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］、Ｒ↑［７］及Ｒ↑［８］可以相同或不同，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、１价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，ｍ及ｎ可以相同或不同，表示２或３；多个Ｒ↑［１］可以相同或不同；多个Ｒ↑［２］可以相同或不同；多个Ｒ↑［５］可以相同或不同；多个Ｒ↑［６］可以相同或不同；多个Ｘ↑［１］可以相同或不同；多个Ｘ↑［３］可以相同或不同； －（Ａｒ↑［１］）－ （Ⅱ） 式中，Ａｒ↑［１］表示亚芳基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤修，浅田浩平，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，萨美甚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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